意法半導體（ST）發佈碳化硅產品創新成果，協助系統廠商研發能夠將太陽能轉化成電網電能的高能效電子設備。
2012-09-19 15:59:40
1649 簽訂戰略合作協議，合作內容包含了基于某些客戶的需求，進行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導體模塊，及對應電機控制器的開發。本文即介紹臻驅對碳化硅功率模塊的開發、測試及系統評估。 Introduction 碳化硅功率半導體近年來在能源轉換
2020-11-24 11:51:472702 
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
位功能，可用于各種開關拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳，為設計人員防止半橋配置晶體管意外導通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
，封裝也是影響產品可靠性的重要因素。基本半導體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標準進行測試。目前碳化硅二級管產品已通過AEC-Q101測試，工業級1200V碳化硅MOSFET也在進行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
領域的創新步伐不斷加快，工程師們越來越多地在尋找新的解決方案，并對技術提出更多的要求，以滿足消費者和行業的需求。碳化硅半導體是滿足這些需求的優選答案，其本身也在不斷改進，以期提供與舊技術相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境?？?b class="flag-6" style="color: red">配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
模塊的可靠性和耐用性。低電感設計：電感值為6.7 nH，有助于降低系統中的電感效應，提高功率轉換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
2025-06-25 09:13:14
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
處于領先地位。氮化鎵功率半導體雖然適用性極高，但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監魏煒老師的講解，揭開這一技術領域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，獲得華大半導體有限公司投資，創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現相比硅元器件更高的工作溫度，實現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關管?！ ‘擳2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
的一大難點所在。3 多功能集成封裝技術3.1 多功能集成封裝技術碳化硅器件的出現推動了電力電子朝著小型化的方向發展，其中集成化的趨勢也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見，通過將瓷片電容盡可能靠近功率芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-14 15:24:584706 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-15 10:26:284910 SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32
148 7月29日，基本半導體碳化硅功率模塊裝車測試發車儀式在深圳成功舉行，搭載自主研發碳化硅模塊的測試車輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:332145 
基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動中
2021-11-29 14:54:089429 
新加坡科學技術研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和意法半導體(簡稱ST) 共同宣布，雙方將在汽車和工業市場電力電子設備用碳化硅 (SiC) 領域展開研發 (R&D) 合作。此次
2021-12-17 17:39:432752 12月30日，基本半導體位于無錫市新吳區的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產品成功下線。這是目前國內第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術，打造
2021-12-31 10:55:433454 
意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業應用
2022-01-17 14:13:294628 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，為世界排名前列的電源模塊系統廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅（SiC）技術。
2022-05-26 09:45:372791 為提升新能源汽車整體性能，全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導體。相較傳統硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機控制器的功率密度和效率，在降低電池成本、增加續航里程、縮短充電時間、減少整車重量等方面表現出了非凡的科技魅力，堪比功率半導體里的“學霸”。
2022-08-01 14:58:551638 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-08 17:04:032490 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-09 09:10:551480 企業法國 Soitec 半導體公司正式宣布，雙方在碳化硅襯底領域的合作邁入新階段，意法半導體將在未來 18 個月內對
2022-12-05 14:09:42929 
雙方同意對Soitec技術進行產前驗證， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關鍵半導體賦能技術，支持汽車電動化和工業系統能效提升等轉型目標 意法半導體(簡稱ST)和世界先驅的創新半導體材料設計制造
2022-12-08 12:22:481146 意法半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體器件。與傳統 TO 型封裝相比，意法半導體先進的ACEPACK SMIT 封裝能夠簡化組裝工序，提高模塊的功率密度。
2023-01-16 15:01:251612 
