国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

電子發燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>模擬技術>揭秘寬禁帶器件檢測要點?

揭秘寬禁帶器件檢測要點?

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦
熱點推薦

投資4億元的帶工程研究中心,研發成果有哪些?

在材料方面,除了硅基,第三代半導體是這幾年的熱門技術,我國除了在硅基方面進行追趕外,在第三代半導體方面也做了很多投入,有了不少的創新研究。國家總共投資了4億元來建設半導體器件與集成電路國家工程研究中心,這個工程研究中心不僅僅承載著解決技術的問題,我們還承載著一些對原創性技術的布局。
2020-08-17 09:05:5619141

SiC設計系列終結篇:富昌電子基于SiC MOSFET的電動汽車逆變器方案及其設計要點

? ? 碳化硅 為材料,具有高導熱系數、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優異的材料特性,因此適合作為高耐壓、高溫、高頻及抗輻射等操作的功率半導體器件設計的材料基礎。 ?? ?半導體器件
2022-11-17 15:28:073911

半導體

半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50

技術助力電動汽車續航

,從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是材料,提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2018-10-30 08:57:22

帶方案的發展趨勢怎么樣?

市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。產品有出色的性能優勢,有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商,除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30

SiLM27531H面向器件的高性能車規級低邊驅動器

與緊湊封裝:產品符合AEC-Q100車規標準,工作溫度范圍覆蓋-40°C至125°C。采用節省空間的SOT23-6封裝。 主要優勢: 充分釋放寬器件性能:高驅動電壓與強大的拉灌電流能力,可確保
2025-12-26 08:20:58

一文知道應用趨勢

市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。產品有出色的性能優勢,有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商,除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36

一文詳解下一代功率器件技術

,從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是材料,提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16

一種圓環形PBG結構設計

計算中的瓶頸。此外當PBG結構為圓環形時,一般的階梯近似不足以滿足計算精度。針對以上兩個問題,本文采用本課題組帶有共形網格建模的MPI并行FDTD程序對圓環形PBG結構進行了分析。討論了單元數目,單元間距,圓孔內徑和導帶寬度對S參數的影響,最后設計了一種圓環形PBG結構。
2019-06-27 07:01:22

什么是技術?

,從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用(WBG)產品來實現這一目標。那么具體什么是技術呢?
2019-07-31 07:42:54

吉時利源表在材料測試的應用方案

。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在材料測試的應用方案。一·材料介紹材料是指帶寬度大于2.3eV的半導體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見。隨著電子電力的發展,功率器件
2022-01-23 14:15:50

如何利用Agilent ADS設計實現一款高效GaN功率放大器?

本文基于Agilent ADS仿真軟件設計實現一款高效GaN功率放大器,詳細說明設計步驟并對放大器進行了測試,結果表明放大器可以在2.3~2.4 GHz內實現功率15W以上,附加效率超過67%的輸出。
2021-04-06 06:56:41

報名 | 半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會

`由電氣觀察主辦的“半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。半導體電力電子技術的應用、半導體電力電子器件的封裝、帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55

請問怎么優化材料器件的半橋和門驅動器設計?

請問怎么優化材料器件的半橋和門驅動器設計?
2021-06-17 06:45:48

封裝大新聞|燒結銀可以解決現有存在的五大難題

半導體行業資訊
善仁(浙江)新材料科技有限公司發布于 2023-04-28 17:00:16

半導體:聊聊碳化硅(全是干貨!)#電路知識 #電工 #電工知識

碳化硅半導體
微碧半導體VBsemi發布于 2024-01-17 17:55:33

中關村天合半導體技術創新聯盟團體標準評審會順利召開

  12月11日,中關村天合半導體技術創新聯盟(以下簡稱“聯盟”)團體標準評審會在北京市大興區天榮街9號世農大廈3層會議室順利召開。此次評審會包含《碳化硅單晶》等四項團體標準送審稿審定及《碳化硅混合模塊產品檢測方法》等四項團體標準草案討論兩部分內容。
2017-12-13 09:05:514919

