中國北京 -?2022 年 5 月 17 日 – 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅
2022-05-17 11:55:24
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德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:482140 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產品。
2012-05-18 09:25:341103 
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061450 1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。
2024-12-04 10:50:432592 
中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型
2024-01-31 15:19:343083 
。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
在內的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發650V產品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
“SmarTile”為中移動研究院自研的緊湊型有源射頻天線模塊，集光纖接口到天線的完整鏈路，采用高集成，低功耗，低成本的類終端RFIC實現。SmarTile結構緊湊美觀，各性能指標均能達到
2019-06-13 06:59:04
哪些分類？產品集合如下： 一：2x4CHCCWDM緊湊型波分復用器 CCWDM產品使用易飛揚專有的自由空間光學平臺的集成光學模塊，可以提高光學性能，同時降低制造成本，封裝小于傳統CWDM模塊尺寸的1
2018-05-10 14:24:07
高效率的緊湊型解決方案。主要特色緊湊的 45A PoL 解決方案，尺寸為 0.72 英寸 x 1.2 英寸 (18.3mm x30.5mm)適合 45A 單軌或 23A 雙軌的靈活配置在 1V/45A、400kHz 時達到 87.5% 的高效率提供 PMBUS 接口用于配置和遙測此設計經過全面測試
2018-08-15 06:40:34
高效率的緊湊型解決方案。特性緊湊的 45A PoL 解決方案，尺寸為 0.72 英寸 x 1.2 英寸 (18.3mm x30.5mm)適合 45A 單軌或 23A 雙軌的靈活配置在 1V/45A、400kHz 時達到 87.5% 的高效率提供 PMBUS 接口用于配置和遙測此設計經過全面測試`
2015-05-08 15:14:53
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
TDK集團隆重推出適合超聲波應用的全新B78416A*系列緊湊型愛普科斯 （EPCOS） EP6變壓器。新系列元件為表面安裝 （SMD） 型，有五種型號供選擇，覆蓋1:1:8.42至1:1:15
2022-02-17 16:04:14
利用ARM7(LPC2210)與CMOS感光芯片(OV7620)實現了一個緊湊型圈像采集、處理系統;通過夸理利用LPC2210數據總線的工作方式，有效地消除了OV7620對系統數據總線的干擾
2020-04-28 06:38:33
我試圖使用以太網將成像器從spartan6 sp605轉移到pc。在基準參考設計界面中，它顯示“鏈接已連接到fpga”，但以太網狀態LED未激活。我想從緊湊型閃存添加一個圖像，我想用以太網傳輸它。在
2019-09-16 09:52:13
你好，我正在使用XUPV5-LX110T評估平臺，我想將數據存儲和讀取到一個緊湊型閃存（CF），CF存儲器插槽就在平臺上。關于如何實現它的任何想法？謝謝，普拉卡什。
2019-08-19 07:59:53
實現功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
了市場的許可和贊許，成為系統IC和最新半導體技術方面首屈一指的主導企業。ROHM公司推出了SML-M13和SML-MN2系列帶反射器的緊湊型LED，其中SML-M13系列LED型號包括
2019-03-29 03:56:31
是德緊湊型可調協激光器
2019-08-07 06:44:55
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評估驅動板的開發是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進行首次設計時為其提供支持。評估驅動板是一個功能齊全的IGBT模塊驅動器，其中兩個1ED020I12-F驅動器IC過程控制和反饋信號并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
。與此同時，SiC模塊也已開發出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
Qorvo SiC E1B模塊Qorvo SiC E1B模塊采用獨特的共源共柵電路，常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，形成常關SiC FET。Qorvo SiC E1B具有類硅柵
2024-02-26 14:00:25
Centralsem推出采用緊湊型SMD封裝的5A肖特基橋CBRSDSH5-40
CBRSDSH5-40是首個40V/5A全波橋式整流器，封裝在一個表面貼裝SMDIP外殼內。VF為0.37V，IR為40µA，該器件適合應用于各
2009-11-06 08:34:05901 IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 Fox Electronics Asia Ltd.現已推出緊湊型XpressO XO HCMOS振蕩器的2.5V電壓型款，全新FXO-HC32系列豐富了XpressO振蕩器系列
2011-08-18 09:50:273169 RS SFC緊湊型測試 調制器 提供了這樣一種解決方案：支持幾乎所有的調制標準，擁有極高的性價比，基于創新而獨特的設計，SFC僅占有半個標準機架寬度，十分緊湊。目前RS SFC緊湊型調
2011-09-15 09:51:351458 Avago Technologies ( AVGO)今日推出兩系列緊湊型LED，可減少數碼相機設計中對自動對焦輔助閃光功能的空間要求。
2012-02-01 09:17:42882 5月27日，美超微推出新的緊湊型高密度服務器解決方案，為英特爾備受期待的Xeon處理器E3-1200 V3產品系列提供支持。
2013-05-27 10:14:381666 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發布首個1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161717 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經過優化，兼具可靠性與性能優勢。它們在動態損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統等應用的系統改進，此后可將其范圍擴大到工業變頻器。
2016-05-10 17:17:498625 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設計_陳天
2017-01-08 14:36:35
7 大聯大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-23 16:18:004336 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 光模塊是光通信傳輸系統中非常重要的有源器件，是進行光電和電光轉換的光電子模塊，能夠在光通信中起到光電信號轉換的作用。隨著通信市場的高速發展，光模塊也在隨之不斷演進，如今，以小型封裝為主的緊湊型光模塊已經獲得了廣泛普及。
2020-12-25 16:25:321555 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:514444 采用緊湊型封裝的新款 6A 和 12A DC/DC 微型模塊可提供即時電源
2021-03-18 20:16:4811 雙通道微型模塊接收器子系統在緊湊型封裝中兼有高速 ADC 和驅動器
2021-03-21 12:16:379 本部分概述非管理緊湊型交換機模塊 CSM 1277 的功能。
2021-05-17 10:48:1229 ）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料正憑借其優越的性能和巨大的市場潛力，成為全球半導體市場的焦點。借此契機，東芝推出了新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW070J120B”。 01特征屬性分析 TW070J120B采用第2代內置碳化硅SBD芯片設計，TO-3P(N)封裝，具有高
2021-06-04 18:21:234508 
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 2022年5月11日 –移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）系列，這些產品在導通電阻方面具備業界出眾的性能表征。
2022-05-12 11:22:572457 
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系
2022-05-25 10:46:532203 作為國內首批自主研發并量產應用SiC器件的公司，在SiC功率器件領域，比亞迪半導體于2020年取得重大技術突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用。
2022-06-21 14:40:572382 電子發燒友網站提供《用于K32L2B的緊湊型開發板酷創板.zip》資料免費下載
2022-07-06 10:12:102 國產碳化硅SiC模塊（丹弗斯DCM1200V800A）ASC800N1200DCS12/https://pan.baidu.com/s/1EwhD3deePtU2v4w8rgmlsg提取碼eizx
2023-02-13 17:02:3212 超緊湊型瞬態電壓抑制器-PTVS5V0Z1BSC
2023-02-20 20:12:230 超緊湊型瞬態電壓抑制器-PTVS3V3Z1BSC
