LMG1210是一款200V半橋高性能氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）驅動器，專為要求高開關速度，最短死區時間LDA精確控制至5V。

LMG1210 GaN驅動器經精心設計，應用中，并具有可提供超高頻可調節死區時間功能，極短的傳播延遲以及1.5ns高側/低側匹配，以優化系統效率。

GaN FET上額外的寄生電容被最小化至小于1pF，以減少額外的開關損耗。外部自舉二極管用于對高側自舉電容器充電，以便提供適用于電路工作條件的最佳選擇。

當低側不導通時，內部開關會關閉自舉二極管，以有效防止高側自舉過度充電，并在將硅二極管用作自舉二極管時將反向恢復電荷降至最低。

GaN驅動器可在兩種不同的模式下工作：獨立輸入模式（IIM）和PWM模式。在IIM中，每個輸出都由專用輸入獨立控制。在PWM模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產生，用戶可將每個沿的死區時間從0ns調節為20ns.LMG1210可在-40 °C至125°C的寬溫度范圍內運行，并采用低電感WQFN封裝。