氮化物半導體展現巨大應用前景

氮化物半導體在微波功率器件和電力電子器件方面已經展現出巨大的應用前景,而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應用的新型氮化物電力電子器件。但是,材料結晶質量差和電學性能低,是限制
2018-07-26 09:09:001153

第三代半導體材料,是我國彎道超車的機會

近日,廣東省“半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”在松山湖成立,該創新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導,易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業內知名企業共同出資發起設立。
2018-06-11 01:46:0011051

英諾賽科半導體項目落戶蘇州市吳江區,總投資60億

6月23日,英諾賽科半導體項目在蘇州市吳江區舉行開工儀式。據悉,該項目總投資60億,占地368畝,建成后將成為世界一流的集研發、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺,填補我國高端半導體器件的產業空白。
2018-06-25 16:54:0012150

GaN黑科技 技術

行業標準的收緊和政府法規的改變是提高產品能效的關鍵推動因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是材料,提供下一代功率器件的基礎,具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:516425

我國功率半導體行業現狀如何?未來又將如何發展?

功率半導體的研發與應用日益受到重視,其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)以高效的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢,成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領域發展的重點新材料。
2018-08-06 11:55:009041

半導體是什么?該如何理解它比較好?

第三代半導體材料被廣泛應用在各個領域,包括電力電子,新能源汽車,光伏,機車牽引,以及微波通訊器件等,由于它突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸,被業界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038617

盤點與超寬半導體器件最新進展

郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件,利用高界面質量的凹槽半懸空柵技術,器件的fmax達320GHz,在輸出功率密度一定的情況下,功率附加效率在30GHz頻率下為目前國際GaN基HEMT中最高值。
2018-10-22 16:49:0112236

濟南將建設半導體小鎮 多項政策支持加快打造百億級半導體產業集群

近日,2018中國功率半導體及應用產業發展峰會在濟南召開。會上,國家主管部門領導與技術專家、金融投資機構、知名企業負責人等共同研討功率半導體產業工藝和產業鏈建設,為技術協同以及產業、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:253990

半導體器件的春天要來了嗎?

現代電子技術偏愛高壓,轉向半導體的高壓系統,是因為:首先,高壓意味著低電流,這也意味著系統所用的銅總量會減少,結果會直接影響到系統成本的降低;其次,技術(通過高壓實現)的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306038

使用諸如碳化硅(SiC)等材料的半導體技術正在興起

如典型的SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位,可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。典型的半導體特性,尤其是
2019-04-03 15:46:094850

濟南半導體產業小鎮開工 將著力打造具有國際影響力的半導體研發基地和產業聚集區

5月16日上午,濟南半導體產業小鎮起步區項目開工活動在濟南槐蔭經濟開發區舉行。半導體產業小鎮位于濟南槐蔭經濟開發區的,緊鄰西客站片區和濟南國際醫學中心,是濟南實施北跨發展和新舊動能轉換
2019-05-17 17:18:524422

利用SiC功率器件設計寬帶高功率放大器的流程概述

擊穿場強、高飽和電子漂移速率、化學性能穩定以及抗輻射等優點, 特別適合制造高溫、高頻、高功率和抗輻射的功率器件。用半導體制成的高溫、高頻和大功率微波器件可以明顯改善雷達、電子對抗系統以及通信系統等
2020-01-19 17:22:002205

器件和仿真環境介紹

材料實現了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。 安森美
2020-05-28 09:58:592018

英諾賽科半導體項目完成

資料顯示,英諾賽科半導體項目總投資68.55億元人民幣,注冊資本20億元,占地368.6畝,主要建設從器件設計,驅動IC設計開發,材料制造,器件制備,后段高端封測以及模塊加工的全產業鏈
2020-07-06 08:54:551214

生態系統:碳化硅功率MOSFET模型的部分特性

材料實現了較當前硅基技術的飛躍。它們的大隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。 安森美半導體
2020-10-10 10:35:224167

