在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中，熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后，工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級系列非常重要
2022-11-18 09:42:25
1468 LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
2025-02-24 11:24:001032 
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-25 15:36:121007 
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 09:23:45978 
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 11:33:591090 
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:002049 貿(mào)澤電子即日起開售Laird Connectivity帶功率放大器的BL654PA模塊。
2019-11-13 14:48:232713 貿(mào)澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （FRAM） 和高密度電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （ReRAM） 產(chǎn)品。
2021-12-13 14:06:531354 
(PFC)級。該 PFC 級 具有 配備集成式驅(qū)動(dòng)器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
LMG341xR050 半 H 橋驅(qū)動(dòng)器（內(nèi)部 FET） 電源管理 評估板
2024-03-14 23:22:15
下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術(shù)融入到電源
2018-09-11 14:04:25
全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
解決方案來簡化您的設(shè)計(jì)，提高功率密度和可靠性了。在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合。 更多電源類博文更多充電類產(chǎn)品TI更多視頻培訓(xùn)原文鏈接：https
2019-07-29 04:45:02
。 圖1：四開關(guān)降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器功率級布局和原理圖在筆者看來，這些都是設(shè)計(jì)高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器時(shí)所面臨的挑戰(zhàn)： 組件技術(shù)。組件技術(shù)的進(jìn)步是降低整體功耗的關(guān)鍵，尤其在較高的開關(guān)頻率下對濾波器無源組件
2018-09-05 15:24:36
中央處理器（CPU）內(nèi)核電源的高功率密度穩(wěn)壓器模塊TI Designs參考設(shè)計(jì)。電感器置頂?shù)母?b class="flag-6" style="color: red">功率密度12Vin、100W同步DC/DC步降（降壓）型轉(zhuǎn)換器TI Designs參考設(shè)計(jì)。訂購高密度
2018-09-05 15:24:34
高密度FIFO器件在視頻和圖像領(lǐng)域中的應(yīng)用是什么
2021-06-02 06:32:43
需求：人數(shù)較多，大概有60多人，平時(shí)大家都用手機(jī)連接wifi 哪個(gè)牌子的無線AP好用，要室內(nèi)的，謝謝自己看了豐潤達(dá)的一種雙頻的AP。聽說雙頻的適合高密度接入，是么？
2016-07-25 17:45:55
高密度服務(wù)器播放 rtsp 流出現(xiàn)斷連情況驗(yàn)證
2023-09-18 07:14:50
的范例涉及功率級組件的放置和布線。精心的布局可同時(shí)提高開關(guān)性能、降低組件溫度并減少電磁干擾（EMI）信號。請細(xì)看圖1中的功率級布局和原理圖。圖1：四開關(guān)降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器功率級布局和原理圖 在筆者看來，這些都是設(shè)計(jì)高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器時(shí)所面臨的挑戰(zhàn)： 組件技術(shù)。組件技術(shù)的進(jìn)步是降低整體功耗的關(guān)鍵，尤…
2022-11-18 06:23:45
/L，效率96.8%），支持20分鐘快充。數(shù)據(jù)中心：通過高功率密度設(shè)計(jì)降低PUE（能源使用效率），如英特爾數(shù)據(jù)中心12V電源采用GaN后PUE降至1.08。與傳統(tǒng)硅基方案的對比：
硅基IGBT功率模塊
2025-10-22 09:09:58
、VTM48EF060T040A00、VTM48EF040T050B00 等停產(chǎn)型號，以及 ADI、TI 等品牌在高密度、大功率電源模塊領(lǐng)域的類似規(guī)格產(chǎn)品。MPN541382-PV核心參數(shù)輸入電壓范圍高壓側(cè)：40 V
2025-12-11 10:02:24
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場上可實(shí)現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率，從而
2024-03-06 16:51:58
DN409 - 三路輸出三相控制器節(jié)省了空間，并改善高密度功率轉(zhuǎn)換器性能
2019-07-29 12:48:33
3410R070 氮化鎵 (GaN)。此電源拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">支持雙向潮流（PFC 和并網(wǎng)逆變器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并減小電源尺寸。該設(shè)計(jì)可利用切相和自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間提高效率，通過輸入電容補(bǔ)償方案提高輕
2023-01-17 09:51:23
請問關(guān)于高密度布線技術(shù)有什么要求？
2021-04-25 06:26:34
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
器件高密度BGA封裝設(shè)計(jì)引言隨著可編程器件(PLD) 密度和I/O 引腳數(shù)量的增加，對小封裝和各種封裝形式的需求在不斷增長。球柵陣列(BGA) 封裝在器件內(nèi)部進(jìn)行I/O 互聯(lián)，提高了引腳數(shù)量和電路板
2009-09-12 10:47:02
功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F2...
