在材料方面,除了硅基,第三代寬禁帶半導體是這幾年的熱門技術,我國除了在硅基方面進行追趕外,在第三代半導體方面也做了很多投入,有了不少的創新研究。國家總共投資了4億元來建設寬禁帶半導體器件與集成電路國家工程研究中心,這個工程研究中心不僅僅承載著解決技術的問題,我們還承載著一些對原創性技術的布局。
2020-08-17 09:05:56
19141 ? ? 碳化硅 為寬禁帶材料,具有高導熱系數、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優異的材料特性,因此適合作為高耐壓、高溫、高頻及抗輻射等操作的功率半導體器件設計的材料基礎。 ?? ?寬禁帶半導體器件
2022-11-17 15:28:07
3911 
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
,從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢,有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商,除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
與緊湊封裝:產品符合AEC-Q100車規標準,工作溫度范圍覆蓋-40°C至125°C。采用節省空間的SOT23-6封裝。
主要優勢:
充分釋放寬禁帶器件性能:高驅動電壓與強大的拉灌電流能力,可確保
2025-12-26 08:20:58
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢,有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商,除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
,從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計算中的瓶頸。此外當PBG結構為圓環形時,一般的階梯近似不足以滿足計算精度。針對以上兩個問題,本文采用本課題組帶有共形網格建模的MPI并行FDTD程序對圓環形PBG結構進行了分析。討論了單元數目,單元間距,圓孔內徑和導帶寬度對S參數的影響,最后設計了一種寬禁帶圓環形PBG結構。
2019-06-27 07:01:22
,從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術呢?
2019-07-31 07:42:54
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見。隨著電子電力的發展,功率器件
2022-01-23 14:15:50
本文基于Agilent ADS仿真軟件設計實現一款高效GaN寬禁帶功率放大器,詳細說明設計步驟并對放大器進行了測試,結果表明放大器可以在2.3~2.4 GHz內實現功率15W以上,附加效率超過67%的輸出。
2021-04-06 06:56:41
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
請問怎么優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計?
2021-06-17 06:45:48
12月11日,中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟(以下簡稱“寬禁帶聯盟”)團體標準評審會在北京市大興區天榮街9號世農大廈3層會議室順利召開。此次評審會包含《碳化硅單晶》等四項團體標準送審稿審定及《碳化硅混合模塊產品檢測方法》等四項團體標準草案討論兩部分內容。
2017-12-13 09:05:51
4919 氮化物寬禁帶半導體在微波功率器件和電力電子器件方面已經展現出巨大的應用前景,而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應用的新型氮化物電力電子器件。但是,材料結晶質量差和電學性能低,是限制
2018-07-26 09:09:00
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近日,廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”在松山湖成立,該創新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導,易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業內知名企業共同出資發起設立。
2018-06-11 01:46:00
11051 6月23日,英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區舉行開工儀式。據悉,該項目總投資60億,占地368畝,建成后將成為世界一流的集研發、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺,填補我國高端半導體器件的產業空白。
2018-06-25 16:54:00
12150 行業標準的收緊和政府法規的改變是提高產品能效的關鍵推動因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎,具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:51
6425 寬禁帶功率半導體的研發與應用日益受到重視,其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)以高效的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢,成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領域發展的重點新材料。
2018-08-06 11:55:00
9041 第三代寬禁帶半導體材料被廣泛應用在各個領域,包括電力電子,新能源汽車,光伏,機車牽引,以及微波通訊器件等,由于它突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸,被業界一直看好。
2018-10-10 16:57:40
38617 郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件,利用高界面質量的凹槽半懸空柵技術,器件的fmax達320GHz,在輸出功率密度一定的情況下,功率附加效率在30GHz頻率下為目前國際GaN基HEMT中最高值。
2018-10-22 16:49:01
12236 近日,2018中國寬禁帶功率半導體及應用產業發展峰會在濟南召開。會上,國家主管部門領導與技術專家、金融投資機構、知名企業負責人等共同研討寬禁帶功率半導體產業工藝和產業鏈建設,為技術協同以及產業、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:25
3990 現代電子技術偏愛高壓,轉向寬禁帶半導體的高壓系統,是因為:首先,高壓意味著低電流,這也意味著系統所用的銅總量會減少,結果會直接影響到系統成本的降低;其次,寬禁帶技術(通過高壓實現)的阻性損耗
2018-12-13 16:58:30