為第三代制造工藝提供支持,泰克新推S530系列參數測試系統

基于新興GaN和SiC技術的新型半導體產品,有望實現更快的開關速度,更寬的溫度范圍,更好的功率效率,以及其他更多增強功能。
2020-10-23 11:03:261297

致工程師系列之四:半導體器件GaN、SiC設計優化驗證

第三代半導體器件 GaN 和 SiC 的出現,推動著功率電子行業發生顛覆式變革。新型開關器件既能實現低開關損耗,又能處理超高速 dv/dt 轉換,且支持超快速開關切換頻率,帶來的測試挑戰也成了
2020-10-30 03:52:111116

如何優化材料器件的半橋和門驅動器設計

現代功率器件(SiC, GaN)上的開關晶體管速度越來越快,使得測量和表征成為相當大的挑戰,在某些情況下幾乎不可能實現。隔離探測技術的出現改變了這種局面,通過這一技術,設計人員終于能夠放心
2020-12-14 23:36:0022

Cree Wolfspeed攜手泰克,共迎半導體器件發展契機與挑戰

Cree Wolfspeed與泰克共同應對半導體器件的挑戰,共同促進半導體行業的發展。
2020-12-21 15:48:571258

半導體SiC功率器件有什么樣的發展現狀和展望說明

碳化硅(SiC)是第三代半導體材料的典型代表,也是目前晶體生長技術和器件制造水平最成熟,應用最廣泛的半導體材料之一,是高溫,高頻,抗輻照,大功率應用場合下極為理想的半導體材料。文章結合美國國防
2021-02-01 11:28:4629

功率MOSFET半導體器件的研究進展詳細資料說明

器件性能的限制被認識得越來越清晰。實現低導通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場,也就是選擇的半導體材料。
2021-03-01 16:12:0024

(WBG)半導體技術將有望實現新電機能效及外形尺寸基準

的角度來看,這將具有現實意義。(WBG)半導體技術的出現將有望在實現新的電機能效和外形尺寸基準方面發揮重要作用。
2021-05-01 09:56:002760

吉時利源表在材料測試中的應用

材料性質的研究是當代材料科學的重要一環,源表SMU 在當代材料科學研究中,起到舉足輕重的作用,吉時利源表SMU在許多學科工程師和科學家中享有盛譽,以其優異的性能為當代材料科學研究提供多種測試方案,今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在材料測試的應用方案。
2021-08-20 11:17:47719

半導體為什么總和汽車一起提起

作為2021年技術熱詞,總會在各大技術熱文中被提起,我們在以往的文章中也笑稱,半導體是電動汽車的“寵兒”,但也有些朋友會問我們,半導體為什么總是要和汽車一起提起呢? 說到這里,我們
2021-08-26 15:20:283017

駕馭狼的速度,泰克與忱芯強強聯手解決半導體測試難題

泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰略合作聯盟,雙方將深度整合資源,優勢互補,圍繞功率半導體測試領域開展全產業鏈的產品合作,為客戶解決半導體測試挑戰。
2021-11-08 17:20:314217

第16屆“中國芯”-半導體助力碳中和發展峰會成功舉辦

大會同期舉辦了面向半導體領域的“半導體助力碳中和發展峰會”。峰會以“創新技術應用,推動后摩爾時代發展”為主題,邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、蘇州晶湛半導體
2021-12-23 14:06:342830

英飛凌將投資逾20億歐元在馬來西亞居林前道工廠擴大半導體的產能,進一步增強市場領導地位

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將顯著擴大(碳化硅和氮化鎵)半導體的產能,進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。
2022-02-21 16:47:151118

淺談半導體行業概況

對于半導體行業目前概況,呂凌志博士直言,半導體行業主要有襯底、外延、器件三大段,由于每部分的物態形式、設備控制都不一樣,要想做好這個行業的MES軟件,就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點。
2022-07-05 12:44:534543

半導體發展迅猛 碳化硅MOSFET未來可期

在高端應用領域,碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的半導體發展迅猛,被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161771

