寬禁帶半導體(WBS)是自第一代元素半導體材料(Si)和第二代化合物半導體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發展起來的第三代半導體材料,禁帶寬度大于2eV,這類材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化鎵、)AlN(氮化鋁)、ZnSe(硒化鋅)以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:34
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小也屬于正常現象,特別是碳化硅市場,目前還處于發展初期。 ? 圖:泰科天潤半導體科技(北京)有限公司董事長總經理陳彤 ? 對于目前第三代半導體產量偏低,其實是有原因的。在不久前的“中國芯”-寬禁帶半導體助力碳中和發
2022-01-06 10:14:16
4704 一、測試需求:功率器件如場效應晶體管(MOSFET)和絕緣雙極晶體管[IGBT) ,這些功率器件提供了快速開關速度,能夠耐受沒有規律的電壓峰值,被廣泛應用于電源轉換產品的設計。尤其最新第三代半導體
2021-05-20 11:17:57
硅材料的研究也非常透徹。基于硅材料上器件的設計和開發也經過了許多代的結構和工藝優化和更新,正在逐漸接近硅材料的極限,基于硅材料的器件性能提高的潛力愈來愈小。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體具備優異
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL,KSZ8873RLL評估板是第三代完全集成的3端口開關。 KSZ8873RLL的兩個PHY單元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
3G定義 3G是英文3rd Generation的縮寫,至第三代移動通信技術。相對于第一代模擬制式手機(1G)和第二代GSM、TDMA等數字手機(2G)來說,第三代手機是指將無線通信與國際互聯網等
2019-07-01 07:19:52
IMT-2000的優勢主要在于能夠使用寬帶服務,大大改進目前在GSM和TDMA/136上提供的標準化服務。第三代移動通信系統將提供 384kbps的廣域數據通信服務和大約2Mbps的局域數據通信服務。新的用于
2009-11-13 21:32:08
(PATRO)高解析強光抑制攝像機、帕特羅(PATRO)遠距離紅外一體攝像機、帕特羅(PATRO)紅外防雷攝像機 正當IR-III技術以新臉孔出現在紅外夜視市場時,市場上也出現了第三代陣列式紅外攝像機,造成
2011-02-19 09:35:33
,到目前全球首推的第三代紅外技術,紅外夜視領域經歷了一場場紅外技術新革命,引領著夜視監控行業向更深更遠的方向發展,給安防市場制造著一個又一個亮點。紅外技術早在60年代初期由美國貝爾實驗室研發
2011-02-19 09:38:46
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現“高技術投入與規模化降本并存”的特征。一、成本構成:核心
2025-12-25 09:12:32
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過:https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現在第三代誕生:`
2013-08-10 15:35:19
據業內權威人士透露,我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業,寫入“十四五”規劃,計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面,大力支持發展第三代半導體產業,...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復:第三代移動通信系統IMT2000,是國際電信聯盟(ITU)在1985年提出的,當時稱為陸地移動系統(FPLMTS)。1996年正式更名為IMT2000。與現有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術的興起,UMTS網絡的建立將帶來一場深刻的革命,這對網絡規劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執照拍賣,引起了公眾對這一新技術的極大興趣。第三代移動通信網絡的建設正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術即紅外夜視第三代技術,根植于上世紀60年代美國貝爾實驗室發明的紅外夜視技術,屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
;6.帶有pulse工作模式,使用pulse測試可以消除自加熱效應;7.開放設備底層指令,附帶編譯軟件,支持自編程;8.提供高壓高流測試夾具,保證測試安全。泰克吉時利產品提供各類材料電參數測試方案,如果您想了解吉時利源表更多應用方案,歡迎訪問安泰測試網
2022-01-23 14:15:50
基于第三代移動通信系統標準的ALC控制方案的設計與實現
2021-01-13 06:07:38
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力,基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
隨著企業計算從第三代串行標準轉向第四代串行標準,我們的客戶需要一臺高精度示波器,支持并可擴展地進行無縫轉換。DPO70000SX的最低型號為23或33GHz,其可擴充的結構提供了“升級空間“,在
2016-06-08 15:02:10
淺析第三代移動通信功率控制技術
2021-06-07 07:07:17
本文討論了移動通信向第三代(3G)標準的演化與發展,給出了范圍廣泛的3G發射機關鍵技術與規范要求的概述。文章提供了頻分復用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統發射機的設計和測得的性能數據,以Maxim現有的發射機IC進行展示和說明。