6038 如典型的寬禁帶SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位,可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。典型的寬禁帶半導體特性,尤其是
2019-04-03 15:46:09
4850 5月16日上午,濟南寬禁帶半導體產業小鎮起步區項目開工活動在濟南槐蔭經濟開發區舉行。寬禁帶半導體產業小鎮位于濟南槐蔭經濟開發區的,緊鄰西客站片區和濟南國際醫學中心,是濟南實施北跨發展和新舊動能轉換
2019-05-17 17:18:52
4422 擊穿場強、高飽和電子漂移速率、化學性能穩定以及抗輻射等優點, 特別適合制造高溫、高頻、高功率和抗輻射的功率器件。用寬禁帶半導體制成的高溫、高頻和大功率微波器件可以明顯改善雷達、電子對抗系統以及通信系統等
2020-01-19 17:22:00
2205 
寬禁帶材料實現了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。 安森美
2020-05-28 09:58:59
2018 
資料顯示,英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣,注冊資本20億元,占地368.6畝,主要建設從器件設計,驅動IC設計開發,材料制造,器件制備,后段高端封測以及模塊加工的全產業鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:55
1214 寬禁帶材料實現了較當前硅基技術的飛躍。它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。 安森美半導體
2020-10-10 10:35:22
4167 
基于新興GaN和SiC寬禁帶技術的新型半導體產品,有望實現更快的開關速度,更寬的溫度范圍,更好的功率效率,以及其他更多增強功能。
2020-10-23 11:03:26
1297 第三代寬禁帶半導體器件 GaN 和 SiC 的出現,推動著功率電子行業發生顛覆式變革。新型開關器件既能實現低開關損耗,又能處理超高速 dv/dt 轉換,且支持超快速開關切換頻率,帶來的測試挑戰也成了
2020-10-30 03:52:11
1116 現代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關晶體管速度越來越快,使得測量和表征成為相當大的挑戰,在某些情況下幾乎不可能實現。隔離探測技術的出現改變了這種局面,通過這一技術,設計人員終于能夠放心
2020-12-14 23:36:00
22 Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰,共同促進寬禁帶半導體行業的發展。
2020-12-21 15:48:57
1258 碳化硅(SiC)是第三代半導體材料的典型代表,也是目前晶體生長技術和器件制造水平最成熟,應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一,是高溫,高頻,抗輻照,大功率應用場合下極為理想的半導體材料。文章結合美國國防
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被認識得越來越清晰。實現低導通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場,也就是選擇寬禁帶的半導體材料。
2021-03-01 16:12:00
24 的角度來看,這將具有現實意義。寬禁帶(WBG)半導體技術的出現將有望在實現新的電機能效和外形尺寸基準方面發揮重要作用。
2021-05-01 09:56:00
2760 材料性質的研究是當代材料科學的重要一環,源表SMU 在當代材料科學研究中,起到舉足輕重的作用,吉時利源表SMU在許多學科工程師和科學家中享有盛譽,以其優異的性能為當代材料科學研究提供多種測試方案,今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。
2021-08-20 11:17:47
719 作為2021年技術熱詞,寬禁帶總會在各大技術熱文中被提起,我們在以往的文章中也笑稱,寬禁帶半導體是電動汽車的“寵兒”,但也有些朋友會問我們,寬禁帶半導體為什么總是要和汽車一起提起呢? 說到這里,我們
2021-08-26 15:20:28
3017 泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰略合作聯盟,雙方將深度整合資源,優勢互補,圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產業鏈的產品合作,為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰。
2021-11-08 17:20:31
4217 
大會同期舉辦了面向寬禁帶半導體領域的“寬禁帶半導體助力碳中和發展峰會”。峰會以“創新技術應用,推動后摩爾時代發展”為主題,邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、蘇州晶湛半導體
2021-12-23 14:06:34
2830 
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將顯著擴大寬禁帶(碳化硅和氮化鎵)半導體的產能,進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。
2022-02-21 16:47:15
1118 對于寬禁帶半導體行業目前概況,呂凌志博士直言,寬禁帶半導體行業主要有襯底、外延、器件三大段,由于每部分的物態形式、設備控制都不一樣,要想做好這個行業的MES軟件,就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點。
2022-07-05 12:44:53
4543 在高端應用領域,碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛,被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:16
1771 金秋10月,Bodo's寬禁帶半導體論壇驚艷亮相深圳ESSHOW 2021年,特斯拉創紀錄出貨量助碳化硅達到了10億美元市場規模;比亞迪“漢”和現代Ioniq-5也都因搭載高性能碳化硅模塊受益于快速
2022-07-29 15:49:29
1210 
寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見。隨著電子電力的發展,功率器件的使用越來越多,SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。
2022-08-02 17:22:12
1579 固體中電子的能量分布是離散的,電子都分布在不連續的能帶(Energy Band)上,價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度(Energy Gap),禁帶寬度反映了被束縛價電子要成為自由電子所必須獲得的額外能量。
2022-10-17 14:15:45
