美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 輔助電源是電機驅動、光伏逆變器和 UPS 系統等工業應用的重要組成部分。高壓直流總線轉換為 5 V 至 48 V 直流電源，為控制電路、傳感電路、冷卻風扇、SELV 電路等供電。在這些應用中，電源
2022-08-03 09:11:512292 
遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結
2025-01-14 09:42:281902 
在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關損耗與導通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優勢。基于這些優勢，當SiC-MOSFET用于AC/DC轉換器和DC
2019-04-24 12:46:442725 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031990 
PI看到了電動車的這個發展趨勢，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產品，該產品采用碳化硅（SiC）初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC，將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:226765 豐富了公司的產品系列，彰顯了芯塔電子在國內SiC領域的競爭力。目前，該產品已經給國內軍工、新能源汽車、光伏儲能、充電樁等領域頭部企業進行了銷售。 芯塔電子新一代SiC MOSFET晶圓及器件 ? ?芯塔電子新一代SiC MOSFET基于XM2.0自主技術平臺。技術團隊歷經數月的辛
2022-08-29 15:08:571632 
潮，令800V平臺、SiC電驅開始打進20萬內的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內廠商又有多款SiC MOSFET產品通過了車規級認證，這將繼續推動SiC功率器件量產上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發的三款第二代650V SiC MOSFET產
2024-03-13 01:17:004670 
，此前的業界首創產品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激設計中輕松支持1
2024-11-05 10:56:55863 
? 電子發燒友網報道（文/莫婷婷）從硅產品、碳化硅產品，再到氮化鎵的功率變換開關產品，PI都走在行業前列。近期，PI推出InnoMux?-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC——1700V氮化
2024-11-18 08:57:006137 
CRD-060DD12P，用于單端反激式轉換器設計的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代傳統的雙開關反激式轉換器，用于三相應用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產品而設計的，僅用作評估Cree開關設備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現相同的導通電阻?！ 〔粌H能夠以小封裝實現低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小?！ J-MOSFET只有900V的產品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產品，但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發生這類問題）ROHM通過開發不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結構SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉換器，就是用來比較各產品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
的穩健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統設計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
可以很快期待Littelfuse和英飛凌的產品。 圖5：各供應商的SiC MOSFET開發活動現狀?！ 《嘈酒β誓K也是SiC世界中客戶和供應商之間的熱門話題。圖6也摘自Yole的D
2023-02-27 13:48:12
產品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
在內的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發650V產品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產品，但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
實現高電流、高開關頻率和高效率 將于6月5日至7日在PCIM歐洲電力電子展的6號展廳318展臺 展示采用全新低電感封裝的五個標準模塊的完整產品線 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供
2018-10-23 16:22:24
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
1700V耐壓的產品。Si-PND通過在n-層積蓄少數載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時實現遠遠超過Si-SBD的高耐壓與低電阻，但關斷速度較慢。盡管FRD是Si-PND中提高了速度的產品，但其trr
2018-11-29 14:33:47
業內先進的 AC/DC轉換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅動而優化的控制電路內置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
:?全SiC功率模塊由ROHM自主生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成。?與Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。?全SiC功率模塊正在不斷進化，最新產品搭載了最新的第三代SiC-MOSFET。
2018-11-27 16:38:04
二極管方面已經做出了許多努力。這些新一代二極管的主要開發采用體晶圓、薄晶圓技術、n+背表面接觸、激光退火和多質子注入，均用于二極管制造［1-5］。本文介紹了具有不同額定電流的1700V軟恢復二極管。具有尾
2023-02-27 09:32:57
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
` 本帖最后由 電子發燒友doodle 于 2017-3-2 14:14 編輯
2月的最后一天，小米發布了旗下第一代松果處理器：澎湃S1。該款處理器是由小米和聯芯共同設計完成的，性能配置就不
2017-03-02 14:11:54
的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化硅成型產品以及多套行業解決方案。公司基礎核心產品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中650V/3A～100A,1200V/2A～50A和1700V/3300V等系列的碳化硅
2018-03-12 14:55:36
的行列中，推出相關產品。
國內規模比較大的有華潤微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產品，而更多的初創企業也在進入車規SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發的1200V/80m
2024-01-19 14:55:55
的行列中，推出相關產品。
國內規模比較大的有華潤微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產品，而更多的初創企業也在進入車規SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發的1200V/80m
2024-01-19 14:53:16
采用雙溝槽結構的SiC-MOSFET，與正在量產中的第2代平面型（DMOS結構）SiC-MOSFET相比，導通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。實際的SiC-MOSFET產品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉換器 評估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業設備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅動電壓在每種MOSFET將要飽和前變為VGS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
（IPS-RA）4. 航空級智能功率開關（IPS-AA）納/ 微電網與航空電子5.用于奈米／微電網V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新換代，現已推出新一代產品的定位–采用溝槽結構的第3代產品