2019-06-14 07:23:38
導讀:蘋果第三代AirPods預計會在今年年底前上市。 4月24日,據產業鏈最新消息,蘋果正在準備第三代AirPods,預計會在今年年底前上市,而今年3月份蘋果剛剛發布了AirPods的第二代
2019-04-27 09:28:37
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對第三代太陽能的介紹,諸多的評論都說到他的優勢,小弟于是購買了這種叫第三代的太陽能-砷化鎵太陽能模塊。想說,現在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
第三代移動通信系統及其關鍵技術:第三代移動通信系統及其關鍵技術詳細資料。文章對第三代移動通信系統及國際電聯提出的IMT-2000發展過程及研究現狀進行了介紹
2009-05-20 11:19:05
40 文章介紹了第三代LonWorks 技術的應用方向和結構,以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 產品以及它們的主要技術特點和性能。關鍵詞LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:45
8 00904774第三代通信網管構架:
2009-06-18 16:53:14
22 第三代移動通信技術與業務:蜂窩移動通信標準的演進,第三代移動通信標準化格局,技術不斷進步背后的苦干問題。
2009-08-02 14:35:46
12 第三代移動通信系統全面討論了第三代移動通信系統的無線傳輸技術等新技術,內容涵蓋了第三代移動通信的基本概念、CDMA技術的基本原理、無線傳播環境的相關知識、UTRA FDD、UT
2009-08-21 10:33:53
0 第三代移動通信系統的無線接:WCDMA技術與系統設計是專門介紹第三代移動通信系統中WCDMA無線傳輸技術的專著。《WCDMA 技術與系統設計:第三代移動通信系統的無線接入(第2版)
2009-08-21 10:38:39
32 第三代LonWorks技術和產品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術的應用方向和結構,以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產品以及它們的主要技術特點
2010-03-18 09:55:04
17 Intel Xeon?鉑金處理器(第三代)Intel? Xeon?鉑金處理器(第三代)是安全、敏捷、數據中心的基礎。這些處理器具有內置AI加速、先進的安全技術和出色的多插槽處理性能,設計用于任務關鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器(第三代)Intel? Xeon?金牌處理器(第三代)支持高內存速度和增加內存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進的安全技術以及內置工作負載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴展處理器(第三代)Intel?Xeon?可擴展處理器(第三代)針對云、企業、HPC、網絡、安全和IoT工作負載進行了優化,具有8到40個強大的內核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
第三代移動通信常識
1、3G定義
3G是英文3rd Generation的縮寫,指第三代移動通信技術。相對
2009-06-01 21:03:57
2976 什么是第三代移動通信系統
第三代移動通信系統IMT2000,是國際電信聯盟(ITU)在1985年提出的,當時稱為陸地移動系
2009-06-13 22:20:55
1326 支持第三代6.0Gbps的PCIE-SATA適配器系統IP
目前,愛普斯微電子推出業界首款支持第三代SATA 6.0Gbps的控制器系統IP,aips2103和aips2104。其中aips2103采用PCIE1.1 x4配置,支持1個S
2009-11-11 16:51:36
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泰景信息科技推出第三代模擬移動電視接收芯片TLG1121
泰景信息科技 (Telegent Systems)近日宣布,公司研發出第三代模擬移動電視接收CMOS單芯片TLG1121。TLG1121 是泰景第一款
2010-02-09 08:41:04
1000 吉時利儀器提升全自動化生產參數測試方案——S530參數測試系統產品線在幾個方面的性能,這些性能提升包括增加了吉時利新的高吞吐量開關主機用于高完整性的信號切換
2011-02-14 09:21:58
1877 介紹第三代移動通信系統網絡規劃的基本過程,規劃策略,應考慮的各種因素。詳細介紹了第三代移動通信系統中位置區域和尋呼區的規劃。
2011-02-17 17:35:15
23 吉時利的S530參數測試系統采用了成熟的源和測量技術,可滿足工藝控制監測、工藝可靠性監測以及器件特性分析所需的全部直流和C-V測量。 針對高混合測試環境優化設計 S530參數測試系
2011-09-28 18:23:16
19 吉時利儀器公司持續強化S530參數測試系統,使這款測試系統成為半導體業界高速產品參數測試最具成本效益的解決方案。在最新版本吉時利測試環境軟體(KTE V5.4)的支援下,S530目
2012-03-28 09:20:20
1206 吉時利儀器公司不斷增強半導體行業性價比最高的高速生產參數測試方案——S530參數測試系統的功能。由于有吉時利測試環境軟件(KTE V5.4)的支持,S530目前配置為48引腳全Kelvin開關以
2012-03-30 11:05:19
1177 據一向不靠譜的臺灣媒體DigiTimes報道,蘋果將于今年夏季發布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來自夏普的IGZO顯示屏,這種技術將使iPad變得更薄,電池更耐用。在第三代iPad發布之
2012-06-30 11:48:16
724 第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。預測2018年是第三代半導體產業化準備的關鍵期,第三代半導體設備行業將迎來景氣拐點。到2025年,第三代半導體器件將大規模的使用。
