德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器，進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻
2018-03-12 10:44:00
11332 LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 09:18:47923 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 10:21:011090 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 10:43:28988 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-24 11:24:001032 
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
LMG352xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-24 14:42:19860 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
LMG342xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-25 14:07:161149 
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-25 15:36:121007 
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 09:23:45979 
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 11:33:591090 
貿澤推出Infineon CIPOS Tiny逆變器模塊，為電機驅動器提供高功率密度。
2019-08-23 09:51:461565 TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅動器，經過特別設計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:002049 貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節點振鈴，以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。
2020-04-13 14:58:561845 貿澤電子供應的ams TMF8801-EVM包含ToF傳感器外殼和取樣鏡、USB type A轉micro-USB電纜、裝有EVM GUI軟件的USB閃存驅動器和EVM文檔。
2020-09-27 15:31:111506 貿澤電子 （Mouser Electronics） 宣布與光探測和測距（激光雷達）技術的新興制造商LightWare LiDAR LLC簽署全球分銷協議。
2021-08-13 14:04:341701 
%-100% 負載下 η =>95% ? 基于 CCM GaN 的圖騰柱無橋 PFC 級，峰值效率 >99%，通過具有集成式驅動器的 LMG341x GaNFET 實現 ? 峰值
2020-06-22 18:22:03
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設計
2023-06-21 07:35:15
LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN Driver With 60-MHz, 1-ns Speed datasheet
2022-11-04 17:22:44
部件：具有輸入（滾輪）和輸出（GaN驅動器）的Hercules控制器，以及功率調節：具有輸入 (LaunchPad) 和輸出（燈泡）的GaN驅動器。 圖4：硬件模塊對于固件來說也是如此。一個狀態機管理
2018-06-01 11:31:35
新應用，產生了對超高效率、高功率密度、高頻SiC功率轉換器的需求。車載牽引電機驅動器希望獲得最高功率密度以減小尺寸和重量，并刷新新的效率記錄，而車外快速充電器希求高電壓（高達2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
描述此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節，此參考設計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
覆蓋-40℃至+85℃（部分型號達-40℃至+93℃），適應復雜電磁環境和惡劣工況，確保高功率密度下的穩定性。二、功率密度提升的實際價值空間受限場景的適配性：
在工業機器人關節驅動器、六軸機器人等空間
2025-10-22 09:09:58
什么是功率密度？功率密度的發展史如何實現高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅動器的設計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設計的伺服驅動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
此參考設計為3kW 雙向交錯式連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正 (PFC) 功率級，采用 C2000? 實時控制器和具有集成驅動器和保護功能的 LMG
2023-01-17 09:51:23
，它們的優值系數（FOM）大為改善，可以實現高頻開關。CoolGaN? IPS技術在緊湊型封裝中集成了柵極驅動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設計的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它們的優值系數（FOM）大為改善，可以實現高頻開關。CoolGaN? IPS技術在緊湊型封裝中集成了柵極驅動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設計的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
的功率密度。整板重量不足 230g。在穩定的 950kHz 開關頻率下，可達到 97.6% 的峰值效率。 特性390V - 48V/1kW 高頻諧振轉換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2022-09-23 07:12:02
的某些特性。在汽車中，飛行時間（TOF）通常用于確定范圍。LIDAR的精度和分辨率取決于各種因素，包括開關頻率和激光信號的清晰度。短脈沖激光是皮質的，以確保眼睛安全。LMG1020 GaN激光驅動器演示
2019-11-11 15:48:09
GaN單級解決方案——采用TPS53632G 無驅動器脈寬調制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級（驅動器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負載瞬態響應速度
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優化產品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
升壓從動器PFC通過調整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅動損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開關損耗和循環能量，提高系統效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級具有集成式驅動器和保護功能，可確保電路可靠性并簡化設計使用 TI
2018-10-25 11:49:58
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎材料，廣泛用于交流電與直流電轉換，并調整直流電壓以滿足從手機到工業機器人等眾多應用的需求。雖然必要的組件一直在持續改進和優化，但物理學
2019-03-01 09:52:45
如何利用高速ADC設計用于汽車的LIDAR系統？
2021-05-17 06:28:04
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個Hercules微控制器來驅動它。圖1
2022-11-17 06:56:35
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
各位工程師大家好，初入電子領域，目前在研究高頻驅動電路，在高頻柵極驅動芯片的選型上遇到了難題，目前有沒有比TI的LMG1020，更適合小功率高頻驅動的柵極驅動芯片或者有沒有推薦的搜索網站，希望各位大佬指點一下
2023-02-21 11:10:50
描述此激光雷達（光距離和范圍探測）參考設計展示了一款低側納秒 (ns) 級 GaN 柵極驅動器 LMG1020，該驅動器能夠驅動 FET 產生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路
2018-10-17 15:38:45
開發人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統總線）帶來了對更小的降壓穩壓器的需求，這樣的穩壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
驅動器，采用基于傳感器的梯形控制。本設計采用 TI 的 MOSFET 電源塊技術，將兩個采用半橋配置的 FET 集成到一個 SON 5x6 封裝中，從而實現極高的功率密度。本設計使用兩個并聯的電源塊，可以
2018-11-01 16:34:29
集成來減小系統體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據功率密度值比較解決方案時的細節
2022-11-07 06:45:10
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側 GaN 驅動器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-15 15:44:50
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側 GaN 驅動器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-20 15:04:38
中紅外激光功率密度探測單元的研制
摘要:采用室溫光導型ＨｇＣｄＴｅ探測器，研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元，主要包括衰減片、探測器
2010-04-28 16:05:36
11 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始分銷STMicroelectronics （ST） VL53L1X飛行時間 （ToF） 接近傳感器。ST FlightSense系列產品VL53L1X是市面上最快的微型ToF傳感器，測距精度達4米，頻率最高達50 Hz。
