2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關損耗，同時優化體寄生二極管特性，降低功率轉換
2022-06-24 09:57:45
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日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業設備和車載領域為中心的、輸入電壓24V的DC/DC轉換器。
2012-08-08 09:18:231517 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 經擴大了其 P 通道 PowerTrench? MOSFET 產品線 。
2012-08-10 09:58:121959 飛兆半導體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產品可幫助設計人員在汽車動力轉向系統的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:041314 快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）透過導入600V N-通道SuperFET II MOSFET系列，以使用更小的電路板空間并提高可靠性
2013-01-10 14:17:541307 全球領先的特色工藝純晶圓代工企業——華虹半導體有限公司(“華虹半導體”或“公司”，股份代號：1347.HK)宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產，該平臺具有導通電阻低、高壓種類全、光刻層數少等優勢，對于工業控制應用和DC-DC轉換器等產品是理想的工藝選擇。
2018-10-10 15:33:176778 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361578 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
需要更高性能的電源、電機控制、電力轉換等應用場景中，SL3061可能更適合替代芯龍XL1509系列。但是，在考慮替代方案時，還需要綜合考慮價格、供貨情況等因素。
SL3061 40V/2.5A開關降壓型
2023-11-13 15:24:19
40V轉5V，40V轉3.3V，40V轉3V降壓芯片和LDO芯片 1,LDO線性穩壓芯片40V輸入，降壓轉5V,3.3V,3V的話，由于先天條件，輸入和輸出壓差太大，只適合幾十MA電流輸出供電
2020-10-16 11:10:54
具備控制功率小、開關速度快的特點，廣泛應用于低中高壓的電路中，是功率半導體的基礎器件。在如今興起的新能源電動車中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅動系統
2023-02-21 15:53:05
各位大神，小弟目前有一個項目，需要單片機控制半導體制冷塊控制降溫，受成本所限不能使用開關電源，想請問各位大神如何設計驅動電路，目的是講交流220V電源變為12V直流輸出，用以控制半導體制冷塊工作，半導體型號TEC12710,需要什么樣的變壓器能夠實現功能，請各位大神不吝賜教，小弟新手，請見諒
2018-09-03 15:38:06
。 電機控制IC：爭奇斗艷 家用電器是中國最先推廣節能標準及標識的產品，家電電力消耗的主力是電機，電機的高效、節能成為大勢所趨，家電電機控制IC于是成為半導體企業的新熱點。目前用于電機控制的IC產品主要
2019-06-21 07:45:46
半導體技術在汽車動力系統中的應用是什么？
2021-05-18 06:09:40
電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高。 為滿足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET。 本文在實際
2018-11-20 10:52:44
電感以及功率 MOSFET RDS(ON)進行了優化。智能功率級模塊使用了快捷半導體公司的高性能 PowerTrench? MOSFET 技術以降低振鈴(Ringing)效應，從而使得大多數降壓轉換器
2013-12-09 10:06:45
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
模塊化，按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定的電路結構相聯結，用RTV、彈性硅凝膠、環氧樹脂等保護材料，密封在一個絕緣的外殼內，并且與導熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
的推出，為業界提供了最佳功率密度和低傳導損耗。FDMC8010采用飛兆半導體的PowerTrench技術，非常適合要求在小空間內實現最低RDS(ON)的應用，包括：高性能DC-DC降壓轉換器、負載點
2012-04-28 10:21:32
40V/50mΩ功率 MOS◆高效率：96%◆高端電流檢測◆最大輝度控制頻率：5KHz◆滯環控制，無需環路補償◆最高工作頻率：1MHz◆電流精度：±3%◆寬輸入電壓：5.5V~40V◆過溫保護◆低壓差工作時，可保持高穩定性應用領域◆建筑、工業、環境照明◆MR16 及 LED 燈◆汽車照明`
2019-11-22 11:22:29
深圳市聚能芯半導體有限公司是一家集芯片代理，芯片生產，工程服務為一體的綜合性公司。代理:泉芯（QXMD）、歐創芯（DCX）、芯龍(XLSEMI)。能芯半導體專業的團隊，為你提供周到完善的技術支持
2020-04-07 10:48:00
