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寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應用前景。根據市場調研機構的數據，寬禁帶半導體市場的全球規模預計將從 2020 年的 27.6 億美元增長到 2027 年的 86. 5億美元，年復合增長率達到 17.5%。其中，碳化硅（SiC）半導體市場規模較大，占據了市場份額的大部分。預計未來幾年，隨著新能源汽車的普及和5G基礎設施建設的加速推進，寬禁帶半導體市場將持續保持高速增長。

由深圳市電子商會和 Bodo’s 功率系統雜志主辦的Bodo’s 寬禁帶半導體論壇將于今年10月12日在深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區線下舉辦，分享寬禁帶半導體領域的技術發展和最新成就。安森美(onsemi)電源方案部產品經理Jerry也將在現場為大家概述安森美的EV充電設計生態系統和應用于充電樁的智能電源產品和方案，包括碳化硅(SiC)、電源模塊和門極驅動器等，以及參考設計和支持工具，助您簡化設計，最大化能效以及減小尺寸。