2022 年?5 月?18日，中國?– 意法半導(dǎo)體的?STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機的開關(guān)
2022-05-19 10:50:42
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2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換
2022-06-24 09:57:452122 
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST) 推出首款完全符合衛(wèi)星和運載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。全新抗輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產(chǎn)
2011-06-15 08:49:081738 近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:542185 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體推出了其最新的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）射頻收發(fā)器芯片，讓智能物聯(lián)網(wǎng)硬件具有極高的能效，可連續(xù)工作長達10年而無需更換電池。
2016-11-23 11:22:331555 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡單的開關(guān)功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:321650 
意法半導(dǎo)體新IH系列器件屬于意法半導(dǎo)體針對軟開關(guān)應(yīng)用專門優(yōu)化的溝柵式場截止（TFS） IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關(guān)應(yīng)用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計人員可以選用這些IGBT，來達到更高的能效等級。
2019-03-27 16:05:333440 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。
2019-12-23 16:34:261763 有助于簡化工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器和交流/直流適配器操作，節(jié)省電能 ? 2024 年 3 月 7 日，中國 ——意法半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器
2024-03-11 15:42:361288 
家電應(yīng)用場景，包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 ? 該器件具備175℃最高結(jié)溫特性和優(yōu)異的熱阻系數(shù)，可確保30A額定電流下的高效散熱表現(xiàn)，在嚴(yán)苛工作環(huán)境中保持長期穩(wěn)定運行。 ? 作為STPOWER產(chǎn)品組合，這是意法半導(dǎo)體第二代IH系列首款1600V電壓等級IGBT，采用先進的溝槽柵場截止
2025-07-17 10:43:176620 半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
請問圖片是意法的什么元件，上面的絲印具體信息是什么，有能替代的嗎，查了資料沒找到這個型號，謝謝
2022-05-16 23:20:58
中國，2018年2月26日 – 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布與遠創(chuàng)達科技公司簽署一份
2018-02-28 11:44:56
服務(wù)提供商 Sigfox宣布一項技術(shù)合作協(xié)議，以支持并提高市場對各種應(yīng)用互聯(lián)設(shè)備的需求，包括供應(yīng)鏈管理、樓宇和設(shè)備維護、水和燃?xì)庥嬃俊脖！⒔煌ā⑥r(nóng)業(yè)、礦業(yè)和家庭自動化。意法半導(dǎo)體的開發(fā)工具將整合
2018-03-12 17:17:45
▌峰會簡介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃，實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
中國， 2018 年 5 月 21 日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ） 推出
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動器提供26V的最大柵極驅(qū)動輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
(STEVAL-LDO001V1)搭載1個STLQ020和3個其它型號低壓差（LDO）穩(wěn)壓器，售價9.68美元。相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布世界領(lǐng)先的防水壓力傳感器，首張訂單來自三星高性能穿戴式產(chǎn)品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05
`中國，2018年6月22日——意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
系統(tǒng)等各種設(shè)備和系統(tǒng)。STM32系列微控制器的制造商意法半導(dǎo)體是世界領(lǐng)先的32位Arm?Cortex?-M-core 微控制器廠商。為加快和促進開發(fā)社區(qū)的應(yīng)用開發(fā)，意法半導(dǎo)體建立了一個強大的軟硬件開發(fā)
2018-07-13 15:52:39
意法半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機器學(xué)習(xí)開發(fā)環(huán)境放入云中，并配有可云訪問的意法半導(dǎo)體MCU板進行測試。這兩個版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
`中國，5月28日—— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）發(fā)布 了2018 年可持續(xù)發(fā)展
2018-05-29 10:32:58
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡化手機與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計，為
2011-11-24 14:57:16
？
再者在場效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請問這是為什么？同樣對于場效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。 晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明
2010-08-12 13:57:39
電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)于今日聯(lián)合宣布，將在意法半導(dǎo)體的ST Telemaco3P STA1385車載信息
2018-11-05 14:09:44
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場上的應(yīng)用。意法半導(dǎo)體和MACOM為提高意法半導(dǎo)體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產(chǎn)量而合作多年，按照目前時間安排，意法半導(dǎo)體預(yù)計2018年開始量產(chǎn)樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
