(SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車
2022-05-17 11:55:24
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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211630 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 今天凌晨舉行的2018蘋果秋季新品發布會上，蘋果隆重推出了重新設計的第四代Apple Watch，首批科技媒體評價已經出爐。外媒The Verge的評論是：“Bigger is better，屏幕
2018-09-13 11:48:034207 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關
2019-03-08 15:06:392742 日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
第四代CSR8670開發板開發步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召開的第十三屆中國衛星導航年會（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發的第四代北斗芯片正式發布。
這是一款擁有完全自主知識產權的國產基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
第四代移動通信技術是什么？有什么主要特點？第四代移動通信系統有哪些關鍵技術？
2021-05-26 07:07:28
器件的MOSFET的復雜性。 功率MOSFET的設計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其 措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB盡量小。因為只有在漏極N
2023-02-27 11:52:38
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
）新推出的企業和數據中心固態硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業標準，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲器高速（NVMe）固態硬盤。 這些固態硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點
2020-11-23 06:10:45
MIMO-OFDM系統為什么能成為第四代移動通信領域研究的熱點和重點？
2021-05-27 06:39:06
據我所知，第五代capsense相比第四代將電容（包括自電容+互電容技術）和電感觸摸技術集成到了一起，snr信噪比是上一代的十多倍，同時功耗僅是上一代的十分之一。但是這張圖在感應模式上第四代
2024-05-23 06:24:34
隨著企業計算從第三代串行標準轉向第四代串行標準，我們的客戶需要一臺高精度示波器，支持并可擴展地進行無縫轉換。DPO70000SX的最低型號為23或33GHz，其可擴充的結構提供了“升級空間“，在
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內容了，這里就不重復敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測試一 隨著各種重大行業規范不斷進化，如PCIe，我們的測試測量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過對本田第四代混合動力系統IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設計思想和工作原理，對于國內輕度混聯混合動力汽車的研發具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
的電子通過導電溝道進入被耗盡的垂直的N區中和正電荷，從而恢復被耗盡的N型特性，因此導電溝道形成。由于垂直N區具有較低的電阻率，因而導通電阻較常規MOS管將明顯降低。 通過以上分析可以看到：阻斷電壓與導
2018-11-01 15:01:12
階段，可見未來5年工地對第四代強制式干混砂漿罐的需求會越來越大。 那么一款專業的工人專用空氣凈化施工產品應當是怎樣的標準呢？ 第四代強制式干混砂漿罐的產品介紹： 攪拌機開機后，罐內的砂漿通過手動蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
本文從基本概念、接入系統、關鍵技術等幾個方面全面介紹了第四代移動通信系統，并簡單介紹了OFDM 技術在第四代移動通信中的應用。
2009-11-28 11:46:59
42 iPod nano(第四代)功能指南手冊
2009-12-10 15:29:1259 9294第四代智VCD維修解碼板使用說明
第四代智能VCD維修解碼板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED數碼屏
2009-04-28 15:39:251718 Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 第四代大功率UPS的技術—無變壓器設計簡介
1 無變壓器UPS的技術發展史
自從小功率UPS問世以來,無變壓器UPS設計經歷了
2009-12-09 10:39:10742 
第四代iPhone細節曝光
北京時間2月9日早間消息，美國數碼產品維修網站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細節及圖片，第四代iPhone要比當前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00937 第四代iPhone細節曝光
2010-02-22 10:25:18522 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環境優化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54877 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887
全球有線和無線通信半導體市場的領導者Broadcom(博通)公司近日宣布，推出第四代先進的藍牙頭戴式耳機單芯片系統(S
2011-01-01 15:49:561332 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301776 S2C在中國推出ALLEGRO公司的廣播級、第四代H.264 High Profile編碼器。相對于前面三代，第四代的特點是支持MVC(3D)、支持低延遲、支持低比特率、支持藍光和B幀
2011-07-21 09:07:091903 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 4月27日，英特爾宣布將于6月3日（北京時間6月4日）正式推出第四代酷睿處理器Haswell。
2013-04-28 10:18:012873 目前，英特爾正式宣布推出第四代Haswell酷睿處理器。全新的Haswell處理器將更好地解決目前業界計算性能與低功耗難題。
