寬禁帶半導體（WBS）是自第一代元素半導體材料（Si）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:34
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三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導體？
2021-06-08 07:09:36
2011年第四季是47.8%、在2011年第三季是46.1%。 IHSiSuppli指出，雖然半導體庫存水位在過去兩季連續上漲，但其理由與對市場的影響卻大不相同。2011年第四季的半導體庫存水位上揚原因
2012-06-12 15:23:39
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術呢？
2019-07-31 07:42:54
程度不斷增加，功率半導體需求提升，器件應用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導體市場將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對應復 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:15:56
)有限公司(簡稱聚洵Gainsil) 達成合作，華強芯城成為聚洵的互聯網分銷合作伙伴。雙方將致力于在模擬和混合信號集成電路領域深入合作，全力開拓國內外半導體市場。 華強芯城是華強聚豐旗下電子元器件及PCBA
2018-08-15 14:56:50
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
全球汽車市場發展整體向好，汽車中的半導體含量將持續增長，尤其是動力系統、照明、主動安全和車身應用領域。新能源汽車推動汽車動力系統中半導體成分增高約5倍。燃油經濟性、先進駕駛輔助系統(ADAS)、便利及信息娛樂系統，以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場，推動全球汽車半導體市場同比增長7%。
2020-05-04 06:30:06
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
`根據Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體企業受惠；另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
泛的寬禁帶半導體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優異的半導體性能，在各個現代工業領域發揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
蘇州華林科納半導體設備技術有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備的設計、研發、生產及銷售；同時代理半導體、太陽能、FPD領域其它國外設備，負責
2015-04-02 17:26:21
的設計、研發、生產及銷售；同時代理半導體、太陽能、FPD領域其它國外設備，負責其中國市場的開發、推廣； 通過與國際上知名公司的廣泛合作，目前已形成濕法清洗系統、 刻蝕系統、CDS系統 、尾氣處理系統的四大
2016-10-26 17:05:04
請問怎么優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
怎樣通過ASV技術去生成準確的3D深度圖？采用艾邁斯半導體的ASV技術有什么特點？
2021-07-09 06:25:46
12月11日，中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟（以下簡稱“寬禁帶聯盟”）團體標準評審會在北京市大興區天榮街9號世農大廈3層會議室順利召開。此次評審會包含《碳化硅單晶》等四項團體標準送審稿審定及《碳化硅混合模塊產品檢測方法》等四項團體標準草案討論兩部分內容。
2017-12-13 09:05:514919 氮化物寬禁帶半導體在微波功率器件和電力電子器件方面已經展現出巨大的應用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結晶質量差和電學性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
近日，廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”在松山湖成立，該創新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導，易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業內知名企業共同出資發起設立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區舉行開工儀式。據悉，該項目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺，填補我國高端半導體器件的產業空白。
2018-06-25 16:54:0012150 寬禁帶功率半導體的研發與應用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢，成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領域發展的重點新材料。
2018-08-06 11:55:009041 第三代寬禁帶半導體材料被廣泛應用在各個領域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸，被業界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038617 紐約州康寧 — 康寧公司和上海旭福半導體電子有限公司今日宣布，雙方已簽署了一份關于半導體玻璃載板在中國市場的銷售代理協議。該協議有助于對接康寧玻璃載板產品和中國潛在客戶群體，也將同時幫助康寧擴大在這一快速增長市場中的影響力。
2018-12-05 10:22:353961 近日，2018中國寬禁帶功率半導體及應用產業發展峰會在濟南召開。會上，國家主管部門領導與技術專家、金融投資機構、知名企業負責人等共同研討寬禁帶功率半導體產業工藝和產業鏈建設，為技術協同以及產業、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:253990 現代電子技術偏愛高壓，轉向寬禁帶半導體的高壓系統，是因為：首先，高壓意味著低電流，這也意味著系統所用的銅總量會減少，結果會直接影響到系統成本的降低；其次，寬禁帶技術(通過高壓實現)的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306038 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。典型的寬禁帶半導體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 先行區的橋頭堡。小鎮總占地面積約4900畝，將分“科技創新孵化區”、“產業先進智造區”和“半導體生態科技城”三大功能區，打造寬禁帶半導體產業技術領先高地。
2019-05-17 17:18:524422 第三代半導體，又稱寬禁帶半導體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:318930 National Instruments，（簡稱NI）近日與蘇州納芯微電子股份有限公司（簡稱納芯微）、上海孤波科技有限公司（簡稱孤波）達成三方戰略合作，開啟在半導體測試領域的全新合作模式，引領半導體測試行業創新發展。
2019-11-04 15:31:443315 據報道，加州大學圣塔芭芭拉分校（University of California， Santa Barbara，UCSB）與朗德萬斯（LEDVANCE）宣布，他們已就USCB關于燈絲燈LED技術專利執法行動達成一項許可協議。協議授權朗德萬斯生產并向照明專業人士、零售商及顧客銷售此專利技術。