電壓能力相結(jié)合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個器件中開關(guān)的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導(dǎo)體推出TO247-4L IGBT系列，具有強大且經(jīng)濟實惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
STM32系列打造意法半導(dǎo)體核心戰(zhàn)略產(chǎn)品
2012-07-31 21:36:53
Degauque表示：“意法半導(dǎo)體高射頻性能的NFC方案最大限度地提高了工程師在新產(chǎn)品設(shè)計時的自由空間和靈活度。通過充分利用這一靈活性， NFC在Alcatel 3V智能手機上的集成過程被有效簡化
2018-06-11 15:22:25
系統(tǒng)芯片的集成度達到空前水平，意法半導(dǎo)體擁有20多年的這能電表技術(shù)沉淀， PLC和智能電表芯片出貨量逾600萬個。 相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體(ST)電力線通信芯片組解決方案為新智能電力基礎(chǔ)設(shè)施的推出鋪平道路
2018-03-08 10:17:35
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
ST意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子技術(shù)
2019-02-26 17:04:37
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 編輯
今天給大家?guī)淼氖?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體STM32系列以及STM8系列MCU的一些介紹和相關(guān)的資料手冊，希望大家在這里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計算機、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
滿足電機控制的需求，意法半導(dǎo)體以SLLIMM-nano系列產(chǎn)品形式提供多種功率開關(guān)技術(shù)。 3.1. 內(nèi)置續(xù)流二極管的IGBT SLLIMM-nano系列產(chǎn)品所用的600 V IGBT采用意法半導(dǎo)體
2018-11-20 10:52:44
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計呢？
2022-01-14 07:02:41
意法半導(dǎo)體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
的半導(dǎo)體開關(guān)器件。IGBT 晶體管采用了這兩種類型的晶體管的最好的部分，高輸入阻抗和高開關(guān)速度的 MOSFET 與低飽和電壓的雙極性晶體管，并結(jié)合在一起，產(chǎn)生另一種晶體管開關(guān)設(shè)備，能夠處理大集
2022-04-29 10:55:25
進一步減少所需的組件。 憑借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術(shù)，PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進行測量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
在復(fù)合式晶體管開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)
2009-05-30 21:26:24
2 半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測量一、實驗?zāi)康?、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參
2009-03-09 09:12:0915284 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點1986年投
2009-04-14 22:13:397311 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001718 
晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 意法半導(dǎo)體發(fā)布超低功耗整流二極管
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出新的高能效功率整流二極管
2010-04-06 13:29:521162 全球領(lǐng)先的高能效半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商、可持續(xù)發(fā)展的倡導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)宣布，大中華區(qū)與南亞地區(qū)副總裁兼臺灣分公司總經(jīng)理尹容(Giuseppe Izzo)將
2010-10-29 09:04:12808 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及能效解決方案供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）發(fā)布最新的太陽能發(fā)電創(chuàng)新技術(shù)和未來的高能效
2011-10-28 09:24:50612 意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:102992 
意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動器提供26V的最大柵極驅(qū)動輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗位功能，可用于各種開關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁⊿iC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。
2018-08-04 09:20:001168 STGAP2DM柵極驅(qū)動器是意法半導(dǎo)體的 STGAP2系列電隔離驅(qū)動器的第二款產(chǎn)品，集成了低壓控制和接口電路以及兩個電隔離輸出通道，可以驅(qū)動單極或雙極型晶體管的柵極。
2018-11-16 15:46:315011 electronica 2018最火展區(qū)之一，意法半導(dǎo)體的亮眼科技。
2018-12-03 16:44:325393 意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標(biāo)準(zhǔn)的汽車級產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:534151 在對大功率和高能效需求日益增長的5G通信時代，意法半導(dǎo)體推出STWLC68系列產(chǎn)品，為市場帶來業(yè)界領(lǐng)先的，擁有極高傳輸能效并安全可靠的無線充電解決方案。
2020-02-27 16:40:571027 意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計簡單的優(yōu)點。
2020-03-18 15:24:513098 基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 雙極晶體管」。 IGBT晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，主要被用于電動汽車、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制等領(lǐng)域。 IGBT晶體管是由BJT（雙極型晶體或雙極性晶體管，俗稱三極管）和MOSFET（絕緣