2017-12-19 11:56:16
3737 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料憑借其寬禁帶、高熱導率、高擊穿電場、高抗輻射能力等特點,在許多應用領域擁有前兩代半導體材料無法比擬的優點,有望突破第一、二代半導體材料應用技術的發展瓶頸,市場應用潛力巨大。根據第三代半導體不同的發展情況,其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器等領域。
2018-09-03 14:40:00
986 繼5G、新基建后,第三代半導體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關外,更重要是有證券研報指出,第三代半導體有望納入重要規劃,消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業人士提醒,有個人投資者
2020-09-21 11:57:55
4538 日前,在紀念集成電路發明60周年學術會議上,中科院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任、西安電子科技大學教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導體器件新進展》的報告。郝躍院士詳細講解了第三代半導體材料的優勢。
2018-10-23 14:36:13
14980 第三代半導體,又稱寬禁帶半導體,是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的半導體材料,具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:31
8930 碳化硅,作為發展的最成熟的第三代半導體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場等優勢,是制造高壓高溫功率半導體器件的優質半導體材料。
2020-09-02 11:56:35
1905 第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導體的產業園。
第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時代而生,目前的大部分通信設備的材料。
第三代材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶的半導體材料,是未來5G時代的標配
2020-09-04 19:07:14
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而前不久一則“我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業,寫入正在制定的‘十四五’規劃,以期實現產業獨立自主”的“傳聞”更是把第三代半導體推至資本市場的風口,一時間成為了熱議產業。
2020-09-22 10:51:09
2319 什么是第三代半導體? 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體
2020-09-28 09:52:20
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第三代寬禁帶半導體器件 GaN 和 SiC 的出現,推動著功率電子行業發生顛覆式變革。新型開關器件既能實現低開關損耗,又能處理超高速 dv/dt 轉換,且支持超快速開關切換頻率,帶來的測試挑戰也成了
2020-10-30 03:52:11
1116 。 什么是第三代半導體? 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體什么區別? 一、材料 第一代半導體材料,發
2020-11-04 15:12:37
5552 第三代半導體指禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料,也稱為寬禁帶半導體材料。半導體材料共經歷了三個發展階段:第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導體材料;
2020-11-06 17:20:40
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Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰,共同促進寬禁帶半導體行業的發展。
2020-12-21 15:48:57
1258 ,什么材料會再領風騷?記者采訪了專家。? 禁帶寬度,是用來區分不同代際半導體的關鍵參數。? 作為第三代半導體,氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特,較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:48
4256 更加精準,助力智能產業升級。 據高德介紹,第三代車載導航是軟硬件結合的小一袋車載導航解決方案,依托合作車企的全棧自研能力,已率先與小鵬汽車達成合作。 第三代車載導航不僅將導航由道路級升級為車道級,同時將自動駕駛系統感
2021-01-22 18:05:14
4757 新產品,在新的賽道上邁出了堅實的步伐。 01 新賽道 開新局 第三代半導體是國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃的重要發展方向。與傳統的硅基半導體相比,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體除了具備較大的禁帶寬度之外,還具有高導熱
2021-04-22 11:47:10
3594 EE-230:第三代SHARC?系列處理器上的代碼覆蓋
2021-05-25 15:18:41
7 泰克發布的這一全新測試系統有助于加快制造速度,因為它縮短了測試時間,進而加快了新芯片的上市速度。
2021-09-29 11:49:24