2686 隨著寬禁帶半導體材料成本得到明顯下降,其應用情況將會發生明顯變化。 編者按: 近年來,以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導體,展示出高頻、高壓、高溫等獨特的性能優勢,迎來新的發展機遇
2022-10-28 11:04:34
1760 
碳化硅(SiC)是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料,世界各國對SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發展,美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃,而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化硅半導體器件。
2022-11-29 09:10:39
1948 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料,它們具有
2022-12-09 14:29:42
1621 
寬禁帶半導體,指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大,決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:03
3531 二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關注。
2023-01-17 10:31:44
1399 寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料,是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大,對應電子躍遷導帶能量越大,從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:58
10872 第三代寬禁帶半導體材料廣泛應用于各個領域,包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發展瓶頸,受到了業界的青睞。
2023-02-23 17:59:48
3757 
)為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-05-05 17:46:22
11803 
2023年6月6日,東南大學迎來了建校121周年紀念日。當天下午,東南大學集成電路學院揭牌儀式在南京舉辦。 揭牌儀式上,“ 東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯合研發中心”共建合作協議正式簽署
2023-06-08 20:05:02
2674 
第95期什么是寬禁帶半導體?半導體迄今為止共經歷了三個發展階段:第一代半導體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:46
6543 
為代表的寬禁帶功率半導體在光伏風能發電、儲能、大數據、5G通信、新能源汽車等領域或將迎來前所未有的黃金發展期。如何促進寬禁帶半導體在集成電路領域的融合創新?如何提
2023-06-30 10:08:30
1328 
根據用戶在寬禁帶、雙脈沖測試遇到的種種問題,安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務,加快有關 SiC 和 GaN 功率器件與系統的驗證。 通過以下方式幫助您提高系統性能: 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:36
1262 
隨著電力電子技術在汽車電子、醫療器械、航空航天等領域的應用越來越廣泛,寬禁帶半導體材料與器件的研究和發展也進入了加速階段。
2023-08-24 17:43:50
1755 
寬禁帶半導體光電探測技術在科學、工業和醫療領域中發揮著重要作用,提供了高效的光電轉換和探測功能,推動了許多現代科技應用的發展。
2023-09-20 17:52:09
2640 
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:55
1235 
SiC,作為發展最成熟的寬禁帶半導體材料之一,具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。
2023-09-28 16:54:26
5233 
點擊藍字?關注我們 寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料,例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性,因此具有廣泛應用前景。根據市場調研機構的數據,寬
2023-10-08 19:15:02
966 碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域,處于寬禁帶半導體產業鏈的前端,是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:06
1828 
半導體材料。 寬禁帶半導體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件,正在成為固態光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料,在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣闊的應用前景。 寬
2023-11-03 12:10:02
1785 
股份有限公司共建的寬禁帶功率器件與應用浙江省工程研究中心成功獲批。矽力杰創芯驅動模擬未來寬禁帶功率器件與應用浙江省工程研究中心圍繞寬禁帶功率半導體的器件與電源管理
2023-11-15 08:19:40
1564 
能源轉換鏈中,寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出
2023-12-07 10:45:02
1167 禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓
2023-12-16 08:30:34
1284 
近日,全球寬禁帶領域的領軍企業意法半導體(ST)在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會,受到電力和能源領域專業嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:34
1127 2024年3月29日,2024上海全球投資促進會在臨港新片區召開,其中包括寬禁帶半導體產業鏈投資機遇分論壇。
2024-03-29 16:35:24
1164 臨港新片區管委會和萬業企業(600641.SH)下屬的凱世通等知名企業聯合宣布成立“汽車-寬禁帶半導體產業鏈聯盟”,其中,凱世通總經理陳克祿博士作為關鍵裝備企業的代表榮耀見證了這一重要時刻。
2024-04-03 09:23:10
1093 會上,臨港新片區管委會聯動萬業企業(600641.SH)旗下凱世通等多家行業翹楚,協同成立“汽車—寬禁帶半導體產業鏈聯盟”。聯盟成立儀式上,凱世通總經理陳克祿博士代表關鍵裝備企業發聲。
2024-04-03 15:50:56
