LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設(shè)計，減少了元件數(shù)量，并減少了電路板空間。

與傳統(tǒng)的電流檢測電阻器相比，低側(cè)電流檢測仿真降低了功率耗散，并允許將低側(cè)導(dǎo)熱墊連接到冷卻 PCB 電源接地。
*附件：LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋，集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流感應(yīng).pdf

高側(cè) GaN 功率 FET 可通過低側(cè)參考柵極驅(qū)動引腳 （INH） 或高側(cè)參考柵極驅(qū)動引腳 （GDH） 進(jìn)行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開關(guān)環(huán)境中，高側(cè)柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器將 INH 引腳信號可靠地傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動器。智能開關(guān) GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，避免了對高側(cè)電源的過度充電，并且反向恢復(fù)電荷為零。

該 LMG2652 支持轉(zhuǎn)換器輕載效率要求和突發(fā)模式作，具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間。保護(hù)功能包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 （UVLO）、逐周期電流限制和過溫關(guān)斷。

特性：

• 650V GaN 功率 FET 半橋
• 140mΩ 低側(cè)和高側(cè) GaN FET
• 集成柵極驅(qū)動器，具有 <100ns 的低傳播延遲
• 具有高帶寬和高精度的電流感應(yīng)仿真
• 低側(cè)參考 （INH） 和高側(cè)參考 （GDH） 高側(cè)柵極驅(qū)動引腳
• 低側(cè) （INL） / 高側(cè) （INH） 柵極驅(qū)動聯(lián)鎖
• 高側(cè) （INH） 柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器
• 智能開關(guān)自舉二極管功能
• 高側(cè)啟動 （Highside Startup）：<8μs
• 低側(cè)/高側(cè)逐周期過流保護(hù)
• 過熱保護(hù)
• AUX 空閑靜態(tài)電流：250μA
• AUX 待機(jī)靜態(tài)電流：50μA
• BST 空閑靜態(tài)電流：70μA
• 8mm × 6mm QFN 封裝，帶雙導(dǎo)熱墊

參數(shù)：

方框圖：

應(yīng)用
?AC/DC適配器和充電器
?AC/DC USB壁式插座電源
?AC/DC輔助電源
?移動壁式充電器設(shè)計
?USB壁式電源插座
*附件：LMG2652半橋子卡評估模塊.pdf