2013-06-03 10:14:451745 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 第四代移動通信技術研究，很好的網絡資料，快來下載學習吧。
2016-04-19 11:30:480 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動設備、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551806 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持設備中的負載切換，包括智能手機、平板電腦、便攜式媒體播放器和移動計算設備。在
2019-01-01 16:29:011015 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:321180 金山云宣布基于全新Intel Cascade Lake CPU、最新六通道DDR4內存的第四代云服務器正式上線。
2020-03-19 13:44:592974 全球高速計算與網絡應用領域創新連接方案領軍企業 TE Connectivity （TE） 宣布推出用于第四代串行連接SCSI（SAS）的插座產品，分別以24 Gbps和16 GT/s的速度支持 SAS 和 PCIe 通道。
2020-10-13 15:46:513583 近日，福特汽車攜手自動駕駛技術合作伙伴Argo AI在美國推出第四代自動駕駛測試車。該車基于福特Escape（國產版本為福特銳際）混動版車型打造，擁有道路感知和計算能力。福特將逐步把第四代自動駕駛
2020-10-28 09:27:142490 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:542337 AN65--第四代LCD背光技術
2021-04-19 11:43:336 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導通電阻低至 0.95 mΩ，優異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:573908 的視頻增強軟件公司IMINT Image Intelligence AB（簡稱“Imint”）今日宣布推出業界領先的Vidhance第四代視頻防抖解決方案，引領智能手機性能的又一次范式變革。 全新的Vidhance第四代視頻防抖解決方案延續了Imint不斷突破視頻體驗界限的表現。經過領先的智能手機制造
2021-11-29 13:43:333014 適用于標準柵極驅動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V
2021-12-05 10:21:115 wifi技術標準第四代是第四代移動通信技術的意思，第五代就是第五代移動通信技術，那么這兩代之間有什么區別呢？
2022-01-01 16:43:0041537 德賽西威與高通技術公司宣布，雙方將基于第4代驍龍座艙平臺，共同打造德賽西威第四代智能座艙系統。
2022-01-05 14:25:234213 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142760 第四代半導體我們其實叫超禁帶半導體，它分兩個方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價電子產生本征激發所需要的最小能量）在零點幾電子伏特（eV），比超窄禁帶更窄的材料便稱為導體；
2022-08-22 11:10:3918936 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:121359 高性能低功耗物聯網無線連接領導廠商Nordic 半導體公司宣布推出第四代多協議系統級芯片（SoC）系列中的首款產品nRF54H20。
2023-06-06 12:46:151802 ，今天宣布推出其新的FastFrame第四代以太網產品系列智能網卡。第四代FastFrameSmartNICs產品線具有四種獨特的型號，產品線涵蓋10/25/40/50/1
2023-05-11 10:36:091129 
納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業應用內樹立新標桿
2023-09-07 14:30:151913 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141479 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422283 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創新產品為通信、工業及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 意法半導體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術，標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術，在能效、功率密度和穩健性方面均樹立了新的市場標桿，將為汽車和工業市場帶來革命性的改變。
2024-10-10 18:27:331619 意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195 電子發燒友網站提供《AN65-第四代LCD背光技術.pdf》資料免費下載
2025-01-09 14:12:250 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
高通技術公司今日宣布推出高通躍龍第四代固定無線接入平臺至尊版，這是全球首款5G Advanced FWA平臺。
2025-03-04 16:27:111154 今日，高通技術公司宣布推出第四代驍龍8s移動平臺，該平臺專為追求出色娛樂體驗和創作體驗的用戶打造，旨在將旗艦性能和先進特性帶給更多消費者，并為手游玩家和創作者提供強勁支持。第四代驍龍8s能夠確保終端持久運行，滿足用戶全天候的多樣化需求，無論是隨時隨地暢玩游戲、享受影音娛樂體驗，還是拍攝精彩瞬間。
2025-04-03 17:44:291784 高通技術公司今日推出最新驍龍7系產品——第四代驍龍7移動平臺。這一全新平臺旨在增強用戶喜愛的多媒體體驗并提供全面的穩健性能。無論是利用先進圖像處理功能拍攝珍貴瞬間，還是借助精選的Snapdragon
2025-05-19 15:02:141847 產品，第四代SiC MOSFET不僅進一步降低了導通電阻，還顯著減少了開關損耗，并優化了開通/關斷波形，從而實現更高的載流能力與系統效率。
2025-08-05 15:19:011208 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續工作，助力動力總成系統實現最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設計用于高效電源開關應用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18348
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