概述OC5820 是一款內置功率 MOSFET 的單片降壓型開關模式轉換器。OC5820 在6-40V 寬輸入電源范圍內實現 2.5 A 峰值輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調整率。OC5820
2022-01-13 09:35:22
`全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
。
SL3061 40V/2.5A開關降壓型轉換器產品概述:SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
SC4810B是中廣芯源自主開發高壓40V工藝的的600mA降壓型同步整流芯片，是國內首家采用SOT23-6小型封裝大電流同步降壓芯片，。內部集成極低RDS內阻200豪歐金屬氧化物半導體場效應晶體管
2015-09-18 12:02:41
、售前服務及服務，給用戶提供最優質最具競爭力的產品以及最人性化最貼心的服務。描述XL3001是一款降壓恒流型LED驅動器，可工作在DC8V到40V輸入電壓范圍，低紋波，內置功率MOS。XL3001內置
2020-05-25 14:36:22
專為升壓、升降壓設計 的單片集成電路，可工作在DC5V到40V輸 入電壓范圍，低紋波，內置功率MOS。XL6019內置固定頻率振蕩器與頻率補償電 路，簡化了電路設計。 PWM 控 制 環 路 可 以
2020-05-26 14:06:30
，目前正從傳統工業制造和4C產業向新能源、電力機車、智能電網等領域發展。另外，不同的細分領域，對功率半導體器件的電壓承受能力要求也不一樣，以IGBT為例，消費電子電壓一般在600V以下，太陽能逆變器
2019-02-26 17:04:37
電路的功能是為了0.6v到40v之間調壓。芯片的工作電壓為38v,工作過程中運放發熱很嚴重。型號：TPA1882-SR。求大佬答疑
2024-12-10 10:56:45
。提出了一種在真實環境中實現控制回路測量的簡單方法，然后是使用標準計算工具的優化方法。用于現代電力電子設備的基于物理的可擴展SPICE建模方法現代電力電子技術涵蓋了廣泛的半導體器件類型，所有這些都在
2018-10-29 08:57:06
概述SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全保護
2022-06-10 15:16:08
了厚實的研發設計能力，同時還建立全流程的封裝測試產線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件產品。MDD致力滿足客戶高品質需求，目前產品
2022-11-11 11:50:23
、開關、反向恢復等）。動力總成總損耗可按各元件分析，并為各種不同的輸入和負載條件提供損耗和能效圖。 MOSFET損耗明細 詳細的損耗和能效分析 該工具的開發結合了安森美半導體工程師幾十年的電源訣竅
2018-10-16 06:48:49
例子在中低壓同步降壓轉換器領域，選擇合適的動力總成器件會是個艱巨和耗時的任務。鑒于此，安森美半導體的同步降壓型動力總成設計工具提供了完整的動力總成設計與分析，包括功率MOSFET、輸出電感、輸出電容
2018-10-23 09:03:57
? 至10m?）的分立MOSFET和模塊、用于電動汽車輔助系統的600至1200V智能功率模塊（IPM）、和用于泵及電機的各種40 V至60 V MOSFET。展望未來，安森美半導體電源方案部正擴展針對
2018-10-25 08:53:48
和NCL30161是安森美半導體較新的兩款DC-DC LED驅動器。NCL30161 LED驅動器適合于寬電壓應用，它可通過平均電流控制使LED紋波電流控制在平均電流的10%,輸出不需要濾波電容，而且支持PWM或
2018-09-29 16:45:10
外部器件的高性價比方案。安森美半導體還將展出新的NCD570x系列門極驅動器，具有高驅動電流以提供寶貴的、更高的系統能效，和充分集成多種保護功能的能力以增強安全性。安森美半導體的汽車產品陣容不斷擴展
2018-10-30 09:06:50
全球汽車市場發展整體向好，汽車中的半導體含量將持續增長，尤其是動力系統、照明、主動安全和車身應用領域。新能源汽車推動汽車動力系統中半導體成分增高約5倍。燃油經濟性、先進駕駛輔助系統(ADAS)、便利及信息娛樂系統，以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場，推動全球汽車半導體市場同比增長7%。
2020-05-04 06:30:06
導讀：目前，面臨為需求若渴的移動設備市場提供新功能壓力的設計人員正在充分利用全新亞芯片級封裝（sub-CSP）技術的優勢，使用標準IC來構建領先于芯片組路線圖的新設計。 安森美半導體
2018-09-29 16:50:56
位功能，可用于各種開關拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳，為設計人員防止半橋配置晶體管意外導通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
產品概述SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全
2022-05-20 14:12:46
) 或電動汽車 (EV) 牽引逆變器系統。40V 最低輸入電壓支持來自牽引電機的可再生制動的功能安全測試。該參考設計實現了一款碳化硅 (SiC) MOSFET，該器件具有用于降低開關損耗的高阻斷
2018-10-15 14:56:46
`描述此降壓同步直流/直流解決方案從 40V/42V 輸入提供 5V 輸出 (@20A)，可實現最大效率。特性帶有集成同步柵極驅動器的 TPS40170 控制 IC低柵極電荷 (Qg) NexFET
