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      新品 | 用于高速開關應用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

      英飛凌工業半導體 ? 2023-07-31 16:57 ? 次閱讀
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      5750388a-2f80-11ee-bbcf-dac502259ad0.jpg

      增強型1代1200V CoolSiC MOSFET的EasyDUAL 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。

      產品型號：

      FF17MR12W1M1H_B11

      17mΩ 1200V

      FF17MR12W1M1H_B70

      17mΩ 1200V 低熱阻

      FF17MR12W1M1HP_B11

      17mΩ 1200V TIM版本

      FF33MR12W1M1H_B11

      33mΩ 1200V

      FF33MR12W1M1HP_B11

      33mΩ 1200V TIM版本

      產品特點

      1200V CoolSiC MOSFET

      Easy1B封裝

      Best-in-class 12毫米高度模塊封裝

      非常低的模塊寄生電感

      RBSOA反向工作安全區寬

      柵極驅動電壓窗口大

      PressFIT引腳

      兩個阻值型號都有帶有熱界面材料版本

      應用價值

      擴展了柵源電壓最大值：+23V和-10V

      在過載條件下，Tvjop最高可達175°C

      最佳的性價比，可降低系統成本

      可工作在高開關頻率，并改善對冷卻要求

      競爭優勢

      引入新的M1H增強型1代芯片系列模塊，Best-in-class 1200V Easy1B模塊

      采用英飛凌WBG材料，達到功率和效率的新水平

      緊跟市場的新趨勢，支持多種目標應用

      應用領域

      電機控制和驅動

      不間斷電源(UPS)

      電動汽車充電

      光伏系統的解決方案

      儲能系統

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