該LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET半橋。該LMG2656通過在6mm x 8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、柵極驅(qū)動器、自舉FET和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器,簡化了設(shè)計,減少了元件數(shù)量,并減少了電路板空間。
可編程導(dǎo)通壓擺率提供 EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比,低側(cè)電流檢測仿真降低了功耗,并允許將低側(cè)導(dǎo)熱墊連接到PCB電源接地。
*附件:lmg2656.pdf
高側(cè) GaN 功率 FET 可以通過低側(cè)參考柵極驅(qū)動引腳 (INH) 或高側(cè)參考柵極驅(qū)動引腳 (GDH) 進(jìn)行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開關(guān)環(huán)境中,高側(cè)柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器可靠地將 INH 引腳信號傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動器。智能開關(guān)GaN自舉FET無二極管正向壓降,避免了高側(cè)電源過充電,并且反向恢復(fù)電荷為零。
該LMG2656支持轉(zhuǎn)換器輕載效率要求和突發(fā)模式作,具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間。保護功能包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過溫關(guān)斷。超低壓擺率設(shè)置支持電機驅(qū)動應(yīng)用。
特性
- 650V GaN功率-FET半橋
- 230mΩ低側(cè)和高側(cè)GaN FET
- 集成柵極驅(qū)動器,具有 <100ns 的低傳播延遲
- 可編程導(dǎo)通壓擺率控制
- 具有高帶寬和高精度的電流檢測仿真
- 低側(cè)參考 (INH) 和高側(cè)參考 (GDH) 高側(cè)柵極驅(qū)動引腳
- 低側(cè) (INL) / 高側(cè) (INH) 柵極驅(qū)動聯(lián)鎖
- 高側(cè) (INH) 柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器
- 智能開關(guān)自舉二極管功能
- 高側(cè)啟動:<8μs
- 低側(cè)/高側(cè)逐周期過流保護
- 過溫保護
- AUX空閑靜態(tài)電流:250μA
- AUX待機靜態(tài)電流:50μA
- BST 空閑靜態(tài)電流:70μA
- 8mm × 6mm QFN 封裝,帶雙導(dǎo)熱墊
參數(shù)
方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
LMG2656是德州儀器(TI)推出的高集成度650V/230mΩ氮化鎵(GaN)半橋功率器件,集成功率FET、柵極驅(qū)動器、電流感應(yīng)仿真、電平轉(zhuǎn)換器和自舉二極管功能,采用8mm×6mm QFN封裝。主要面向AC/DC適配器、充電器、輔助電源及電機驅(qū)動等應(yīng)用。
?2. 核心特性?
- ?電氣參數(shù)?
- 650V耐壓,低/高邊GaN FET導(dǎo)通電阻均為230mΩ(典型值@25°C)。
- 集成柵極驅(qū)動器,傳播延遲<100ns,支持可編程導(dǎo)通斜率控制(4檔可調(diào))。
- 高精度電流感應(yīng)仿真功能,帶寬高且無需外部分流電阻。
- ?保護功能?
- 低/高邊逐周期過流保護(閾值3.5–4.3A)。
- 過溫保護(閾值150–165°C)。
- 低/高邊欠壓鎖定(UVLO)及互鎖邏輯。
- ?能效優(yōu)化?
- 待機靜態(tài)電流低至50μA(AUX),支持輕載能效需求。
- 自舉GaN FET無二極管壓降,提升充電效率。
?3. 應(yīng)用設(shè)計支持?
- ?典型應(yīng)用電路?
- LLC諧振轉(zhuǎn)換器(140W示例)、AHB轉(zhuǎn)換器(65W示例)及電機驅(qū)動(5A示例)。
- 提供布局指南,強調(diào)功率環(huán)路最小化及信號地分離。
- ?關(guān)鍵設(shè)計要點?
- ?自舉電路?:建議BST-SW電容≥10nF,AUX電容≥3倍BST電容。
- ?電流感應(yīng)?:CS引腳輸出增益1.415mA/A,需外接電阻轉(zhuǎn)換為電壓信號。
- ?散熱設(shè)計?:雙面散熱焊盤,推薦PCB熱阻θJA為23°C/W。
?4. 封裝與訂購信息?
- 19引腳VQFN封裝(RFB),符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),MSL3級濕度敏感。
- 型號示例:LMG2656RFBR(卷帶包裝,2000片/卷)。
?5. 文檔支持?
- 包含詳細(xì)電氣特性表、開關(guān)參數(shù)測試方法及典型性能曲線。
- 提供機械封裝圖紙(如RFB0019A)、焊盤布局示例及鋼網(wǎng)設(shè)計建議。
該手冊為設(shè)計高密度、高效率電源系統(tǒng)提供完整解決方案,強調(diào)GaN技術(shù)在高頻、高壓應(yīng)用中的優(yōu)勢。
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