寬禁帶半導體（WBS）是自第一代元素半導體材料（Si）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:34
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本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結構和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結構
2022-05-05 14:00:502014 
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
兼首席執行官John Croteau表示：“本協議是我們引領射頻工業向硅上氮化鎵技術轉化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導體小廠改善并驗證了硅上氮化鎵技術的優勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術呢？
2019-07-31 07:42:54
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規模持續擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
近日，廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”在松山湖成立，該創新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導，易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業內知名企業共同出資發起設立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區舉行開工儀式。據悉，該項目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺，填補我國高端半導體器件的產業空白。
2018-06-25 16:54:0012150 行業標準的收緊和政府法規的改變是提高產品能效的關鍵推動因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:516425 寬禁帶功率半導體的研發與應用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢，成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領域發展的重點新材料。
2018-08-06 11:55:009041 第三代寬禁帶半導體材料被廣泛應用在各個領域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸，被業界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038617 近日，2018中國寬禁帶功率半導體及應用產業發展峰會在濟南召開。會上，國家主管部門領導與技術專家、金融投資機構、知名企業負責人等共同研討寬禁帶功率半導體產業工藝和產業鏈建設，為技術協同以及產業、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:253990 現代電子技術偏愛高壓，轉向寬禁帶半導體的高壓系統，是因為：首先，高壓意味著低電流，這也意味著系統所用的銅總量會減少，結果會直接影響到系統成本的降低；其次，寬禁帶技術(通過高壓實現)的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306038 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。典型的寬禁帶半導體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 5月16日上午，濟南寬禁帶半導體產業小鎮起步區項目開工活動在濟南槐蔭經濟開發區舉行。寬禁帶半導體產業小鎮位于濟南槐蔭經濟開發區的，緊鄰西客站片區和濟南國際醫學中心，是濟南實施北跨發展和新舊動能轉換
2019-05-17 17:18:524422 資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅動IC設計開發，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產業鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導體材料，禁帶寬度為3.4eV，對應截至波長365nm，對可見光無響應，克服了硅基紫外傳感器對可見光有強烈響應，且紫外靈敏度低的缺點，是制備紫外線傳感器的理想材料
2020-07-13 10:54:582256 Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰，共同促進寬禁帶半導體行業的發展。
2020-12-21 15:48:571258 先進研究計劃局DARPA的高功率電子器件應用寬禁帶技術HPE項目的發展，介紹了SiC功率器件的最新進展及其面臨的挑戰和發展前景。同時對我國寬禁帶半導體SiC器件的研究現狀及未來的發展方向做了概述與展望.
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被認識得越來越清晰。實現低導通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場，也就是選擇寬禁帶的半導體材料。
2021-03-01 16:12:0024 理工大學等純研究機構。 幾年來，這些單位的規劃總投資已經超過300億元，總產能超過180萬片/年。專家預計，2022年，此類產品成本逐步下降之后，國內產品有望實現部分國產替代。 寬禁帶（WBG）半導體包括碳化硅還有氮化鎵（GaN），其啟蒙階段的“頂流
2021-06-08 15:29:092215 作為2021年技術熱詞，寬禁帶總會在各大技術熱文中被提起，我們在以往的文章中也笑稱，寬禁帶半導體是電動汽車的“寵兒”，但也有些朋友會問我們，寬禁帶半導體為什么總是要和汽車一起提起呢？ 說到這里，我們
2021-08-26 15:20:283017 泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰略合作聯盟，雙方將深度整合資源，優勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產業鏈的產品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰。
2021-11-08 17:20:314217 
大會同期舉辦了面向寬禁帶半導體領域的“寬禁帶半導體助力碳中和發展峰會”。峰會以“創新技術應用，推動后摩爾時代發展”為主題，邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、蘇州晶湛半導體
2021-12-23 14:06:342830 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。
2022-02-21 16:47:151118 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導體材料，在半導體行業是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領域還包括自旋電子學和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些
