從智能手機和互聯網，到家電、工廠和汽車，電力電子產品已經成為了我們生活的一部分。隨著云計算、工業4.0，以及電動汽車和自動駕駛等領域的發展，電力電子產品的設計和開發的革命正在全面展開，人們除了關注電力電子產品的安全性和可靠性之外，也開始關注效率、性能和尺寸問題了，這讓人們開始認識到我們需要對現在能源的產生、分配和管理模式做一些改變了。

特別是近幾年來，在電動汽車的推動下，SiC功率器件的需求猛增。據Yole統計，2017年SiC功率器件業務達到3.02億美元，較2016年的2.48億美元增長22%。由于采用了SiC MOSFET模塊的特斯拉Model 3產能增長，在汽車行業的推動下，預計2018年會實現飛躍。Yole估計，到2023年，SiC功率半導體市場將達到15億美元。

安森美半導體Technical Fellow，SiC開發領域負責人Thomas Neyer也透露，“今天的SiC市場已經是3.5億美元的市場。”他預計未來五年內會增長到13億美元。

他還補充說，如果未來幾年成本加速下降，這一預測很容易翻番，甚至增至3倍。Thomas Neyer承認目前GaN的使用率還比較低，市場規模小于5000萬美元，“但在未來5到10年，GaN將會主導80V~600V的中壓應用，并有可能在該領域完全取代硅基MOSFET，吞食掉這一超過100億美元的市場蛋糕。”

圖1：安森美半導體Technical Fellow，碳化硅(SiC)開發領域負責人Thomas Neyer

GaN晶體管在20世紀90年代首次出現，2010年宜普電源轉換公司(EPC)推出第一個器件后，宣布了GaN開始了的正式商業化應用之路。SiC二極管自2001年推出，到現在已經進入了所有高性能電源、可再生能源和電機驅動應用領域。

基于SiC的功率半導體用于600V~10kV應用。大多數SiC應用是在600V到1700V，但當電壓達到3.3kV~10kV時，它他仍然非常適合，例如風力發電和小型電網。而GaN適用于30V~600V的中壓電源應用。因此，GaN和SiC其實是互補的技術，而非相互競爭的技術。

最近幾年GaN的應用開始逐漸增多，比如近幾年興起的汽車用激光雷達(LiDAR)有很多就是采用了GaN器件來做高頻開關的；在電動汽車市場，EPC和Transphorm的GaN器件已經取得了車規認證，為汽車領域使用GaN器件做好了準備；在消費電子領域，據悉蘋果公司對基于GaN技術的無線充電解決方案充滿了興趣，Navitas和Exagan今年已推出一款集成了GaN解決方案的45 W快速充電電源適配器。

GaN Systems公司CEO Jim Witham在接受采訪時表示，電力電子技術正在蓬勃發展，GaN可作為數據中心、汽車、可再生能源、工業和消費電子等解決方案的基石技術。這是因為GaN與硅基功率器件相比有很明顯的優勢。

圖2：GaN Systems公司CEO Jim Witham

GaN和SiC等寬禁帶半導體具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

ADI在一篇技術文章中談到，從工程角度來看，SiC和GaN具有的優勢主要有下面4個：

首先，寬禁帶半導體具有卓越的dV/dt切換性能，這意味著開關損耗非常小。這使得高開關頻率(SiC為50 kHz至500 kHz，GaN為1 MHz以上)成為可能，結果有助于減小磁體體積，同時提升功率密度。

二是，電感值、尺寸和重量能減少70%以上，同時還能減少電容數量，使最終轉換器的尺寸和重量僅相當于傳統轉換器的五分之一。

三是無源元件和機械部件(包括散熱器)的用量可節省約40%，增值部分則體現在控制電子IC上。

四是寬禁帶半導體對高結溫具有超高的耐受性，這種耐受性有助于提升功率密度，減少散熱問題。

現代電子技術偏愛高壓，轉向寬禁帶半導體的高壓系統，是因為：首先，高壓意味著低電流，這也意味著系統所用的銅總量會減少，結果會直接影響到系統成本的降低；其次，寬禁帶技術(通過高壓實現)的阻性損耗減少，結果意味著更高的效率，還能減小冷卻系統的尺寸，降低其必要性；最后，在子系統層次，它們使工程師可以從基于基板功率模塊的設計轉向分立式設計或基于功率模塊的輕型設計。這也就是說要采用兼容型PCB和較小的電線，而不是采用匯流條和較重的電線。

在Jim Witham看來，目前最適合寬禁帶半導體應用的市場有數據中心、汽車、可再生能源等行業。“數據中心、汽車和可再生能源之前是三個非常獨立的市場，而現在發生了巨大的變化，它們開始變得相互關聯了。它們現在都非常關注效率問題。”

在數據中心方面，現在數據中心消耗的電量占全球總用電量的2%，Jim Witham認為未來可能會到5%，甚至更多。“GaN技術可以發揮重要作用，通過在服務器機架中使用更高效和更小的電源，可以在同一機架空間中，使用更多的服務器，這就意味著該數據中心可以獲得更多的收入。”

當然，數據中心除了關注輕量級和小尺寸外，更為關注的其實是能源效率問題，因為在數據中心的運營成本里，有40%是電力成本。降低能源消耗，可以節省一大筆成本。Jim Witham表示，“微軟在過去5年，數據中心規模增長了5倍，預計未來5年內，數據中心的規模會增長5到10倍。”

現在，數據中心開始與汽車行業聯系起來了，汽車公司也預測其數據中心將增長10倍。因為自動駕駛會收集大量數據，并將一部分數據發送到云端，然后對其進行分析，并通過AI和機器學習后，在返回給汽車，以實現自動駕駛的目標。

