在全球電氣化和數字化浪潮不斷加速的今天，半導體技術作為其核心驅動力，正迎來前所未有的發展機遇。近日，全球知名半導體制造商Nexperia（安世半導體）宣布，將斥資2億美元（約合1.84億歐元）用于下一代寬禁帶半導體（WBG）的研發和生產，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進一步鞏固其作為全球節能半導體領導者的地位。

此項重大投資正值Nexperia位于德國漢堡的晶圓廠成立100周年之際，具有里程碑意義。該晶圓廠自1924年Valvo Radior?hrenfabrik創立以來，經過不斷的技術革新和產業升級，如今已成為全球小信號二極管和晶體管的重要生產基地，為全球約四分之一的需求提供支持。

隨著能源效率日益成為全球關注的焦點，寬禁帶半導體技術的應用顯得尤為重要。SiC和GaN作為其中的佼佼者，以其優異的性能在數據中心、可再生能源和電動汽車等領域展現出巨大的潛力。Nexperia此次投資，正是為了抓住這一歷史機遇，通過研發和生產高性能的寬禁帶半導體產品，為全球客戶提供更高效、更環保的解決方案。

Nexperia德國首席運營官兼常務董事Achim Kempe表示：“這項投資不僅將鞏固我們在節能半導體領域的領先地位，還將使我們能夠更負責任地利用電能。未來，我們的漢堡晶圓廠將全面覆蓋寬禁帶半導體產品線，繼續為全球客戶提供高質量、具有成本效益的半導體產品。”

為了實現這一目標，Nexperia計劃從2024年6月開始，在德國漢堡工廠正式開展SiC、GaN和Si三種技術的研發和生產工作。首條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產線已于今年6月投入使用，標志著Nexperia在寬禁帶半導體領域邁出了堅實的一步。

除了生產線的建設外，Nexperia還將加大對漢堡工廠基礎設施的自動化投入，并通過逐步轉向使用200毫米晶圓來擴大硅的產能。同時，新的研發實驗室也在建設中，以確保從研究到生產的無縫過渡。

值得一提的是，Nexperia此次投資還將對當地經濟產生積極影響。通過保障和創造就業機會、增強歐盟半導體自給自足的能力等方式，為當地經濟發展注入新的活力。同時，Nexperia還與大學和研究機構保持密切合作，共同推動高素質的員工培訓和技術創新。

Nexperia德國首席財務官兼常務董事Stefan Tilger表示：“作為全球少數幾家能夠提供全線半導體技術產品系列的供應商之一，Nexperia致力于為客戶提供一站式服務，滿足他們所有的半導體需求。此次投資將使我們能夠在漢堡開展寬禁帶芯片的設計和生產工作，進一步鞏固我們在全球半導體市場的領先地位。”

展望未來，Nexperia將繼續秉承創新、高效、環保的理念，為全球客戶提供更優質的半導體產品和服務，助力實現能源高效利用和減排目標。