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碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長(zhǎng)技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國(guó)國(guó)防先進(jìn)研究計(jì)劃局DARPA的高功率電子器件應(yīng)用寬禁帶技術(shù)HPE項(xiàng)目的發(fā)展，介紹了SiC功率器件的最新進(jìn)展及其面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。同時(shí)對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件的研究現(xiàn)狀及未來的發(fā)展方向做了概述與展望.
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