2018-06-07 14:53:001508 設計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅動器參考設計和高速DC / DC轉換器的多兆赫GaN功率級參考設計，快速開始氮化鎵設計。
2018-03-16 14:10:437054 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 （IMS） 評估平臺。IMS評估平臺價格親民，對于汽車、消費電子、工業和服務器或數據中心應用中的功率系統而言，能夠改善熱傳導性能、提高功率密度并降低系統成本。
2018-05-10 10:17:001889 電子發燒友網為你提供TI(ti)LMG1020相關產品參數、數據手冊，更有LMG1020的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG1020真值表，LMG1020管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
III 系列器件，旨在支持空間受限的高速原始數據傳感器，適用于攝像機、衛星雷達、LIDAR 和飛行時間(ToF) 等應用。
2019-01-01 11:49:004102 本文介紹了LMG1020主要特性，框圖和典型應用電路圖以及高壓評估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框圖，電路圖，材料清單和PCB設計圖。
2019-04-05 11:02:007761 
此激光雷達（光距離和范圍探測）參考設計展示了一款低側納秒級 GaN 柵極驅動器 LMG1020，該驅動器能夠驅動 FET 產生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。
2020-07-23 08:00:0020 機電元件集成來減小系統體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據功率密度值比較解決方案時的細節。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:151461 的散熱
通過機電元件集成來減小系統體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據
2022-01-14 17:10:262448 在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現更高功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453363 
。EPC21601 是一款單芯片加 eGaN? FET 驅動器，采用 EPC 專有的 GaN IC 技術，采用芯片級 BGA 外形尺寸，尺寸為 1.5 mm x 1.0 mm。
2022-08-04 09:17:573912 
一般電驅動系統以質量功率密度指標評價，電機本體以有效比功率指標評價，逆變器以體積功率密度指標評價；一般乘用車動力系統以功率密度指標評價，而商用車動力系統以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:216550 集成驅動器可減小解決方案尺寸，實現功率密集型系統。同時，集成降壓/升壓轉換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩壓電源下工作，從而顯著降低對偏置電源的要求。
2023-02-06 14:29:321111 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:412479 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構建RF功率放大器（PA）的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:092068 
該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器，可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動的功率轉換器等領域。
2023-06-30 09:58:50968 通過GaN電機系統提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:271259 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281095 
報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57997 
電子發燒友網站提供《具有集成式驅動器和保護功能GaN FET LMG3522R030數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 11:02:330 電子發燒友網站提供《使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅動器.pdf》資料免費下載
2025-01-03 16:19:416 用于 GaN 功率開關的高壓和高速半橋柵極驅動器產品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強型 GaN 的新型高壓半橋柵極驅動器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:160 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-20 16:35:36831 
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-20 16:54:57884 LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 10:54:37798 
LMG3100 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續 120V 脈沖氮化鎵 （GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on） 和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 11:19:521063 
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 13:42:42726 
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計，減少了元件數量并減少了電路板空間。
2025-02-21 14:14:05807 
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-21 14:37:23729 
LMG3100 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續 120V 脈沖氮化鎵 （GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on） 和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 15:16:11926 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 17:46:47746 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-24 13:32:11727 
此參考設計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 （ACF），旨在實現最大功率密度。該電源旨在為服務器和電信電源單元 （PSU） 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG
2025-02-24 16:03:03872 
LMG3425R030 GaN FET 集成了驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
LMG3425R030 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-25 13:51:37683 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:16:45702 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:44:30754 
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 13:44:16615 
LMG1020 器件是一款單通道低側驅動器，設計用于在高速應用中驅動 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括 LiDAR、飛行時間、面部識別以及任何涉及低側驅動器的電源轉換器。LMG1020
2025-05-19 09:47:33913 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅動器，從而減少了元器件數量并簡化了設計。可編程的導通轉換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅動器，帶高側電平轉換器和自舉功能。兩個LGM3100器件可用來組成一
2025-07-06 16:41:072907 
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵（GaN）場效應晶體管。93V連續、100V脈沖、53A半橋功率級包含兩個GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22680 
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續、100V脈沖、35A半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET
2025-08-04 10:00:30866 
Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:20:47821 
Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:29:38771 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅動器和保護，適用于開關模式電源應用。 通過將GaN FET和柵極驅動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關模式電源應用設計的集成驅動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅動器
2025-08-13 15:13:49777 
Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器
2025-09-08 09:38:55696 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管（FET）集成了驅動器和保護功能，可使設計人員在電子設備系統中實現新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
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