定寸芯,勝蒼穹,半導體助力實現雙碳目標

金秋10月,Bodo's半導體論壇驚艷亮相深圳ESSHOW 2021年,特斯拉創紀錄出貨量助碳化硅達到了10億美元市場規模;比亞迪“漢”和現代Ioniq-5也都因搭載高性能碳化硅模塊受益于快速
2022-07-29 15:49:291210

材料測試

材料是指帶寬度大于2.3eV的半導體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見。隨著電子電力的發展,功率器件的使用越來越多,SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。
2022-08-02 17:22:121579

硅基器件器件的區別

固體中電子的能量分布是離散的,電子都分布在不連續的能帶(Energy Band)上,價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為帶寬度(Energy Gap),帶寬度反映了被束縛價電子要成為自由電子所必須獲得的額外能量。
2022-10-17 14:15:452686

對話|成本下降對半導體應用多重要?

隨著半導體材料成本得到明顯下降,其應用情況將會發生明顯變化。 編者按: 近年來,以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的半導體,展示出高頻、高壓、高溫等獨特的性能優勢,迎來新的發展機遇
2022-10-28 11:04:341760

半導體材料將成為電子信息產業的主宰

碳化硅(SiC)是目前發展最成熟的半導體材料,世界各國對SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發展,美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃,而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化硅半導體器件
2022-11-29 09:10:391948

力科解答功率半導體測試探頭難題!

2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體材料,它們具有
2022-12-09 14:29:421621

半導體概述 碳化硅壽命面臨什么挑戰

半導體,指的是價帶和導之間的能量偏差(隙)大,決定了電子從價帶躍遷到導所需要的能量。更寬的隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531

碳化硅功率器件封裝關鍵技術

二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種功率器件,受到人們越來越多的關注。
2023-01-17 10:31:441399

半導體是什么?

半導體泛指室溫下隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料,是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的帶寬度越大,對應電子躍遷導能量越大,從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810872

半導體應用領域

 第三代半導體材料廣泛應用于各個領域,包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發展瓶頸,受到了業界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757

什么是半導體?

)為主的半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-05-05 17:46:2211803

揚杰科技與東南大學簽署戰略合作協議:共建功率器件技術聯合研發中心

2023年6月6日,東南大學迎來了建校121周年紀念日。當天下午,東南大學集成電路學院揭牌儀式在南京舉辦。 揭牌儀式上,“ 東南大學—揚杰科技功率器件技術聯合研發中心”共建合作協議正式簽署
2023-06-08 20:05:022674

什么是半導體?

第95期什么是半導體?半導體迄今為止共經歷了三個發展階段:第一代半導體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543

搶占席位|2023英飛凌應用技術發展論壇

為代表的功率半導體在光伏風能發電、儲能、大數據、5G通信、新能源汽車等領域或將迎來前所未有的黃金發展期。如何促進半導體在集成電路領域的融合創新?如何提
2023-06-30 10:08:301328

泰克示波器MSO58B在、雙脈沖測試中的解決方案

根據用戶在、雙脈沖測試遇到的種種問題,安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務,加快有關 SiC 和 GaN 功率器件與系統的驗證。 通過以下方式幫助您提高系統性能: 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術在汽車電子、醫療器械、航空航天等領域的應用越來越廣泛,半導體材料與器件的研究和發展也進入了加速階段。
2023-08-24 17:43:501755

半導體紫外光電探測器設計研究

半導體光電探測技術在科學、工業和醫療領域中發揮著重要作用,提供了高效的光電轉換和探測功能,推動了許多現代科技應用的發展。
2023-09-20 17:52:092640

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:551235

SiC材料及器件介紹

SiC,作為發展最成熟的半導體材料之一,具有帶寬度、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。
2023-09-28 16:54:265233

共創半導體未來,看碳化硅技術如何推動下一代直流快充樁發展

點擊藍字?關注我們 半導體是指具有能隙的半導體材料,例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性,因此具有廣泛應用前景。根據市場調研機構的數據,
2023-10-08 19:15:02966