2022-03-23 14:15:082073 
對于寬禁帶半導體行業目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導體行業主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態形式、設備控制都不一樣，要想做好這個行業的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點。
2022-07-05 12:44:534542 在高端應用領域，碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛，被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161771 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。
2022-08-02 17:22:121579 對電子設備的需求激增正在推動半導體行業多個領域的增長。制造商通過使用非傳統產品和應用程序添加差異化服務來尋求競爭優勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 （WBG） 半導體，由于一系列應用程序供應商的興趣激增，它經歷了更新。
2022-08-05 14:39:172174 效率的替代品：碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。 這些高度創新的材料屬于寬帶隙 (WBG) 半導體系列。WBG 非凡的物理和電氣特性使這些材料非常適合滿足高頻電源應用的性能需求，包括極端功率和工作溫度以及對以緊湊外形實現更快、高效、
2022-08-08 10:16:491930 
隨著寬禁帶半導體材料成本得到明顯下降，其應用情況將會發生明顯變化。 編者按： 近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導體，展示出高頻、高壓、高溫等獨特的性能優勢，迎來新的發展機遇
2022-10-28 11:04:341760 
碳化硅（SiC）是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃，而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化硅半導體器件。
2022-11-29 09:10:391948 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導體，指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 在這種情況下，第三代化合物半導體材料——碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料進入了大眾的視線。與前兩代半導體材料相比，寬禁帶半導體材料因其在禁帶寬度和擊穿場強等方面的優勢以及耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等特點
2023-02-01 14:39:431358 寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應電子躍遷導帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810872 在這種情況下，第三代化合物半導體材料——碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料進入了大眾的視線。與前兩代半導體材料相比，寬禁帶半導體材料因其在禁帶寬度和擊穿場強等方面的優勢以及耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等特點
2023-02-03 11:09:461997 氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
2023-02-05 15:19:593114 金剛石半導體前景 金剛石作為絕佳的寬禁帶半導體材料的同時還集力學、熱學、聲學、光學、電學等優異性能于一身， 這使其在高新科技尖端領域中， 特別是電子技術中得到廣泛關注， 被公認為是最具前景的新型
2023-02-07 14:13:162687 硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于所謂寬禁帶半導體之列。
2023-02-12 13:52:271619 氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于所謂寬禁帶半導體之列。它是微波功率晶體管的優良材料，也是藍色光發光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。
2023-02-14 16:47:081048 氮化鎵（GaN）是一種具有半導體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶隙（band-gap）”，因此與硅基電子產品相比具有許多優勢。
2023-02-15 17:52:352111 二維磁性半導體是一種兼具鐵磁性和半導體性的材料，有望將信息存儲和邏輯運算機集成為一個單元，是下一代低能耗集成電路、自旋電子學與部分自旋量子器件的基礎。
2023-02-22 18:10:001315 第三代寬禁帶半導體材料廣泛應用于各個領域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發展瓶頸，受到了業界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912 在材料領域的第一代，第二代， 第三代 并不具有“后一代優于前一代”的說法。國外一般會把氮化鎵、碳化硅等材料叫做寬
禁帶半導體；把氮化鎵、氮化鋁、氮化銦和他們的混晶材料成為氮化物半導體、或者把氮化鎵
2023-02-27 14:50:125 郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。
2023-04-26 10:21:321473 ）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-05-05 17:46:2211803 
第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
為代表的寬禁帶功率半導體在光伏風能發電、儲能、大數據、5G通信、新能源汽車等領域或將迎來前所未有的黃金發展期。如何促進寬禁帶半導體在集成電路領域的融合創新？如何提
2023-06-30 10:08:301328 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結構的氮化物半導體是直接帶隙半導體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續可調，是制備藍綠光波段光電器件的優選材料。
2023-08-04 11:47:572103 
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料
?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:401519 
氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:453089 寬禁帶半導體光電探測技術在科學、工業和醫療領域中發揮著重要作用，提供了高效的光電轉換和探測功能，推動了許多現代科技應用的發展。