2015-05-11 14:23:04
想用運放實現1~-40V的脈沖電源，1到-40V的時間為2us，計算SR至少要求63V/us，看了下幾款車規級高壓運放，請問下使用LT1010可以實現嗎？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
謝謝！
2023-11-13 14:20:54
電子器件兩個名詞幾乎是同義詞，功率MOSFET的出現逐步改變了對功率半導體的傳統理解。原有的電力電子器件，基本上是一種服務于電力、大電機傳動和工業應用的器件。用電力來稱謂功率以后，使從事電力電子技術的人
2009-12-11 15:47:08
電源;PD快充、車充、無
線充電;鋰電池保護、電池化成;直流無刷電機驅動和控制、光伏逆變及新能源等應用領域。
砹德曼MOS 在PD車充的重點推薦型號
◆DCDC用MOSFET
AD30N54D3: 30V
2025-01-10 17:45:43
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
、升降壓設計 的單片集成電路，可工作在DC5V到40V輸 入電壓范圍，低紋波，內置功率MOS。XL6019內置固定頻率振蕩器與頻率補償電 路，簡化了電路設計。PWM 控 制 環 路 可 以 調 節 占
2020-04-08 14:44:39
40V，60V MOSFET可大幅簡化熱管理，從而節省成本。 一個典型的服務器電源的輸出電壓為12V，在100%輸出負載下，功率為600W至2400W，業界的標準做法是二次側采用同步整流器（即
2018-12-06 09:46:29
為了幫助解決引發溫室效應及全球變暖的汽車排放問題，飛思卡爾半導體現已在32位汽車微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技術。與飛思卡爾其它動力總成微控制器類似，這些MCU幫助減少二氧化碳廢氣，為新興市場提供經濟高效且精密的引擎控制設計。
2019-06-26 06:01:27
Maxim推出40V、1MHz DC-DC控制器
Maxim推出40V輸入DC-DC控制器MAX15046，器件集成了可靠的保護功能，即使在最嘈雜的工作環境中也能保證可靠的工作。該款高可靠性器件非常適
2010-01-12 09:26:03921 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)近日宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內的40V至100V汽車專用MOSFET組合。新系列MOSFET適合傳統內燃機(ICE)平臺以及微型混合動
2010-12-24 09:20:501312 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，該器件經專門設計以最大限度地減小傳導損耗和開關節點振鈴，并提升DC-DC轉換器的整體效率
2011-05-18 09:09:072359 全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為100V和150V PowerTrench? MOSFET系列器件增添了工業類型封裝選擇
2011-06-03 09:30:30904 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16897 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發出PowerTrench? MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設計的外形尺寸，并提供了所需的高效率。
2011-12-14 09:19:402851 飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor） 現為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關解決方案的需求。
2012-03-01 09:05:38813 快捷（Fairchild）開發出P通道、1.5伏特（V）專用PowerTrench薄型0.8毫米（mm）×0.8毫米WL-CSP金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）元件--，有助于可攜式裝置設計人員應付終端應用需要節省空
2012-05-31 10:30:071382 快捷半導體擴大PowerTrench? MOSFET系列產品陣容
提供更高的功率密度與提升開關電源的效率
中電壓MOSFET元件采用高性能矽片減低優化系數，提高同步整流應用的可靠性
2012-08-17 08:52:521234 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild （NASDAQ： FCS） 在2016年APEC上發布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。
2016-03-22 11:44:063657 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達+175°C，非常適合在高溫環境下工作。
2016-03-23 11:41:391350 The ISL78206 is an AEC-Q100 qualified 40V， 2.5A synchronous buck controller with a high-side MOSFET and low-side driver integrated.