1150 功率電子學在現代科技領域扮演著舉足輕重的角色,尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求,我們需充分認識并保證寬禁帶(WBG)半導體(如碳化硅(SiC)和氮化鎵
2024-06-07 14:30:31
1646 當今,氣候變化與如何應對持續增長的能源需求已經成為人類面臨的共同挑戰,而寬禁帶半導體高度契合節能減排需求,并在能源轉型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18
788 
7月9日,英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應用的最新發展成果,與行業伙伴一道深入探討寬禁帶領域的應用與發展,攜手推動低碳化和數
2024-06-28 08:14:35
1436 
在全球半導體市場日新月異的今天,荷蘭半導體制造商Nexperia(安世半導體)近日邁出了重大的一步。這家以技術創新和產品質量著稱的公司宣布,計劃投資高達2億美元(約合1.84億歐元),用于研發下一代寬禁帶半導體產品,并在其位于漢堡的工廠建立生產基礎設施。
2024-06-28 11:12:34
1391 下一代寬禁帶半導體(WBG)的研發和生產,包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等高性能材料,進一步鞏固其作為全球節能半導體領導者的地位。
2024-06-28 16:56:38
1690 在全球半導體產業日新月異的今天,芯片制造商Nexperia(安世半導體)再次展現了其前瞻性的戰略布局。近日,該公司宣布將投資高達2億美元,用于在德國漢堡工廠開發下一代寬禁帶半導體產品,并擴大其晶圓廠的產能。
2024-06-29 10:03:26
1672 英飛凌致力于通過其創新的寬禁帶(WBG)半導體技術推進可持續能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創新產品,偕同英飛凌智能家居方案,以及電動交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:31
1370 
功率半導體和寬禁半導體是兩種不同類型的半導體材料,它們在電子器件中的應用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區別: 材料類型:功率半導體通常由硅(Si)或硅碳化物(SiC)等材料制成,而寬禁
2024-07-31 09:07:12
1517 的角色。它們是構成電子器件和光電子器件的基礎。根據禁帶寬度的不同,半導體材料可以分為窄禁帶、中禁帶和寬禁帶材料。寬禁帶半導體材料因其獨特的電子和光學特性,在高功率、高頻、高溫和高亮度應用中展現出巨大的潛力。 寬禁帶半導
2024-07-31 09:09:06
3202 ,被稱為第三代寬禁帶半導體。 優勢 高溫、高頻、高耐壓:相比第一代(Si、Ge)和第二代(GaAs、InSb、InP)半導體材料,第三代半導體材料在這些方面具備明顯優勢。 導通電阻小:降低了器件的導通損耗。 電子飽和速率和電子遷移率高:提高
2024-12-05 09:37:10
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樣品活動進行中,掃碼了解詳情近年來,電動汽車的興起帶動了寬禁帶器件的應用,并逐漸滲透到各個市場。目前,工業電機主要使用逆變器來提高能效等級,這些逆變器在使用傳統硅MOSFET和IGBT作為功率開關
2024-12-25 17:30:32
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本文介紹第三代寬禁帶功率半導體的應用 在電動汽車的核心部件中,車用功率模塊(當前主流技術為IGBT)占據著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅動系統的關鍵性能,還占據了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:57
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一、引言隨著科技的不斷發展,功率半導體器件在電力電子系統、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:30
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目前電氣化仍是減少碳排放的關鍵驅動力,而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統硅器件相比,寬禁帶技術,如碳化硅(SiC)和氮化鎵( GaN)等仍是促進功率轉換效率的關鍵。工程師必須重新評估他們的驗證和測試方法,以應對當今電氣化的挑戰。
2025-02-19 09:37:10
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寬禁帶(WBG)解決方案將能效提升到了新高度。憑借其更高的功率密度和更小的封裝尺寸,它們是實現可持續設計的關鍵。英飛凌的WBG產品組合表現如何?能為開發者帶來哪些益處?英飛凌全球寬禁帶開發者論壇
2025-03-06 08:33:27
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?無需焊接或探針,即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現快速、重復測試 ?寄生功率回路電感小于10nH,實現干凈的動態測試波形 是德科技(NYSE
2025-03-14 14:36:25
738 主導著逆變器設計領域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現正在重塑行業格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關頻率和更
2025-04-25 11:34:35
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:在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發論壇上,英飛凌與匯川等企業展示了寬禁帶半導體技術的最新進展。從SiC與GaN技術的創新應用到融合Si與SiC逆變器概念,再
2025-07-24 06:20:48
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2025 年 8 月 15 日至 17 日,2025 IEEE 亞洲寬禁帶功率器件及應用研討會(WiPDA Asia 2025)在北京國際會議中心成功舉辦。 本次功率器件研討會由 IEEE 電力
2025-08-28 16:00:57
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隨著全球汽車產業向電動化、智能化邁進,半導體技術已成為推動這一變革的關鍵驅動力。特別是寬禁帶半導體材料,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其卓越的電氣性能,正在掀起一場深刻的技術革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03
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