1410 泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰略合作聯盟,雙方將深度整合資源,優勢互補,圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產業鏈的產品合作,為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰。
2021-11-08 17:20:31
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由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會(CASAS)主辦、泰克科技(中國)有限公司和北京博電新力電氣股份有限公司協辦的“2021 第三代半導體標準與檢測研討會”在深圳召開。
2021-12-29 14:04:04
2111 
第三代半導體器件毫不夸張的講為電源行業帶來了革新,基于其高速,小體積,低功耗的特點,越來越廣泛應用在消費電子及電力電子行業。下圖顯示了不同技術的功率器件的性能區別。可以看到,傳統的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:06
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SIC MOSFET是新興起的第三代半導體材料,是一種寬禁帶半導體(禁帶寬度>2eV,而SI禁帶寬度僅為1.12eV),因其具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點,適用于高溫、高頻、大功率等應用場合。
2022-02-25 15:49:28
44 日前,基于SiC和GaN的第三代半導體技術蓬勃發展,其對應的分立器件性能測試需求也隨之而來。其較高的dv/dt與di/dt給性能測試帶了不少困難。泰克的TIVP系列光隔離探頭,以其優越的160dB
2022-05-12 14:54:17
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“三芯起 萬物聲”啟英泰倫第三代語音識別芯片要來了,2022年7月28日啟英泰倫第三代語音識別芯片即將發布,我們一起先來了解一下。 為優化啟英泰倫第三代語音識別芯片的性能,啟英泰倫董事長何云鵬帶領
2022-07-25 15:02:31
1324 企業級第三代半導體功率器件測試服務實驗室。開放實驗室以泰克測試設備為核心,結合泰克在全球三代半導體產業積累的豐富經驗,與國內一線方案合作伙伴共同打造,致力于加速中國第三代半導體行業創新發展、工藝優化、良率提升,讓工程師的工作更高效更有信心。 應對易變性未來,支持本
2022-09-26 09:48:54
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2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料,它們具有
2022-12-09 14:29:42
1621 
在這種情況下,第三代化合物半導體材料——碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料進入了大眾的視線。與前兩代半導體材料相比,寬禁帶半導體材料因其在禁帶寬度和擊穿場強等方面的優勢以及耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等特點
2023-02-01 14:39:43
1358 寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料,是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大,對應電子躍遷導帶能量越大,從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:58
10871 在這種情況下,第三代化合物半導體材料——碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料進入了大眾的視線。與前兩代半導體材料相比,寬禁帶半導體材料因其在禁帶寬度和擊穿場強等方面的優勢以及耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等特點
2023-02-03 11:09:46
1997 第三代半導體材料有哪些 第三代半導體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導體材料的三項重要參數看,第三代半導體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標上均有著優異的表現
2023-02-07 14:06:16
6767 第三代寬禁帶半導體材料廣泛應用于各個領域,包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發展瓶頸,受到了業界的青睞。
2023-02-23 17:59:48
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、射頻應用中的顯著
性能優勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。
所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 15:23:54
2 作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導體,它們通常都具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:29
12 第一代、第二代、第三代半導體之間應用場景是有差異的。以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導體應用場景十分廣泛,
從尖端的CPU、GPU、存儲芯片,再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:11
3 、射頻應用中的顯著
性能優勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。