半導體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底是新近發展的半導體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域,處于半導體產業鏈的前端,是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828

直播回顧 | 半導體材料及功率半導體器件測試

半導體材料。 半導體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件,正在成為固態光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料,在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣闊的應用前景。
2023-11-03 12:10:021785

矽力杰獲批功率器件與應用浙江省工程研究中心

股份有限公司共建的功率器件與應用浙江省工程研究中心成功獲批。矽力杰創芯驅動模擬未來功率器件與應用浙江省工程研究中心圍繞功率半導體的器件與電源管理
2023-11-15 08:19:401564

“四兩撥千斤”,技術如何顛覆性創新

能源轉換鏈中,半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出
2023-12-07 10:45:021167

“四兩撥千斤”,技術如何顛覆性創新

技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。材料讓
2023-12-16 08:30:341284

意法半導體寬研討會圓滿舉行

近日,全球帶領域的領軍企業意法半導體(ST)在深圳和上海兩地成功舉辦了研討會,受到電力和能源領域專業嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341127

2024上海全球投資盛會暨臨港新片區半導體產業鏈投資機會

2024年3月29日,2024上海全球投資促進會在臨港新片區召開,其中包括半導體產業鏈投資機遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164

凱世通聯手成立汽車-半導體產業鏈聯盟,倡導綠色低碳經濟

臨港新片區管委會和萬業企業(600641.SH)下屬的凱世通等知名企業聯合宣布成立“汽車-半導體產業鏈聯盟”,其中,凱世通總經理陳克祿博士作為關鍵裝備企業的代表榮耀見證了這一重要時刻。
2024-04-03 09:23:101093

凱世通參與上海全球投資大會,推動汽車-半導體產業合作

會上,臨港新片區管委會聯動萬業企業(600641.SH)旗下凱世通等多家行業翹楚,協同成立“汽車—半導體產業鏈聯盟”。聯盟成立儀式上,凱世通總經理陳克祿博士代表關鍵裝備企業發聲。
2024-04-03 15:50:561150

理解半導體的重要性和挑戰

功率電子學在現代科技領域扮演著舉足輕重的角色,尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求,我們需充分認識并保證(WBG)半導體(如碳化硅(SiC)和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311646

注冊開放,搶占坐席 | 英飛凌論壇全日程首發

當今,氣候變化與如何應對持續增長的能源需求已經成為人類面臨的共同挑戰,而半導體高度契合節能減排需求,并在能源轉型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的
2024-06-18 08:14:18788

2024英飛凌論壇開幕在即:行業精英齊聚,共話前沿技術

7月9日,英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應用的最新發展成果,與行業伙伴一道深入探討帶領域的應用與發展,攜手推動低碳化和數
2024-06-28 08:14:351436

安世半導體宣布2億美元投資,加速半導體研發與生產

在全球半導體市場日新月異的今天,荷蘭半導體制造商Nexperia(安世半導體)近日邁出了重大的一步。這家以技術創新和產品質量著稱的公司宣布,計劃投資高達2億美元(約合1.84億歐元),用于研發下一代半導體產品,并在其位于漢堡的工廠建立生產基礎設施。
2024-06-28 11:12:341391

Nexperia斥資2億美元,布局未來半導體產業

下一代半導體(WBG)的研發和生產,包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等高性能材料,進一步鞏固其作為全球節能半導體領導者的地位。
2024-06-28 16:56:381690

安世半導體斥資2億美元擴產德國基地,聚焦半導體技術

在全球半導體產業日新月異的今天,芯片制造商Nexperia(安世半導體)再次展現了其前瞻性的戰略布局。近日,該公司宣布將投資高達2億美元,用于在德國漢堡工廠開發下一代半導體產品,并擴大其晶圓廠的產能。
2024-06-29 10:03:261672

2024英飛凌論壇倒計時丨多款創新產品首次亮相

英飛凌致力于通過其創新的(WBG)半導體技術推進可持續能源解決方案。本次英飛凌論壇將首次展出多款CoolSiC創新產品,偕同英飛凌智能家居方案,以及電動交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311370