技術方面，意法半導體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術合作達成協議。意法半導體希望通過此次合作，使其未來200mm晶圓生產可以采用Soitec的Smart碳化硅技術。
2023-02-06 16:25:171392 與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯開關，從而提供了簡化和可靠的系統布局。 隨著新行業和產品采用電子和半導體，設計師和制造商正在尋找改進和更智能
2023-02-20 15:51:553 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導體等國內碳化硅功率器件供應商的產品批量應用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始投建
2023-02-21 09:26:452 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統的電子器件，由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現代半導體技術制造而成，可以實現高功率、高效率、高頻率的控制和開關，適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉換器等多種應用。
2023-02-25 15:03:224049 意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:512274 ? ? ?? 本報訊 6月7日，中國領先的化合物半導體公司三安光電與全球排名前列的半導體公司意法半導體聯合宣布：雙方已簽署協議，擬在中國重慶合資共同建立一個新的碳化硅器件制造工廠。同時，三安光電將在
2023-06-08 19:05:021041 
6月7日，中國領先的化合物半導體制造平臺三安光電與全球排名前列的半導體公司意法半導體聯合宣布：雙方已簽署協議，擬在中國重慶合資建立一個新的8英寸碳化硅器件制造工廠。同時，三安光電將在當地獨資建立一個
2023-06-09 08:37:421013 
三安光電近日宣布，將與國際功率半導體巨頭意法半導體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:03381 羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發展，一直在積極布局碳化硅業務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:011445 ?意法半導體和三安光電將成立一家合資制造廠，進行8英寸碳化硅(SiC)器件大規模量產?該合資廠將有助于滿足中國汽車電氣化、工業電力和能源等應用對意法半導體SiC器件日益增長的需求?該合資廠將采用ST
2023-07-31 17:19:201332 
近日，意法半導體與知名汽車Tier 1制造商博格華納達成了一項重要戰略合作協議。該協議旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件，以升級博格華納的車規功率模塊。
2023-09-06 10:07:01523 ? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? ?? 意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅 （ SiC ） 功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現
2023-09-07 08:10:011444 
意法半導體推出面向汽車應用的32引腳、雙列直插、模制、通孔ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊。這些組件專為車載充電器 (OBC)、DC/DC 轉換器、流體泵和空調等系統而設計，具有高
2023-10-26 17:31:321801 中國– 意法半導體發布了ACEPACK?DMT-32系列車規碳化硅(SiC)功率模塊，新系列產品采用便捷的 32 引腳雙列直插通孔塑料封裝，目標應用是車載充電機(OBC)、DC/DC直流變壓器、油液
2023-10-30 16:03:101264 意法半導體(STMicroelectronics)發布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊，采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封裝，適用于汽車應用。針對車載充電器 (OBC
2023-11-14 15:48:491786 目前，全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數據包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134 
龍頭廠商 理想汽車 簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。按照協議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。 隨著汽車行業電動化和綠色低碳轉型的持續深入，高壓純電動車因其能效更高、續航里
2023-12-22 08:20:011199 
12 月 22 日消息，據意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。
2023-12-24 10:35:241212 今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術。
2024-01-19 09:48:161639 
近日，國內領先的半導體企業芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰略合作協議。這一協議的達成，標志著雙方在SiC功率模塊領域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應用。
2024-03-15 09:44:431103 羅姆與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）襯底晶圓多年長期供貨協議基礎上，
2024-04-23 10:17:57957 ，SiCrystal公司將對意法半導體加大德國紐倫堡產的碳化硅襯底晶圓供應力度，預計協議總價不低于2.3億美元。 意法半導體
2024-04-26 11:30:001058 
、前端晶圓制造，乃至后端封測在內的全部研發生產環節，提升碳化硅產品的生產效率。 意法半導體將對這一項目累計投資 50 億歐元，意大利政府則將在《歐盟芯片法案》的框架內為該項目提供約 20 億歐元的資金支持。 意法半導體的新碳化硅工廠
2024-06-04 09:34:281497 近日，汽車電子領域的佼佼者意法半導體（簡稱ST）與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團宣布了一項重要合作。雙方已簽署碳化硅（SiC）器件的長期供應協議，標志著雙方在原有合作基礎上，對碳化硅器件的聯合研發與應用將邁入新的階段。