2023-02-20 20:12:360 超緊湊型瞬態電壓抑制器-PTVS3V3D1BAL
2023-02-21 19:22:210 超緊湊型瞬態電壓抑制器-PTVS5V5D1BL
2023-02-23 18:50:080 超緊湊型瞬態電壓抑制器-PTVS4V5D1BL
2023-02-23 19:14:330 TDK | 超緊湊型傳感器模塊i3微模塊,在故障發生之前預測異常
2023-03-19 09:58:492475 
2022年11月，上海瞻芯電子開發的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101)，該產品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:333850 
RJH1CV7DPQ-E0 數據表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 RJH1CM7DPQ-E0 數據表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CM6DPQ-E0 數據表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 RJH1CV7DPQ-E0 數據表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 RJH1CM7DPQ-E0 數據表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CM6DPQ-E0 數據表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44707 新品用于高速開關應用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測
2023-07-31 16:57:591729 
2023年10月，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異，開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:261670 
Qorvo，全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商，近日發布了其全新車規級碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實現了業界領先的9mΩ導通電阻RDS
2024-02-01 10:18:061404 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:351504 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:191402 近日，瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規級可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。
2024-04-17 14:02:491619 
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現了出色的導電性能。這款產品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規與工規不同等級的需求。
2024-05-06 15:20:521273 在成功發布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后，先導中心再度展現了其技術實力，推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:261354 納芯微近期發布了其首款1200V SiC MOSFET產品——NPC060N120A系列，該系列產品的RDSon值低至60mΩ，展現了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L，以滿足不同應用場景的需求。
2024-05-13 15:27:391829 Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 認證；同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產，后續將依托浙江義烏的車規級碳化硅(SiC)晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產品。
2024-06-24 09:13:201944 
新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產品擴展1200V的62mmCoolSiCMOSFET半橋模塊現已上市。由于采用了M1H芯片技術，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移
2024-06-26 08:14:271230 TE Connectivity（以下簡稱“TE”）新推出的緊湊型防水連接器可以助您掃除上述煩惱。
2024-08-19 14:18:151776 1200V三相全橋碳化硅功率模塊，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優勢，性價比超國外產品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發電等領域。
2024-09-18 17:18:171724 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。
2024-10-29 13:54:371064 
采用這些技術并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現了1800A的額定電流，是傳統1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-11-14 14:59:192865 
Qorvo推出了一款750V、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）產品；其采用緊湊型無引腳表面貼裝（TOLL）封裝，可帶來卓越的斷路器設計和性能。
2024-11-15 16:04:401228 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。
2024-11-21 18:10:251354 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統設計更緊湊、更高效，組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:201444 
近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應用場景，提供了高效、低成本的解決方案。該產品已通過工業級可靠性測試。
2025-03-11 15:22:521253 
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發企業，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統設計，以滿足
2025-04-17 11:23:54723 
新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強型1代、集成NTC溫度傳感器
2025-04-17 17:05:15805 新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術，電流等級涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461315 ，聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業注入強勁新動能。
2025-05-14 17:55:021063 從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產業已實現顯著進步，具體體現在以下核心維度。
2025-06-19 17:02:15707 
新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211301 近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產品，憑借優秀的性能與品質贏得多家重要客戶訂單，已量產交付近200萬顆，為應用系統提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048 
近期，華為旗下海思技術有限公司正式進軍碳化硅功率器件領域，推出了兩款1200V工規SiC單管產品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業高溫、高壓場景場景。圖片
2025-07-29 06:21:51683 
新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK2B模塊，采用六單元配置，通過AQG324認證。一個模塊采用
2025-07-31 17:04:34837 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊，產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術，在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上，通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03983 
菱電機集團昨日（2025年9月11日）宣布，將于9月22日開始供應針對家用及工業設備（如柜式空調、熱泵采暖及熱水系統）的新緊湊型DIPIPM功率半導體模塊。新的Compact DIPIPM系列產品
2025-09-24 10:39:48916 
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域，柵極驅動器是驅動功率半導體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658
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