2021-02-03 17:37:1515588 意法半導(dǎo)體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 ，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。 意法半導(dǎo)體800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級結(jié)晶體管技術(shù)樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉?biāo)桿。MDmesh K6 的RDS（on） x
2021-10-28 10:41:252244 意法半導(dǎo)體推出了一個新系列—— 氮化鎵（GaN） 功率半導(dǎo)體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER 產(chǎn)品組合，能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。
2021-12-17 17:32:301432 意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用
2022-01-17 14:13:294628 電源，例如，充電器、PC機外部電源適配器、LED照明驅(qū)動器、電視機等家電。消費電子產(chǎn)品的全球產(chǎn)量很大，如果提高能效，可大幅減少二氧化碳排放。在功率更高的應(yīng)用中，意法半導(dǎo)體的 PowerGaN器件也適用于電信電源、工業(yè)驅(qū)動電機、太陽能逆變器、電動汽車及其充電設(shè)施。
2022-01-17 14:22:543358 2022 年 4 月 7 日，中國——意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設(shè)計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到
2022-04-07 13:53:308138 
意法半導(dǎo)體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機的開關(guān)式電源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:472191 VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V
2022-05-20 10:58:482925 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431804 本文（上）回顧了氮化鎵的發(fā)展歷程，并介紹了意法半導(dǎo)體MasterGaN產(chǎn)品系列和解決方案；本文（下）將介紹意法半導(dǎo)體VIPerGaN產(chǎn)品系列和解決方案。
2022-09-20 09:07:262907 意法半導(dǎo)體怎么樣 意法半導(dǎo)體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:113012 IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是一種半導(dǎo)體器件。是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2023-02-17 16:14:201325 意法半導(dǎo)體發(fā)L6983i10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。
2023-05-19 09:56:311516 2023年5月20日，中國——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開關(guān)管準(zhǔn)諧振 (QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。
2023-05-20 16:59:50754 中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:231110 在電源與能源應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體將展示一款采用MASTERGAN和ST－ONEHP的140W 智能電源適配器。其中MASTERGAN在一個單一封裝內(nèi)整合了意法半導(dǎo)體第三代氮化鎵（GaN）功率晶體管和改進的柵極驅(qū)動器。
2023-06-30 16:33:451393 ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導(dǎo)體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:294511 
2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-12 09:01:311251 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:001184 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:39:111438 意法半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難度，提高轉(zhuǎn)換能效，目標(biāo)應(yīng)用包括工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器和 AC/DC適配器。
2024-03-07 16:26:571046 意法半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應(yīng)用場
2024-12-11 14:27:00971 參考設(shè)計，旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實現(xiàn)。 MasterGaN-SiP是意法半導(dǎo)體的創(chuàng)新之作，它將GaN功率晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動器完美整合于一個封裝內(nèi)。這一設(shè)計不僅顯著提升了電源的性能和可靠性，還通過高度集成的方式，極大地加快了設(shè)計速度，并有效節(jié)省了PCB電路板空間。 與傳統(tǒng)
2024-12-25 14:19:481143 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331279 意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。
2025-01-16 13:28:271025 為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。
2025-02-06 11:31:151135 意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。
2025-06-04 14:44:581139 IH2系列IGBT支持1350V的電壓（如今新增了1600V電壓），并采用了先進的溝槽柵極場截止 (TGFS) 架構(gòu)。該系列產(chǎn)品支持更高的擊穿電壓、較低的VCEsat和熱阻以及經(jīng)過擴展的175°C
2025-11-24 10:07:331021 近日，意法半導(dǎo)體(ST)簽署一項實體購電協(xié)議(PPA)，由TSE向意法半導(dǎo)體法國工廠供應(yīng)太陽能發(fā)電廠生產(chǎn)的可再生能源電力。
2025-12-11 14:01:331094
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