2019-12-04 14:55:39910 半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現其應用性能，縮短昂貴的測試
2020-05-28 09:58:592018 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅動IC設計開發，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產業鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 碳化硅，作為發展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優質半導體材料。
2020-09-02 11:56:351905 基于新興GaN和SiC寬禁帶技術的新型半導體產品，有望實現更快的開關速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強功能。
2020-10-23 11:03:261297 Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰，共同促進寬禁帶半導體行業的發展。
2020-12-21 15:48:571258 設備購置補助款的通知》［泉芯南管（2020）129號］文件。 根據泉州市人民政府、南安市人民政府與三安光電股份有限公司簽訂的《投資合作協議》，經研究，同意撥付三安半導體設備購置補助款1.84億元。三安半導體已于2020年12月10日收到該
2020-12-24 16:55:293236 碳化硅（SiC）是第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應用場合下極為理想的半導體材料。文章結合美國國防
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被認識得越來越清晰。實現低導通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場，也就是選擇寬禁帶的半導體材料。
2021-03-01 16:12:0024 作為2021年技術熱詞，寬禁帶總會在各大技術熱文中被提起，我們在以往的文章中也笑稱，寬禁帶半導體是電動汽車的“寵兒”，但也有些朋友會問我們，寬禁帶半導體為什么總是要和汽車一起提起呢？ 說到這里，我們
2021-08-26 15:20:283017 泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰略合作聯盟，雙方將深度整合資源，優勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產業鏈的產品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰。
2021-11-08 17:20:314217 
有限公司、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司、北京郵電大學、三安光電有限公司等知名企業及高校科研院所共同分享寬禁帶半導體產業的最新進展。
2021-12-23 14:06:342830 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。
2022-02-21 16:47:151118 英國倫敦 - 2022年4月25日 - Imagination Technologies與Ambarella安霸半導體達成了一項全方位的授權協議。
2022-04-26 09:17:121918 與Ambarella安霸半導體達成了一項全方位的授權協議。該協議授權Ambarella安霸半導體使用各種IMG B系列多核GPU，包括在安全關鍵應用中使用獲得ASIL-B級認證的IMG BXS GPU。
2022-05-11 17:19:251868 對于寬禁帶半導體行業目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導體行業主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態形式、設備控制都不一樣，要想做好這個行業的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點。
2022-07-05 12:44:534543 在高端應用領域，碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛，被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161771 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。
2022-08-02 17:22:121579 。目前，從市場領域來看，寬禁帶半導體材料已于快充、新能源汽車、光伏、風電、高鐵等多領域實現應用。其中，氮化鎵主要面向PD電源類居多，而碳化硅主要應用于新能源汽車領域。 但從使用情況來看，相比于其他材料，寬禁帶半導體
2022-10-28 11:04:341760 
碳化硅（SiC）是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃，而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化硅半導體器件。
2022-11-29 09:10:391948 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導體，指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應電子躍遷導帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810872 第三代寬禁帶半導體材料廣泛應用于各個領域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發展瓶頸，受到了業界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912 領域的性能方面表現不佳，但還有性價
比助其占據市場。第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP）為代表，主要應用領域為光電子、微電
子、微波功率器件等。第三代半導體以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金
2023-02-27 15:20:113 ）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-05-05 17:46:2211803 
第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
寬禁帶半導體光電探測技術在科學、工業和醫療領域中發揮著重要作用，提供了高效的光電轉換和探測功能，推動了許多現代科技應用的發展。
2023-09-20 17:52:092640 
點擊藍字?關注我們 寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應用前景。根據市場調研機構的數據，寬
2023-10-08 19:15:02966 碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產業鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
點擊上方 “泰克科技” 關注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導體材料也稱為第三
2023-11-03 12:10:021785 
11月13日， 三菱電機株式會社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:331268 ? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? 在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。 在整個