2017-09-18 11:33:24
5 意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范
2019-01-25 07:15:011139 
演示電路1279是一款具有1.5A開關電流的全功能、多拓撲LED驅動器，內置LT3518。在升壓拓撲中，該板經優化使用介于輸入電壓和40V之間的總LED電壓驅動330mA LED串。輸入電壓范圍(VIN)是3V至30V，且為轉換開關(PVIN)供電的電源引腳具有3V至40V的輸入電壓范圍。?
2021-06-01 18:18:577 40V轉24V 20V；40V轉15V 12V 9V降壓電源芯片(電源技術應用期刊)-40V轉24V,20V；40V轉15V,12V,9V降壓電源芯片
2021-09-15 12:54:2832 40V轉5V 40V轉3.3V 40V轉3V降壓芯片和LDO芯片(通信電源技術 官網)-40V轉24V，40V轉20V，40V轉15V ，40V轉12V，40V轉9V，40V轉5V，40V轉3.3V，40V轉3V，40V轉1.8V，40V轉1.2V.
2021-09-15 12:56:2716 NP3P06MR(40V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:232636 
使用安森美半導體 40 V 和 80 V 汽車電源模塊的可靠開關性能建議（使用屏蔽柵極 MOSFET）
2022-11-15 20:20:220 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y24-40P
2023-02-20 19:06:230 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-40E
2023-02-20 19:58:171 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK9D23-40E
2023-02-23 19:05:410 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D23-40E
2023-02-23 19:05:580 新微半導體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對準工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:053564 
采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765 
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:451376 電子發燒友網站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-27 13:55:340 電子發燒友網站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-03 15:08:221 半導體場效應晶體管（MOSFET） 絕緣柵雙極晶體管（IGBT） 門極可關斷晶閘管（GTO） 靜電感應晶體管（SITH） 靜電感應晶閘管（SITHT） MOS控制晶閘管（MCT） 集成門極換向晶閘管（IGCT） 碳化硅MOSFET（SiC MOSFET） 二、全控型電力半導體器件的工
2024-08-14 16:00:094080 意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術的優勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應用場
2024-12-11 14:27:00971 意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:271025 電子發燒友網站提供《BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:16:000 電子發燒友網站提供《BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 11:31:090 電子發燒友網站提供《LTH004SQJ 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:58:540 電子發燒友網站提供《LTH004SQ 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:32:210 電子發燒友網站提供《LTH004SQ-X 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:34:440 電子發燒友網站提供《LTH004SQ-Z 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:30:510 電子發燒友網站提供《LTH004SR-4L-X 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 15:36:330 電子發燒友網站提供《LTH004SRU-4L 40V互補增強型功率MOSFET規劃書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 15:35:350 這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗。 *附件：CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11775 
這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換應用中的損耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:54:00758 
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用 一、引言 在電力電子技術飛速發展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動高效能電力轉換的關鍵器件
2025-06-10 08:38:54832 
作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破，其研發團隊持續創新，正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產品
2025-06-11 08:59:592502 
在數據中心、工業自動化及新能源領域，MOSFET的導通損耗與動態響應直接影響系統能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結合屏蔽柵技術，突破傳統性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導通電阻與300A持續電流能力，在高功率應用領域持續輸出。
2025-06-11 09:37:31754 
Nexperia（安世半導體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產品組合，該系列采用行業標準微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應用設計。
2025-09-12 09:38:45630 探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅動的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機驅動系統挑選合適的MOSFET至關重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188
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