Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:30
2758 
，使Gate和Drain之間的場被建立，從而觸發這種場效應晶體管（MOSFET）?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的主要用途： MOSFET在工業中有廣泛的應用，主要用在邏輯電路，放大電路，功率電路等方面。普遍
2023-03-08 14:13:33
N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
2025-10-31 09:35:26
通過向柵極施加正電壓來控制漏極電流。N 溝道場效應管N 溝道 MOSFET 的 N溝道區域位于源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體。這種類型的場效應晶體管的漏極和源極
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
，二邊的P區中間夾著一個N區，由于二個P區在外面通過S極連在一起，因此，這個結構形成了標準的JFET結構。 4 隔離柵SGT場效應晶體管 功率MOSFET的導通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個相互
2016-10-10 10:58:30
`功率場效應晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
;lt;font face="Verdana">功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管</font><
2009-05-12 20:38:45
功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
2019-04-10 10:02:53
，發射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-03-27 06:20:04
頻率范圍內的線性大信號輸出級。產品型號：MRF154產品名稱：射頻晶體管MRF154產品特性N溝道增強型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。＜ 相關產品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
溝道和 N 溝道類型。
場效應管
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是所有類型晶體管中最常用的。顧名思義，它包括金屬柵極的端子。該晶體管包括四個端子，如源極、漏極、柵極和襯底或主體
2023-08-02 12:26:53
（IGBT）絕緣柵雙極晶體管結合了巨型晶體管GTR和功率MOSFET的優點。它具有良好的性能和廣泛的應用。IGBT也是三端器件：柵極、集電極和發射極。晶體管的主要參數晶體管的主要參數包括電流放大因數
2023-02-03 09:36:05
導電，故稱為單極型晶體管。 單極型晶體管的工作原理 以N溝道增強型MOS場效應管為例說明其工作原理。N溝道增強型MOS管的結構模型如圖1所示，它由兩個背靠背的PN結組成。 圖2是實際結構
2020-06-24 16:00:16
二次擊穿現象，安全工作區域寬等特點，主要分為兩種：結型場效應管（JFET)和絕緣棧型場效應管（MOSFET)。對N溝道結型場效應管2N3370的輸出特性進行分析。對N溝道增強型MOSFET2N7000的輸出特性進行仿真
2012-08-03 21:44:34
MOS管在絕緣柵型場效應管中，目前常用二氧化硅作金屬鋁（Al）柵極和半導體之間的絕緣層，稱為金屬一氧化物-半導體場效應晶體管，簡稱為MOSFET或者MOS管。電路符號G,D,S極怎么區分G極是比較好
2023-02-10 16:27:24
運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場效應晶體管有哪幾種分類場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
，它代表金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
一個級聯，功率器件是JFET，級聯中的下部晶體管是MOSFET。級聯碼的內部節點不可訪問，與IGBT相同。因此，只能影響打開，而不能影響關閉！可以快速關閉柵極處的MOSFET，但器件的關斷方式不會
2023-02-20 16:40:52
集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過1W的晶體管。相對功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過1W。相比
2019-05-05 01:31:57
和功率密度方面的性能越好。此外，GaN功率晶體管具有在AlGaN / GaN異質結上形成的橫向二維電子氣體（2DEG）通道，該異質結沒有固有的雙極體二極管。無體二極管意味著沒有Qrr，這意味著由于MOSFET
2023-02-27 09:37:29
: IXFX32N80 晶體管類型: 1 N-Channel 商標: IXYS 產品類型: MOSFET 上升時間: 300 ns 工廠包裝數量: 30 子類別: MOSFETs 單位重量: 38 g
2020-03-05 11:01:29
。因而同時具備了MOS管、GTR的優點。二．絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的特點：這種器件的特點是集MOSFET與GTR的優點于一身。輸入阻抗高，速度快，熱穩定性好。通態電壓低，耐壓高，電流大。它
2009-05-12 20:44:23
方向上受控，在反向方向上不受控)。絕緣柵極雙極性晶體管的工作原理和柵極驅動電路與 n 溝道功率 MOSFET 非常相似?；緟^別在于 IGBT 中，當電流通過處于“ ON”狀態的器件時，主導通道所提
2022-04-29 10:55:25
功率場效應晶體管(MOSFET)原理
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小
2009-04-25 16:05:1010824 
功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應管又叫功率場控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:423328 
CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
CISSOID，在高溫半導體解決方案的領導者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操
2010-02-23 10:42:591970 電力晶體管的原理和特點是什么?
