該LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET半橋。該LMG2656通過在6mm x 8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、柵極驅動器、自舉FET和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計，減少了元件數量，并減少了電路板空間。

可編程導通壓擺率提供 EMI 和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真降低了功耗，并允許將低側導熱墊連接到PCB電源接地。
*附件：lmg2656.pdf

高側 GaN 功率 FET 可以通過低側參考柵極驅動引腳 （INH） 或高側參考柵極驅動引腳 （GDH） 進行控制。在具有挑戰性的電源開關環境中，高側柵極驅動信號電平轉換器可靠地將 INH 引腳信號傳輸到高側柵極驅動器。智能開關GaN自舉FET無二極管正向壓降，避免了高側電源過充電，并且反向恢復電荷為零。

該LMG2656支持轉換器輕載效率要求和突發模式作，具有低靜態電流和快速啟動時間。保護功能包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 （UVLO）、逐周期電流限制和過溫關斷。超低壓擺率設置支持電機驅動應用。

特性

• 650V GaN功率-FET半橋
• 230mΩ低側和高側GaN FET
• 集成柵極驅動器，具有 <100ns 的低傳播延遲
• 可編程導通壓擺率控制
• 具有高帶寬和高精度的電流檢測仿真
• 低側參考 （INH） 和高側參考 （GDH） 高側柵極驅動引腳
• 低側 （INL） / 高側 （INH） 柵極驅動聯鎖
• 高側 （INH） 柵極驅動信號電平轉換器
• 智能開關自舉二極管功能
• 高側啟動：<8μs
• 低側/高側逐周期過流保護
• 過溫保護
• AUX空閑靜態電流：250μA
• AUX待機靜態電流：50μA
• BST 空閑靜態電流：70μA
• 8mm × 6mm QFN 封裝，帶雙導熱墊

參數

方框圖

?1. 產品概述?
LMG2656是德州儀器（TI）推出的高集成度650V/230mΩ氮化鎵（GaN）半橋功率器件，集成功率FET、柵極驅動器、電流感應仿真、電平轉換器和自舉二極管功能，采用8mm×6mm QFN封裝。主要面向AC/DC適配器、充電器、輔助電源及電機驅動等應用。

?2. 核心特性?

• ?電氣參數?
  • 650V耐壓，低/高邊GaN FET導通電阻均為230mΩ（典型值@25°C）。
  • 集成柵極驅動器，傳播延遲<100ns，支持可編程導通斜率控制（4檔可調）。
  • 高精度電流感應仿真功能，帶寬高且無需外部分流電阻。
• ?保護功能?
  • 低/高邊逐周期過流保護（閾值3.5–4.3A）。
  • 過溫保護（閾值150–165°C）。
  • 低/高邊欠壓鎖定（UVLO）及互鎖邏輯。
• ?能效優化?
  • 待機靜態電流低至50μA（AUX），支持輕載能效需求。
  • 自舉GaN FET無二極管壓降，提升充電效率。

?3. 應用設計支持?

• ?典型應用電路?
  • LLC諧振轉換器（140W示例）、AHB轉換器（65W示例）及電機驅動（5A示例）。
  • 提供布局指南，強調功率環路最小化及信號地分離。
• ?關鍵設計要點?
  • ?自舉電路?：建議BST-SW電容≥10nF，AUX電容≥3倍BST電容。
  • ?電流感應?：CS引腳輸出增益1.415mA/A，需外接電阻轉換為電壓信號。
  • ?散熱設計?：雙面散熱焊盤，推薦PCB熱阻θJA為23°C/W。

?4. 封裝與訂購信息?

• 19引腳VQFN封裝（RFB），符合RoHS標準，MSL3級濕度敏感。
• 型號示例：LMG2656RFBR（卷帶包裝，2000片/卷）。

?5. 文檔支持?

• 包含詳細電氣特性表、開關參數測試方法及典型性能曲線。
• 提供機械封裝圖紙（如RFB0019A）、焊盤布局示例及鋼網設計建議。

該手冊為設計高密度、高效率電源系統提供完整解決方案，強調GaN技術在高頻、高壓應用中的優勢。