所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 14:37:56
1 所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)、氧化鋅(ZnO)和金剛石等,其中
2023-05-18 10:57:36
2109 第95期什么是寬禁帶半導體?半導體迄今為止共經歷了三個發展階段:第一代半導體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:46
6543 
第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產業結構。
2023-08-11 10:17:54
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。面對新材料、新器件和新特性在設計、生產和使用中的全新挑戰, 泰克結合多年在第三代半導體產業的豐富經驗和領先的功率器件動態參數測試系統為客戶提供支持服務 ,同時在北京成立第三代半導體測試實驗室,幫助行業內客戶、合作
2023-09-04 12:20:01
1008 材料領域中,第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體,或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:27
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隨著全球進入物聯網、5G、綠色能源和電動汽車時代,能夠充分展現高電壓、高溫和高頻能力、滿足當前主流應用需求的寬禁帶半導體高能量轉換效率半導體材料開始成為市場寵兒,開啟了第三代半導體的新紀元。
2023-09-22 15:40:41
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第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經開始大規模商用。與第一代和第二代半導體相比,第三代半導體具有許多優勢,這些優勢源于新材料和器件結構的創新。
2023-10-10 16:34:28
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高通第三代驍龍8采用4納米工藝 支持在終端側運行超100億參數的生成式AI 前兩天高通公司在驍龍峰會發布了針對筆記本電腦的驍龍X Elite和針對手機移動端的第三代驍龍8。 高通第三代驍龍8處理器
2023-10-26 19:29:28
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2021年第三代半導體系列報告之二
2023-01-13 09:05:55
4 點擊上方 “泰克科技” 關注我們! 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見,典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN),這些半導體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02
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2023年11月29日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)和“第三代半導體標準與檢測研討會”成功召開,是德科技參加第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS),并重磅展出第三代半導體動靜態測試方案
2023-12-13 16:15:03
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領先的測試與測量解決方案提供商泰克科技,5系列B MSO混合信號示波器榮獲年度優秀產品獎。 本屆行家極光獎特別設立了【年度企業】、【年度優秀產品】、【十強榜單】三大獎項,力圖為第三代半導體行業樹立標桿,提升企業品牌認知度和影響力,為行業發展注入
2023-12-21 17:40:02
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近日,高通技術公司宣布,其第三代驍龍8(for Galaxy)旗艦移動平臺將為三星電子的最新旗艦Galaxy S24 Ultra提供全球支持。此外,該平臺還將在部分地區為Galaxy S24 Plus和S24提供支持。
2024-02-01 14:45:47
1582 日前,高通舉辦新品發布會,推出了驍龍8旗艦移動平臺誕生以來的第一款新生代旗艦平臺:第三代驍龍8s,這是高通對驍龍旗艦移動平臺的一次層級擴展,同時意味著廣大消費者未來在旗艦手機市場也將會有更多豐富
2024-03-21 21:04:19
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? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優勢,且它們在電力電子系統和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導體
2024-12-05 09:37:10
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本文介紹第三代寬禁帶功率半導體的應用 在電動汽車的核心部件中,車用功率模塊(當前主流技術為IGBT)占據著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅動系統的關鍵性能,還占據了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:57
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一、引言隨著科技的不斷發展,功率半導體器件在電力電子系統、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:30
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