意法半導體總裁兼CEO Jean-Marc Chery也看到了寬禁帶半導體的市場前景。他在參加ASPENCORE舉辦的“全球雙峰會”的主題演講中就提到，ST在積極推進SiC器件的產業化，他認為SiC器件是賦能電動汽車的關鍵技術。

電動汽車和自動駕駛是驅動汽車市場向前發展的兩大驅動因素。在汽車當中有三大應用是與電源相關的，即充電器、DC-DC轉換器和牽引逆變器。在這三大用途中，牽引逆變器是目前為止可以從GaN和SiC技術中受益最多的。因為使用GaN和SiC器件后，可以減輕汽車的重量，提高能效，讓電動汽車能夠行駛更遠距離，同時可以使用更小的電池和冷卻系統。

在自動駕駛中，由于汽車中需要安裝很多傳感器，而GaN可以幫助LiDAR改善傳感器的性能，還有車內為手機和電腦充電的無線充電，也是GaN的用武之地。

Thomas Neyer也認為，從2020年起，寬禁帶器件將主導電動汽車的關鍵應用，包括充電基礎設施、車載充電器、牽引逆變器和車載DC-DC轉換器。此外，服務器電源和5G基礎設施可在高壓直流(HVDC)輸電類型的拓撲中使用寬禁帶器件。

雖然GaN和SiC等寬禁帶半導體正在快速增長中，但其實它們的發展還是面臨著許多挑戰的。

首先是所有新技術在推廣初期都會遇到的成本問題。據Yole統計，目前SiC MOSFET器件的每安培成本比同類IGBT高出五倍以上。這主要是由于下游應用目前大多處在研發階段，還沒有形成批量產業化，尤其是在國內。孫克博士在9月份的“2018年國際泛半導體投資論壇”上表示，“從整個國際半導體市場來看，我們判斷寬禁帶半導體基本上處在爆發式增長的前期。”

安森美的Thomas Neyer對成本沒那么在意，他認為寬禁帶半導體目前遇到的最大挑戰在于為了充分利用SiC器件的功率和性能，必須對封裝進行顯著改進。因為SiC器件的尺寸要小得多，因此，必須優化分立封裝和模塊的熱性能，為此需要改進粘晶材料(die attach materials)和方法，這需要直接散熱和/或雙面散熱的方案。提高開關速度需要盡可能降低寄生電感，高電流密度需要覆晶(flip-chip)和非引線鍵合(non-wire bonded)方案。

他同時強調，真正的挑戰是為市場提供強固和高性能的器件，實現與硅電源半導體相當或優于硅電源半導體的穩定和可靠的運行。而這需要深入的專知和了解SiC故障模式。

在孫克博士看來，最大的挑戰來自材料的制備，“做芯片、做模塊可以借鑒硅的技術，但是材料的制備難度非常大，碳化硅的制備和硅的制備不同，這是制約產業發展很核心的障礙。要先解決材料問題，降低材料成本，然后再提高材料的一致性。”

當前市場上，大約有15家SiC二極管制造商和約5家SiC MOSFET制造商，還有一些公司致力于SiC JFET、SiC BJT或SiC IC技術。現階段對于更多供應商還有足夠的發展空間。

目前ROHM，英飛凌、美高森美(Microsemi) 、安森美等公司都在投入SiC的研發和產品量產。

安森美半導體已確定SiC技術為下一代電源管理器件技術的核心戰略，并相應地大量投資于制造基礎設施和技術專長。“因此，我們提供不同尺寸和封裝的600 V至1700 V SiC二極管和900 V至1200 V SiC MOSFET，并積極致力于擴增產品陣容，雖然這其中一些技術要在未來2至3個季度才投放到市場，但安森美半導體已看到這些技術對所有工業和汽車高功率市場有很大的吸引力。” Thomas Neyer對《電子工程專輯》表示。

Jean-Marc Chery表示，“SiC器件是賦能電動汽車的關鍵技術，我們的SiC器件已經量產， 我們是SiC唯一供應商，同時我們和行業領先汽車保持合作，我們有30多個SiC項目在汽車上被廣泛采用。”他透露，“今年我們在SiC市場會占據90%份額，這個市場到2020年會有6億美元規模。到2025年會有30億美元規模而我們會占據30%市場份額。”

英飛凌在11月13日宣布以1.24億歐元的價格收購德國初創公司Siltectra，將“冷切割”(Cold Spilt)這項創新技術收入囊中。這是一種高效的晶體材料加工工藝，能夠將材料損失降到最低。英飛凌將會把這項技術用到SiC晶圓切割上，從而讓單片晶圓可出產的芯片數量翻番。

英飛凌 CEO Reinhard Ploss 博士表示：“此次收購有助于我們利用 SiC 新材料，并拓展我司優秀的產品組合。我們對薄晶圓技術的系統理解和獨特的專業知識，將與 Siltectra 的創新能力和冷切割技術相輔相成。”

Ploss還希望該技術有助于改善其經濟和資源使用，特別當前不斷增長的電動汽車業務。

一直致力于硅基GaN的研究的MACOM也在今年2月份宣布了與ST的一份硅基GaN合作開發協議，來增強GaN器件的供應能力。MACOM預計這項協議在擴大MACOM供應來源的同時，還將促進擴大規模、提高產能和成本結構優化，從而加速硅基氮化鎵技術在大眾市場的普及。

總之，電力電子產品正在蓬勃發展，從智能手機、汽車、數據中心、到可再生能源系統，電子產品已經成為了我們生活中越來越大的一部分，而寬禁帶半導體在實現這一切的過程中將發揮重要作用。相信未來幾年將會是寬禁帶半導體發展的“春天”。