2023-12-07 10:45:021167 電子發燒友網站提供《瑞納斯半導體可靠性報告.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:22:001 在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬
2023-12-16 08:30:341284 
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導體應用市場。
2024-01-13 17:17:562212 Luminus Devices近日宣布，已與湖南三安半導體簽署了一項合作協議。根據協議，Luminus將成為湖南三安在美洲地區的獨家銷售渠道，負責銷售其SiC和GaN產品，這些產品主要應用于功率半導體市場。
2024-01-17 14:24:001045 第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導體材料。
2024-01-23 10:06:042219 
近日，全球寬禁帶領域的領軍企業意法半導體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會，受到電力和能源領域專業嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341127 2024年3月29日，2024上海全球投資促進會在臨港新片區召開，其中包括寬禁帶半導體產業鏈投資機遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 臨港新片區管委會和萬業企業（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業聯合宣布成立“汽車-寬禁帶半導體產業鏈聯盟”，其中，凱世通總經理陳克祿博士作為關鍵裝備企業的代表榮耀見證了這一重要時刻。
2024-04-03 09:23:101093 會上，臨港新片區管委會聯動萬業企業（600641.SH）旗下凱世通等多家行業翹楚，協同成立“汽車—寬禁帶半導體產業鏈聯盟”。聯盟成立儀式上，凱世通總經理陳克祿博士代表關鍵裝備企業發聲。
2024-04-03 15:50:561150 功率電子學在現代科技領域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認識并保證寬禁帶（WBG）半導體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311646 當今，氣候變化與如何應對持續增長的能源需求已經成為人類面臨的共同挑戰，而寬禁帶半導體高度契合節能減排需求，并在能源轉型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18788 
在高頻高壓應用領域，寬禁帶材料不可替代的優勢正在加速相關產品的研發與落地應用。制造技術的進步，也讓其成本更有競爭力。需求拉動疊加成本降低，寬禁帶半導體的時代正在到來。
2024-06-19 15:36:241703 半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產基礎設施
2024-06-28 09:30:591876 在全球半導體市場日新月異的今天，荷蘭半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日邁出了重大的一步。這家以技術創新和產品質量著稱的公司宣布，計劃投資高達2億美元（約合1.84億歐元），用于研發下一代寬禁帶半導體產品，并在其位于漢堡的工廠建立生產基礎設施。
2024-06-28 11:12:341391 下一代寬禁帶半導體（WBG）的研發和生產，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進一步鞏固其作為全球節能半導體領導者的地位。
2024-06-28 16:56:381690 在全球半導體產業日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現了其前瞻性的戰略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡工廠開發下一代寬禁帶半導體產品，并擴大其晶圓廠的產能。
2024-06-29 10:03:261672 英飛凌致力于通過其創新的寬禁帶（WBG）半導體技術推進可持續能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創新產品，偕同英飛凌智能家居方案，以及電動交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311370 功率半導體和寬禁半導體是兩種不同類型的半導體材料，它們在電子器件中的應用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區別： 材料類型：功率半導體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 寬禁帶半導體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學性質，使其在許多高科技領域具有廣泛的應用。 在現代電子學和光電子學中，半導體材料扮演著至關重要
2024-07-31 09:09:063202 來源：集邦化合物半導體 近日，安世半導體宣布與德國汽車供應商KOSTAL（科世達）建立戰略合作伙伴關系，旨在生產更符合汽車應用嚴苛要求的寬禁帶(WBG)器件。 根據合作條款，安世半導體將開發、制造
2024-11-08 11:33:481873 納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長科技企業500強。全球不斷增長的市場和客戶對先進、高效、寬禁帶氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的需求愈發強烈，這一背景下納微實現了營收的持續增長，連續三年成功入榜。
2024-11-22 17:22:531471 ? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優勢，且它們在電力電子系統和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導體
2024-12-05 09:37:102785 
一、引言隨著科技的不斷發展，功率半導體器件在電力電子系統、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301613 
?無需焊接或探針，即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現快速、重復測試 ?寄生功率回路電感小于10nH，實現干凈的動態測試波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 ：在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發論壇上，英飛凌與匯川等企業展示了寬禁帶半導體技術的最新進展。從SiC與GaN技術的創新應用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
9月12日，湖南三安半導體有限責任公司（以下簡稱“湖南三安”）與賽晶亞太半導體科技(浙江)有限公司（以下簡稱“賽晶半導體”）在湖南三安成功舉行戰略合作簽約儀式。雙方基于在新型功率半導體產業生態中
2025-09-12 15:45:31723 隨著全球汽車產業向電動化、智能化邁進，半導體技術已成為推動這一變革的關鍵驅動力。特別是寬禁帶半導體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場深刻的技術革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680
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