2024-06-04 14:30:471236 。 ??卡塔尼亞碳化硅產業園將實現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區內完成從芯片研發到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產，賦能汽車和工業客戶的電氣化進程和高能效轉型。 意法半導體（簡稱ST）宣布將在意大利卡塔
2024-06-06 09:15:261623 
近日，半導體行業的佼佼者意法半導體（STMicroelectronics）與領先的汽車制造商吉利汽車集團宣布簽署了一份長期碳化硅（SiC）供應協議。此舉不僅鞏固了雙方在SiC器件領域的現有合作，更標志著雙方合作關系的進一步深化。
2024-06-06 09:40:44994 全球半導體行業的領軍企業意法半導體（簡稱ST）近日宣布，將在意大利卡塔尼亞建立一座全新的綜合性大型制造基地，專注于8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模塊的制造、封裝、測試等全流程生產。這一重要舉措不僅體現了意法半導體在碳化硅技術領域的深厚實力，也標志著公司向全面垂直整合碳化硅產業鏈邁出了堅實的一步。
2024-06-07 18:07:053036 近日，中國半導體行業的佼佼者——基本半導體公司，再次在科技領域邁出堅實步伐。該公司自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通過了AEC-Q101車規級可靠性認證
2024-06-26 17:58:541640 近日，基本半導體自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規級可靠性認證，產品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環境下的嚴苛要求，至此公司獲車規級認證的碳化硅功率器件產品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191573 
意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195 ????????意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協議，保證安培碳化硅功率模塊的供應安全。
2024-12-05 10:41:211095 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。
2025-01-09 14:48:331280 電導率、高熱導率、高抗輻射能力、高擊穿電場和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環境，同時保持較高的電學性能。 二、碳化硅在半導體器件中的應用 功率器件 ： 碳化硅功率器件具
2025-01-23 17:09:352673 三安光電和意法半導體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導體有限公司，簡稱安意法)，全面落成后預計總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預計將在2025年四季度投產，屆時將成為國內首條8英寸車規級碳化硅功率芯片規?；慨a線。
2025-02-27 18:12:341594 2月27日，三安光電與意法半導體在重慶合資設立的安意法半導體碳化硅晶圓廠正式通線。預計項目將在2025年四季度實現批量生產，這將成為國內首條8英寸車規級碳化硅功率芯片規?；慨a線，項目規劃全面達產
2025-02-27 18:45:104673 近日，三安光電與意法半導體在重慶合資設立的安意法半導體碳化硅晶圓工廠正式通線，預計2025年四季度批量生產，形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應，結合過去二十年合資汽車和自主品牌的此消彼長發展歷程，不難看出國產碳化硅功率半導體必須走自立自強與突圍之路：從合資依賴到自主創新的路徑分析。
2025-03-01 16:11:141016 SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業自主可控和產業升級！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37768 日前，服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（ST）與重慶郵電大學在重慶安意法半導體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產業發展論壇”上正式簽署產學研戰略合作協議。
2025-03-21 09:39:241358 在半導體技術的不斷演進中，功率半導體器件作為電力電子系統的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當前市場上
2025-04-02 10:59:415545 
本文聚焦于先進碳化硅（SiC）功率半導體封裝技術，闡述其基本概念、關鍵技術、面臨挑戰及未來發展趨勢。碳化硅功率半導體憑借低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性，在移動應用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:331497 
SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮：國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC碳化硅功率半導體企業的崛起與技術突破 1.1 國產SiC碳化硅功率半導體企業從Fabless
2025-06-07 06:17:30912 基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141298 
基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊，產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術，在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上，通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03983 
博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及分銷商，產品
2025-12-12 14:14:06565 汽車產業鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向，代理并力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面
2025-12-24 06:54:12348 
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