功率半導體和半導體的區別

功率半導體和半導體是兩種不同類型的半導體材料,它們在電子器件中的應用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區別: 材料類型:功率半導體通常由硅(Si)或硅碳化物(SiC)等材料制成,而
2024-07-31 09:07:121517

半導體材料有哪些

的角色。它們是構成電子器件和光電子器件的基礎。根據帶寬度的不同,半導體材料可以分為窄、中材料。半導體材料因其獨特的電子和光學特性,在高功率、高頻、高溫和高亮度應用中展現出巨大的潛力。 半導
2024-07-31 09:09:063202

第三代半導體:碳化硅和氮化鎵介紹

,被稱為第三代半導體。 優勢 高溫、高頻、高耐壓:相比第一代(Si、Ge)和第二代(GaAs、InSb、InP)半導體材料,第三代半導體材料在這些方面具備明顯優勢。 導通電阻小:降低了器件的導通損耗。 電子飽和速率和電子遷移率高:提高
2024-12-05 09:37:102785

白皮書導讀 | 電機驅動系統中的帶開關器件

樣品活動進行中,掃碼了解詳情近年來,電動汽車的興起帶動了器件的應用,并逐漸滲透到各個市場。目前,工業電機主要使用逆變器來提高能效等級,這些逆變器在使用傳統硅MOSFET和IGBT作為功率開關
2024-12-25 17:30:32865

第三代功率半導體的應用

本文介紹第三代功率半導體的應用 在電動汽車的核心部件中,車用功率模塊(當前主流技術為IGBT)占據著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅動系統的關鍵性能,還占據了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150

第三代半導體器件封裝:挑戰與機遇并存

一、引言隨著科技的不斷發展,功率半導體器件在電力電子系統、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發揮著越來越重要的作用。近年來,第三代功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:301613

技術如何提升功率轉換效率

目前電氣化仍是減少碳排放的關鍵驅動力,而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統硅器件相比,技術,如碳化硅(SiC)和氮化鎵( GaN)等仍是促進功率轉換效率的關鍵。工程師必須重新評估他們的驗證和測試方法,以應對當今電氣化的挑戰。
2025-02-19 09:37:10869

全天直播即將開啟丨英飛凌帶開發者論壇 四大亮點搶先看

(WBG)解決方案將能效提升到了新高度。憑借其更高的功率密度和更小的封裝尺寸,它們是實現可持續設計的關鍵。英飛凌的WBG產品組合表現如何?能為開發者帶來哪些益處?英飛凌全球帶開發者論壇
2025-03-06 08:33:27773

是德科技在半導體裸片上實現動態測試而且無需焊接或探針

?無需焊接或探針,即可輕松準確地測量功率半導體裸片的動態特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現快速、重復測試 ?寄生功率回路電感小于10nH,實現干凈的動態測試波形 是德科技(NYSE
2025-03-14 14:36:25738

浮思特 | 從硅基到:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

主導著逆變器設計領域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬(WBG)功率器件的出現正在重塑行業格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關頻率和更
2025-04-25 11:34:35801

2025新能源汽車領域發生哪些“變革”?

:在剛剛過去的英飛凌2025年帶開發論壇上,英飛凌與匯川等企業展示了半導體技術的最新進展。從SiC與GaN技術的創新應用到融合Si與SiC逆變器概念,再
2025-07-24 06:20:481455

2025IEEE亞洲功率器件及應用研討會落幕

2025 年 8 月 15 日至 17 日,2025 IEEE 亞洲功率器件及應用研討會(WiPDA Asia 2025)在北京國際會議中心成功舉辦。 本次功率器件研討會由 IEEE 電力
2025-08-28 16:00:57604

博世引領半導體技術革新

隨著全球汽車產業向電動化、智能化邁進,半導體技術已成為推動這一變革的關鍵驅動力。特別是半導體材料,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其卓越的電氣性能,正在掀起一場深刻的技術革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680

已全部加載完成