結構電力晶體管(GiantTransistor)簡稱GTR，結構和工作原理都和小功率晶體管
2010-03-05 13:43:5611945 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 CISSOID，在高溫和高可靠性的半導體解決方案的領導者，推出THEMIS和ATLAS，其功率晶體管驅動器芯片組可令電機驅動器
2010-12-06 09:14:341289 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態電阻
2011-12-27 17:29:102992 
關鍵詞：MOSFET , NXP , PBSM5240PF , Trench 恩智浦半導體（NXP）推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道
2019-01-07 12:53:02994 與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
2019-03-28 14:43:235106 MOSFET的類型很多，按導電溝道可分為P溝道和N溝道；根據柵極電壓與導電溝道出現的關系可分為耗盡型和增強型。功率場效應晶體管一般為N溝道增強型。
2019-10-11 10:33:2910000 
電源系統中的恒定電流源，固態繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589886 
N溝道增強型場效應晶體管LT10N02SI資料說明
2022-01-23 10:25:44
5 N溝道增強型場效應晶體管JHW10N60數據手冊
2022-01-23 10:53:161 從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:001280 
功率晶體管的參數主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數都會影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時，應該根據實際應用來選擇合適的參數。
2023-02-17 14:29:373679 N溝道增強型垂直D-MOS晶體管-BSP89
2023-02-20 19:23:011 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PF
2023-02-23 19:31:531 具有預偏置 NPN 晶體管的 30 V P 溝道 MOSFET-PMC85XP
2023-03-02 22:58:300 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PFH
2023-03-02 23:00:330 200 V，N 溝道垂直 D-MOS 晶體管-BSS87
2023-03-03 20:01:500 MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:302082 MOS的三個極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫。它是
2023-11-30 14:24:542647 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別。
2024-09-13 14:10:009544 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開關應用（如DC-DC轉換器
2025-10-31 17:36:09229 
仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-03 15:26:33300 仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉換場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導通損耗及優異開關特性，廣泛適用于高要求DC-DC轉換器、高效
2025-11-03 16:33:23497 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-04 15:22:12226 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規性，廣泛適用于電子鎮流器、電子變壓器、開關模式電源等領域
2025-11-04 15:59:03238 仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED電源
2025-11-05 12:10:09283 仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統逆變器
2025-11-05 15:28:39205 選型手冊：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導通損耗
2025-11-05 15:53:52211 仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規性，適用于各類開關應用（如DC-DC
2025-11-05 16:01:03243 仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通損耗、100A大電流承載能力及優異的開關特性，適用于各類開關應用（如
2025-11-06 15:44:22308 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-06 16:05:07286 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-06 16:12:24298 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-11-06 16:15:37292 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-07 10:23:59241 仁懋電子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、UPS等領域
2025-11-07 10:31:03211 仁懋電子（MOT）推出的MOT10N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、UPS等領域
2025-11-07 10:40:08223 仁懋電子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統
2025-11-10 15:50:16248 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通損耗、50A大電流承載能力及快速開關特性，適用于各類開關應用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36255 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED電源等
2025-11-11 09:23:54217 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、100%雪崩測試驗證及700V耐壓，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、UPS
2025-11-12 09:34:45198 仁懋電子（MOT）推出的MOT10N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、UPS等領域
2025-11-12 14:15:44279 仁懋電子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-11-12 14:19:35317 仁懋電子（MOT）推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借2.8mΩ超低導通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率
2025-11-14 12:03:12167 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及TO-220F封裝適配性，適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器
2025-11-17 14:37:39200 仁懋電子（MOT）推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統
2025-11-18 15:58:04228 選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高穩定性及無鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 仁懋電子（MOT）推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、100%雪崩測試驗證及500V耐壓，適用于高效開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-19 10:24:32240 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、優異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-11-19 11:15:03277 仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率
2025-11-19 15:15:00184 仁懋電子（MOT）推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.1mΩ超低導通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率
2025-11-19 15:21:04222 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、低柵極電荷及快速開關特性，適用于各類開關應用場景。一、產品基本信息器件類型：N
2025-11-20 16:22:54305 仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借2.4mΩ超低導通電阻、120A超大連續電流及優異散熱封裝，適用于功率開關應用、硬開關高頻
2025-11-21 10:46:19184 仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高頻開關特性及高可靠性，適用于高頻開關、同步整流等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-24 14:27:27204 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、100%雪崩測試驗證及650V耐壓，適用于高效開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-24 14:33:13243 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、優異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-11-24 14:45:26185 仁懋電子（MOT）推出的MOT6556T是一款面向60V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借0.5mΩ超低導通電阻、400A超大連續電流及超級溝槽技術，適用于高功率系統逆變器、輕型
2025-11-24 17:04:20514 仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、無鉛環保封裝特性，適用于DC/DC轉換器等低壓功率轉換場景。一、產品基本信息器件類型
2025-11-25 15:14:47191 選型手冊：VS1401ATHN溝道增強型功率MOSFET晶體管威兆半導體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借
2025-11-28 12:14:04238 
在電子設計領域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）作為關鍵的功率器件，其性能表現對整個電路的性能起著至關重要的作用。今天，我們就來深入了解一款由onsemi推出的單N溝道MOSFET——NVTYS014N08HL。
2025-12-01 09:42:59233 
威兆半導體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-263封裝，憑借1.9mΩ極致低導通電阻與170A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC
2025-12-03 09:23:07266 
威兆半導體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品
2025-12-18 17:42:57174 
威兆半導體推出的VS4080AI是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用DIPPAK封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-23 11:18:11195 威兆半導體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：N
2025-12-31 17:14:451193 
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