2022-01-20 07:36:11
描述高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級
2018-10-25 11:49:58
更高的功率密度。GaN的時(shí)代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
如何去設(shè)計(jì)一款能適應(yīng)高密度FPGA的配置？
2021-04-08 06:07:38
如何去面對高速高密度PCB設(shè)計(jì)的新挑戰(zhàn)？
2021-04-23 06:18:11
本文旨在介紹一種全新的多內(nèi)核平臺，其能夠通過優(yōu)化內(nèi)核通信、任務(wù)管理及存儲(chǔ)器接入實(shí)現(xiàn)高密度視頻處理能力，此外，本文還闡述了擴(kuò)展實(shí)施的結(jié)果如何支持多通道和多內(nèi)核 HD 視頻應(yīng)用的高密度視頻處理。
2021-06-01 06:20:28
，顯示畫面更加清晰、細(xì)膩。在顯示標(biāo)準(zhǔn)的高清圖像時(shí)，可以完全達(dá)到分辨率的要求。如果高密度燈管價(jià)格越來越低，勢必高密度LED顯示屏將在室內(nèi)視頻監(jiān)控領(lǐng)域占有更大市場。 高密度LED顯示屏具備高清顯示、高刷新
2019-01-25 10:55:17
。您可使用LMG3410設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器，進(jìn)行快速切換，以提高效率，具有低壓過沖，并可減少電磁干擾（EMI）。TI的LMG3410 GaN功率級使得電源設(shè)計(jì)人員能夠開發(fā)更高密度和更高效率的電源。與具有過流
2019-08-26 04:45:13
可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個(gè)無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會(huì)討論到如何用一個(gè)Hercules微控制器來驅(qū)動(dòng)它。圖1
2022-11-17 06:56:35
FPGA 的 60W~72W 高密度電源的電氣性能、熱性能及布局設(shè)計(jì)之深入分析
2019-06-14 17:13:29
上電，我們馬上開始。
你可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個(gè)無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會(huì)討論到如何用一個(gè)
2018-08-31 07:15:04
設(shè)備特別適合適用于低電壓應(yīng)用，如手機(jī)和筆記本電腦計(jì)算機(jī)電源管理和其他電池供電電路在高側(cè)開關(guān)，低線內(nèi)功率損耗需要在一個(gè)非常小的外形表面貼裝封裝特征● RDS（開）≦ 米?@VGS=10伏● 超高密度單元
2021-07-08 09:35:56
1000V100A30KW高壓高密度程控直流電源支持60臺電源級聯(lián)操作，具有高功率因數(shù)、高轉(zhuǎn)換效率、高精確度、高穩(wěn)定度、高可靠度、低紋波、低噪音、小體積（高密度）、極速響應(yīng)等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體
2021-12-29 08:23:41
本文介紹高速高密度PCB設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)問題（信號完整性、電源完整性、EMC /EM I和熱分析）和相關(guān)EDA技術(shù)的新進(jìn)展，討論高速高密度PCB設(shè)計(jì)的幾種重要趨勢。
2021-04-25 07:07:17
改善功率密度，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級設(shè)計(jì)可廣泛應(yīng)用于眾多需要快速響應(yīng)的空間受限型應(yīng)用，例如 5G 電信電源、服務(wù)器和工業(yè)電源。主要特色基于 GaN 的緊湊型功率級設(shè)計(jì)，具有高達(dá)
2018-10-17 15:39:59
) 12 Rating Catalog TI GaN 工藝通過了實(shí)際應(yīng)用硬開關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測試 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì) 與共源共柵或
2022-12-20 15:04:12
Rating Catalog TI GaN 工藝通過了實(shí)際應(yīng)用硬開關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測試 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì) 與共源共柵或獨(dú)立 Ga
2022-12-20 15:04:12
隨著數(shù)字電子產(chǎn)品向高速高密度發(fā)展，SI問題逐漸成為決定產(chǎn)品性能的因素之一，高速高密度PCB設(shè)計(jì)必須有效應(yīng)對SI問題。在PCB級，影響SI的3個(gè)主要方面是互聯(lián)阻抗不連續(xù)引起的反射、鄰
2011-09-09 11:00:09
0 實(shí)現(xiàn)下一代高密度電源轉(zhuǎn)換 ，小電源的內(nèi)容。
2016-01-06 18:00:090 PI31xx系列 高密度隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器
2016-01-06 17:52:320 關(guān)于電源設(shè)計(jì)的，關(guān)于 實(shí)現(xiàn)下一代高密度電源轉(zhuǎn)換
2016-06-01 17:48:0622 GaN產(chǎn)品應(yīng)用于可靠和高密度電源的設(shè)計(jì)
2018-08-16 00:55:003952 驅(qū)動(dòng)器可為要求速度的應(yīng)用提供高效率、高性能的設(shè)計(jì)，適用于LiDAR、飛行時(shí)間激光貿(mào)澤電子供應(yīng)的Texas Instruments LMG1020低側(cè)GAN驅(qū)動(dòng)器，專為高速驅(qū)動(dòng)GaN FET和邏輯電平