2023-09-20 17:52:092640 
隨著全球進入物聯網、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現高電壓、高溫和高頻能力、滿足當前主流應用需求的寬禁帶半導體高能量轉換效率半導體材料開始成為市場寵兒，開啟了第三代半導體的新紀元。
2023-09-22 15:40:411636 
點擊藍字?關注我們 寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應用前景。根據市場調研機構的數據，寬
2023-10-08 19:15:02966 碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產業鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
點擊上方 “泰克科技” 關注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。 氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:101213 
? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? 在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。 在整個
2023-12-07 10:45:021167 2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。
2023-12-15 16:44:111621 在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬
2023-12-16 08:30:341284 
氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184062 氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發展方向等方面的內容。 氮化鎵半導體的性質 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 氮化物半導體具有寬禁帶、可調，高光電轉化效率等優點，在紫外傳感器，功率器件，射頻電子器件，LED照明、顯示、深紫外殺菌消毒、激光器、存儲等領域具有廣闊的應用前景，被認為是有前途的發光材料。
2024-01-15 18:18:562907 
近日，全球寬禁帶領域的領軍企業意法半導體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會，受到電力和能源領域專業嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341127 2024年3月29日，2024上海全球投資促進會在臨港新片區召開，其中包括寬禁帶半導體產業鏈投資機遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 會上，臨港新片區管委會聯動萬業企業（600641.SH）旗下凱世通等多家行業翹楚，協同成立“汽車—寬禁帶半導體產業鏈聯盟”。聯盟成立儀式上，凱世通總經理陳克祿博士代表關鍵裝備企業發聲。
2024-04-03 15:50:561150 功率電子學在現代科技領域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認識并保證寬禁帶（WBG）半導體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311645 當今，氣候變化與如何應對持續增長的能源需求已經成為人類面臨的共同挑戰，而寬禁帶半導體高度契合節能減排需求，并在能源轉型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18788 半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產基礎設施
2024-06-28 09:30:591876 在全球半導體市場日新月異的今天，荷蘭半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日邁出了重大的一步。這家以技術創新和產品質量著稱的公司宣布，計劃投資高達2億美元（約合1.84億歐元），用于研發下一代寬禁帶半導體產品，并在其位于漢堡的工廠建立生產基礎設施。
2024-06-28 11:12:341390 下一代寬禁帶半導體（WBG）的研發和生產，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進一步鞏固其作為全球節能半導體領導者的地位。
2024-06-28 16:56:381689 在全球半導體產業日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現了其前瞻性的戰略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡工廠開發下一代寬禁帶半導體產品，并擴大其晶圓廠的產能。
2024-06-29 10:03:261671 功率半導體和寬禁半導體是兩種不同類型的半導體材料，它們在電子器件中的應用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區別： 材料類型：功率半導體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 的角色。它們是構成電子器件和光電子器件的基礎。根據禁帶寬度的不同，半導體材料可以分為窄禁帶、中禁帶和寬禁帶材料。寬禁帶半導體材料因其獨特的電子和光學特性，在高功率、高頻、高溫和高亮度應用中展現出巨大的潛力。 寬禁帶半導
2024-07-31 09:09:063202 ? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優勢，且它們在電力電子系統和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導體
2024-12-05 09:37:102785 
?無需焊接或探針，即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現快速、重復測試 ?寄生功率回路電感小于10nH，實現干凈的動態測試波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 ：在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發論壇上，英飛凌與匯川等企業展示了寬禁帶半導體技術的最新進展。從SiC與GaN技術的創新應用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
隨著全球汽車產業向電動化、智能化邁進，半導體技術已成為推動這一變革的關鍵驅動力。特別是寬禁帶半導體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場深刻的技術革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680 隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗。傳統的離子防護理念亟待升級。本文將探討在此背景下，高性能離子捕捉劑如何從“被動防御”轉向“主動保障”，成為高可靠性設計的核心一環。
2025-12-08 16:36:01531 
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