最重要的應用和當前電子領域大趨勢越來越需要超越常規硅器件的高壓、高頻和高溫性能。

使用諸如碳化硅(SiC)等材料的寬禁帶半導體技術正在興起，為重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC和電動汽車車載充電器以及太陽能、不間斷電源和服務器電源帶來顯著的好處和增強的可靠性。

安森美半導體包括二極管、驅動器和MOSFET的SiC陣容，以及正發展成一個整體生態系統的產品，因新推出的兩款MOSFET – 工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1而得以增強。

如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。典型的寬禁帶半導體特性，尤其是更高的能效，意味著更低的功耗直接減少熱管理問題。這不僅減少物料單(BoM)成本，還有助于產品整體尺寸和重量的進一步減少。

這些特性特別適合功率需求巨大的應用如云服務器中心，隨著中心擴展以解決數據和云存儲無止盡的需求，功率需求還在不斷增長。多個領域節省的少量功率和更高能效所節省的能源，相當于節省了幾十萬美元的成本，也避免了復雜的熱管理問題。

這種性能好處在汽車應用中也很有價值，最小化功耗/最大化能效乃至減輕幾克都會影響燃油能效，或對于電動汽車則能增加里程。

對于所有應用，SiC寬禁帶半導體減少的電磁干擾(EMI)是受歡迎的，消除了設計過程中的一些未知因素和最終增強了系統可靠性。

對于著手用相對新的、也因此不熟悉的SiC半導體技術開發方案的設計工程師，資源如器件仿真工具、SPICE模型和應用信息在通過設計流程引導他們和幫助他們完成優化的設計以應對高頻、高功率電路特有的挑戰至關重要。