2018-11-03 10:47:001969 TI公司的LMG3410R050是具有過流保護(hù)的600-V 50-mΩGaN功率放大級,比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)以降低開關(guān)損耗達(dá)80%之多,以及低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴
2019-04-18 14:34:052746 
）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:062913 TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。
2020-05-29 16:39:073441 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:42:246 Cyntec高密度uPOL模塊是款非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高達(dá)6A的輸出電流。PWM開關(guān)調(diào)節(jié)器和高頻功率電感集成在一個(gè)混合封裝中。 Cyntec高密度uPOL模塊根據(jù)載荷開機(jī)自動(dòng)運(yùn)行，具備PWM
2021-10-29 09:24:342510 細(xì)看圖1中的功率級布局和原理圖。
?
?
圖1：四開關(guān)降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器功率級布局和原理圖
?
在筆者看來，這些都是設(shè)計(jì)高密度DC/
2021-11-24 14:20:442077 )級。PFC級具有集成驅(qū)動(dòng)器的LMG341x GaN FET，可在較寬的負(fù)載范圍內(nèi)提供更高的效率，并滿足80多種鈦的要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋LLC隔離式DC / DC級，以實(shí)現(xiàn)1kW的+ 12V直流輸出。兩...
2021-11-10 12:36:0310 由于 eGaN FET 和 IC 具有緊湊的尺寸、超快速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻，因此能夠?qū)崿F(xiàn)非常高密度的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。大多數(shù)高密度轉(zhuǎn)換器中輸出功率的限制因素是結(jié)溫，這促使需要更有效的熱設(shè)計(jì)。eGaN
2022-08-09 09:28:161539 
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn)，并在實(shí)際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實(shí)施高功率解決方案，并提供應(yīng)用示例，展示 GaN 器件如何在超過 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:133008 
配線架安裝方法： 一般而言，安裝高密度光纖配線架主要有三個(gè)步驟：將高密度光纖配線箱安裝在機(jī)架上、將光纖跳線引入高密度光纖配線架以及將光纖跳線分布在高密度光纖配線箱內(nèi)，以下是三個(gè)主要步驟的詳細(xì)介紹以及在安裝過程
2022-09-01 10:18:402757 的才是最好的。高密度配線架怎樣選擇正確的型號?科蘭通訊為您解答。 ? 高密度配線架可以在1U的機(jī)架空間內(nèi)提供144個(gè)LC連接密度。對于某些用戶來說，如此超高密度的好處多多，因?yàn)檫@些用戶機(jī)房內(nèi)的導(dǎo)向器幾乎占據(jù)了機(jī)柜中所有的
2022-09-01 10:49:12682 PFC來取代輸入整流橋可以提高效率。 通過在圖騰柱PFC架構(gòu)中使用SiC MOSFET ，有可能實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率，因?yàn)樵谶@個(gè)功率水平上，開關(guān)頻率比其他方案高得多。了解 安森美（onsemi）的圖騰柱PFC和LLC電源方案如何應(yīng)對高密度設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) ，報(bào)名參加第
2023-02-20 21:55:063027 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動(dòng)它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動(dòng) LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:412479 
高密度互連 (HDI) 需求主要來自于芯片供應(yīng)商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規(guī)過孔。
2023-06-01 16:43:581194 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度布線設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-01 15:21:431 高密度互連印刷電路板：如何實(shí)現(xiàn)高密度互連 HDI
2023-12-05 16:42:391817 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 15:27:070 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有過流保護(hù)功能的LMG341xR050 600V 50mΩ集成式GaN功率級數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 11:33:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的LMG341xR150 600V 150mΩ GaN數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 11:19:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的LMG341xR070 600V 70mΩ GaN數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 11:18:300 配線架的詳細(xì)解析： 一、定義與功能 定義：MPO配線架通過將一個(gè)連接器上實(shí)現(xiàn)多芯光纖的連接，大大提高了連接密度，實(shí)現(xiàn)了高密度、高效率的光纖連接。 功能：主要用于數(shù)據(jù)中心的光纖主干連接及配線管理，支持高速數(shù)據(jù)傳輸和交換，具備高度的可擴(kuò)展性和靈活性。 二、
