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電子發燒友網>新品快訊>德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅動器

德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅動器

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UCC21540 5.7kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC2154x 是一款隔離雙通道柵極驅動器系列,具有高達 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅動功率 MOSFETIGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距,從而實現更高的總線電壓。
2025-05-24 10:10:00653

UCC21520 5.7kVRMS 4A/6A 雙通道隔離柵極驅動器,具有雙輸入和禁用引腳數據手冊

UCC21520 是一款隔離雙通道柵極驅動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設計用于驅動高達 5MHz 的功率 MOSFETIGBT 和 SiC MOSFET。 輸入側通過
2025-05-19 15:34:431495

UCC21521 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC21521 是一款隔離雙通道柵極驅動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅動高達 5MHz 的功率 MOSFETIGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的傳播延遲和脈
2025-05-19 14:27:00788

UCC20520 5.7-kVrms, 4-A/6-A雙通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC20520 是一款隔離單輸入、雙通道柵極驅動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅動高達 5MHz 的功率 MOSFETIGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的傳播
2025-05-19 14:21:04568

UCC21520-Q1 具有雙輸入、禁用、死區時間的汽車類 4A、6A、5.7kVRMS 隔離雙通道柵極驅動器數據手冊

UCC21520-Q1 是一款隔離雙通道柵極驅動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設計用于驅動高達 5MHz 的功率 MOSFETIGBT 和 SiC MOSFET。 輸入
2025-05-19 10:25:291329

UCC21222 3.0kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC21222 是隔離雙通道柵極驅動器系列,具有可編程死區時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計,可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。
2025-05-19 09:53:24703

UCC5390-Q1 汽車級 17-A 5kv RMS 單通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC5390-Q1 是一款單通道隔離柵極驅動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流,設計用于驅動 MOSFETIGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 為基準,這有利于雙極電源并優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性。
2025-05-17 11:36:49897

UCC5350-Q1 汽車類 ±5A 單通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC5350-Q1 是一款單通道隔離柵極驅動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設計用于驅動 MOSFETIGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350-Q1 可選擇
2025-05-17 10:12:061168

UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS,4A/6A雙通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC21540-Q1 器件是一款隔離雙通道柵極驅動器,具有可編程死區時間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現出一致的性能和穩健性。它采用 4 A 峰值拉電流和 6 A 峰值灌電流設計,可驅動功率 MOSFETIGBT 和 GaN 晶體管。
2025-05-17 10:04:39778

UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離柵極驅動器,具有 2 級關斷功能,用于 IGBT/SiC FET數據手冊

UCC21732 是一款電流隔離單通道柵極驅動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFETIGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21732具有
2025-05-16 18:00:09807

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅動器數據手冊

UCC5870-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的單通道柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻的過流
2025-05-16 17:32:51728

UCC21710 5.7kVrms ±10A,單通道隔離柵極驅動器,帶 OC 檢測,用于 IGBT/SiC 的內部箝位數據手冊

UCC21710 是一款電隔離單通道柵極驅動器,旨在驅動高達 1700V 的 SiC MOSFETIGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態性能和穩健性。UCC21710具有高達 ±10A
2025-05-16 17:26:07842

UCC23513-Q1 汽車級 5.7kVrms,4A/5A 單通道光兼容隔離柵極驅動器數據手冊

UCC23513-Q1 驅動器是適用于 IGBTMOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅動器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV
2025-05-16 14:53:21718

UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車級 10A 隔離單通道柵極驅動器數據手冊

UCC21737-Q1 是一款電流隔離單通道柵極驅動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFETIGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。該器件具有高達
2025-05-16 14:34:01780

UCC5871-Q1 具有高級保護功能的汽車類 30A 隔離 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅動器數據手冊

UCC5871-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的單通道柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻的過流
2025-05-16 14:02:45593

UCC21756-Q1 具有主動保護和 iso 的汽車級 ±10A 隔離單通道柵極驅動器數據手冊

UCC21756-Q1 是一款電流隔離單通道柵極驅動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFETIGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21756-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。
2025-05-16 13:56:59707

UCC21551-Q1 汽車級 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離雙通道柵極驅動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計,用于驅動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 11:38:18691

UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC21717-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅動器,設計用于驅動高達 1700V 的 SiC MOSFETIGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態性能和穩健性。UCC21717-Q1
2025-05-16 11:07:10697

UCC23113 具有功能隔離 (1.2kVRMS) 的 4A/5A 單通道光兼容隔離柵極驅動器數據手冊

UCC23113 適用于 IGBTMOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅動器,具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V
2025-05-16 10:49:24628

UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保護的汽車類 10A 單通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC21738-Q1 是一款電流隔離單通道柵極驅動器,專為工作電壓高達 2121V 直流的 SiC MOSFETIGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。該器件具有高達
2025-05-16 10:12:06615

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC21551x 是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離雙通道柵極驅動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計,用于驅動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:51:30554

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離柵極驅動器,具有用于IGBT的DIS和DT引腳數據手冊

UCC21550-Q1 是隔離雙通道柵極驅動器系列,具有可編程死區時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計,可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:30:59664

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC21550 是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離雙通道柵極驅動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計,可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:17:06914

UCC5880-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離柵極驅動器數據手冊

UCC5880-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流電阻
2025-05-15 16:48:57870

UCC23525 具有12V UVLO的 5A/5A、5.7kVRMS、增強型單通道光兼容隔離柵極驅動器數據手冊

UCC23525驅動器是適用于 IGBTMOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅動器,具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 5kVRMS 增強型隔離
2025-05-15 16:43:47892

UCC5881-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離柵極驅動器數據手冊

UCC5881-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流電阻
2025-05-15 11:32:02821

UCC5350L-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 ±10A 單通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離柵極驅動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設計用于驅動 MOSFETIGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350L-Q1
2025-05-15 11:00:09865

德州儀器推出全新功能隔離調制

德州儀器的新模擬產品能以超高的分辨率精準測量電流和電壓,從而讓機器人可以執行精細復雜的任務。
2025-04-28 13:50:58919

IGBT 柵極驅動器:電力電子系統的核心組件

開關電源應用中的首選。而IGBT柵極驅動器作為控制和驅動IGBT的核心器件,其重要性愈發顯著。IGBT柵極驅動器的結構剖析1.輸入端:信號接收的關鍵IGBT柵極驅動
2025-04-27 15:45:02693

Leadway電源模塊和TI德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優勢?

Leadway電源模塊和TI德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優勢?Leadway電源模塊提供高性能、高可靠性的國產電源解決方案,以其高效率、寬輸入電壓范圍和緊湊封裝為特點。擅長替代TI
2025-04-14 10:17:47

德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現代數據中心的保護級別、功率密度和效率水平

的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝,將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動器與先進的保護功能相結合。 中國上海(2025 年4 月 9 日)— 德州儀器 (TI)(納斯達克股票代碼:TXN)于今日推出新款電源管理芯片,以滿足現代數據中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工
2025-04-09 14:38:46516

33V單通道數字隔離柵極驅動器 拉/灌6A電流驅動SIC MOSFETIGBT

概述:PC2899X 單通道隔離柵極驅動器系列產品,提供符合UL1577 標準的隔離電3.75kVrms 和5.0kVrms 兩種類型。 PC2899 A 可單獨控制輸出信號的上升和下降時間,方便
2025-04-03 14:23:02

2EP1XXR系列全橋變壓驅動器工作原理(一)——如何通過占空比調節峰值整流應用下的輸出電壓

英飛凌推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓驅動器系列,為設計人員提供了隔離柵極驅動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現
2025-03-28 17:04:071578

TI 旋轉電機-電機驅動與控制解決方案指南

保 護與電平移位;控制-可根據主機的反饋與運動軌跡信息 生成正確的開關模式,以控制電機的運動;柵極驅動器-可生成用于準確和高效地驅 動 MOSFETIGBT 所需的電壓和電流;功率級-IGBT
2025-03-18 12:27:45

柵極驅動器的定義和結構

柵極驅動器(Gate Driver)是電力電子系統中的一種關鍵電路組件,主要用于增強場效應晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號,以便控制能夠更好地控制這些半導體開關
2025-02-02 13:47:001718

川土微電子發布CA-IS3212單通道隔離柵極驅動器

川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離柵極驅動器新品發布,該系列產品為驅動SiC、IGBT和GaN功率管而優化設計。
2025-01-10 18:08:421602

意法半導體STGAP3S系列電隔離柵極驅動器概述

意法半導體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。
2025-01-09 14:48:331278

采用 LLC 拓撲結構設計隔離柵極驅動器電源,低成本 LLC 轉換的設計指南

的相關內容,包括 LLC 拓撲結構在隔離柵極驅動器電源設計中的應用、具體設計方案、變壓設計、整流二極管選擇等方面,旨在為 IGBT 和 Si/SiC MOSFET 器件的隔離柵極驅動器提供低成本
2025-01-08 14:17:212485

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