2024-09-10 10:05:411468 的數(shù)據(jù)，并且支持在時(shí)鐘信號的上升沿和下降沿都進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，從而實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)傳輸速率的倍增。高密度DDR芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，采用了先進(jìn)的納 米級制程技術(shù)和多層布線技術(shù)。芯片內(nèi)部集成了大量的存儲(chǔ)單元、控制邏輯、I/O接口和時(shí)鐘電路等，能夠?qū)崿F(xiàn)高速、高效的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和訪問。
2024-11-05 11:05:051644 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LMG3626EVM-074 USB-C PD高密度準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-11-09 14:46:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LMG3624EVM-081 65W USB-C PD高密度準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-11-09 14:47:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LMG3622EVM-082 65W USB-C PD高密度準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-12-06 16:05:122 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AI革命的高密度電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:03:321 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度400W DC/DC電源模塊，集成平面變壓器和半橋GaN IC.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:39:5312 LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 10:54:37798 
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 13:42:42726 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 17:46:47745 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
2025-02-24 13:32:11727 
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG341x 半橋板（如 LMG3410-HB-EVM）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過提供功率級、偏置電源和邏輯電路，該 EVM 允許
2025-02-26 09:33:221011 LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 13:44:16615 
、模塊化、以及便捷的跳纖操作，適用于數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡(luò)、企業(yè)網(wǎng)絡(luò)等需要大規(guī)模光纖管理的場景。 高密度ODF的特點(diǎn) 高密度設(shè)計(jì) 節(jié)省空間：高密度ODF支持大量光纖的集中管理，減少了設(shè)備占地面積，適用于機(jī)房空間有限的場景。 模塊化結(jié)構(gòu)：采用模塊化設(shè)計(jì)，方便安裝、維
2025-04-14 11:08:001582 高度)可集成數(shù)百個(gè)光纖或銅纜端口(如MPO高密度配線架支持1U/96芯以上)。 空間利用率：通過模塊化設(shè)計(jì)(如MPO連接器集成多芯光纖)和緊湊結(jié)構(gòu)，顯著提升機(jī)柜空間利用率，適合數(shù)據(jù)中心等對空間敏感的場景。 中密度配線架 端口密度：每單位空間
2025-06-13 10:18:58700 Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:20:47820 
Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:29:38770 
與大型系統(tǒng)配合使用。該評估板設(shè)有必要的功率級和柵極驅(qū)動(dòng)高頻電流環(huán)路，可最大限度地降低電源環(huán)路寄生電感，減少電壓過沖，并提高性能。Texas Instruments LMG342XEVM-04X配置為插座式外部連接，可輕松連接外部功率級，從而在各種應(yīng)用中運(yùn)行LMG342XR0X0。
2025-09-11 09:39:37682 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統(tǒng)評估板是一款簡單易用的分線板，用于將任何LMG341x半橋板（例如LMG3410-HB-EVM）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。該
2025-09-26 11:14:31549 
燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01116
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論