2018-12-04 10:11:50
驅動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅動專用集成電路進行詳細的分析，對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進行深入的討論，給出了電氣特性參數和內部
2009-06-19 20:29:52
40 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:482638 羅姆日前發布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產品（圖1）。特點是與該公司第一代產品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531938 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:002379 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產品更加豐富。
2018-09-26 11:32:174502 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品
2018-10-23 11:34:376278 支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:415483 ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:523238 昨天聚芯微電子發布了國內首顆自主研發、背照式、高分辨率、用于3D成像的飛行時間（ToF）傳感器芯片。
2020-03-11 14:40:245550 近日，安徽云塔電子科技有限公司（以下簡稱“云塔科技”）聯合中國科學技術大學微電子學院，發布了其自主研制的5G毫米波濾波器。
2020-04-10 16:49:283067 參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設計輔助電源而開發的。該參考板旨在支持客戶為三相系統設計輔助電源，工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:033834 
在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:375747 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 Power Integrations今日發布兩款新器件，為InnoSwitch3-AQ產品系列新添兩款符合AEC-Q100標準、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:122674 近期，華潤微重磅發布自主研發量產的SiC MOSFET產品，這是華潤微繼去年SiC二極管產品上市后的又一大作，進一步豐富了公司的SiC產品系列，是公司在寬禁帶領域的又一里程碑。
2022-03-28 16:20:082590 （SiC）初級開關 MOSFET。這些新設備可產生高達 70 瓦的輸出功率，用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動乘用車，以及電動巴士、卡車和一系列工業電源應用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:272204 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統需要輔助電源部分用來驅動功率器件，為控制系統及散熱系統等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584654 BM2SC12xFP2-LBZ是業內先進*的AC/DC轉換器IC，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅動而優化的控制電路內置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要
2022-08-14 10:00:242094 
Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產品。62W輔助電源參考設計
2022-08-28 11:17:069 高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰。
2022-12-28 17:50:151155 
安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:191213 重點必看內置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－規格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉換器的設計更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:191305 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業用空調及街燈等工業設備開發的內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC。
2023-02-09 10:19:231760 
ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:241336 
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:051223 
前幾天，三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄（.點這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:552105 ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureRange：-40～150°CStatus
2022-03-04 10:51:051603 
瞻芯電子正式量產了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產品（IV1Q12160D7Z），該產品通過了嚴格的車規級可靠性測試認證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:487870 
對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:571675 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線，開發了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規
2023-08-21 09:42:122839 
ARK（方舟微）研發銷售的MOS產品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主（包括具有自主知識產權的高閾值電壓（UltraVt?）耗盡型MOSFET系列產品），以及N溝道-增強型MOSFET和P溝道-增強型MOSFET。產品耐壓等級覆蓋0～1700V區間。
2023-11-07 14:47:571806 
11月27日，瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
近日，芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:491019 
瑤芯微此次參評的專注于“車規級低比導通電阻SiC MOSFET”，專家們一致贊賞該產品具有卓越的研究成果，堪稱行業翹楚。憑借諸多優點，經過嚴謹評鑒，評委會授予瑤芯微的SiC MOSFET技術極高評價，同時認定其擁有自主創新產權，展現了強勁的技術實力。
2023-12-25 10:56:541872 目前瞻芯電子已發布量產過百款碳化硅(SiC)功率半導體產品，包括碳化硅(SiC) MOSFET，SBD和SiC模塊產品，電壓平臺涵蓋650V-1700V，而且規格齊全、封裝多樣。2023年瞻芯電子
2023-12-25 18:42:341302 
近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導體創新中心中試平臺，成功在6英寸藍寶石襯底上實現了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:242253 
英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:001646 上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）近期取得了一項重要的技術突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產品，分別為650V 40mΩ規格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:181605 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:241748 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種
2024-04-17 13:37:49873 
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現了出色的導電性能。這款產品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規與工規不同等級的需求。
2024-05-06 15:20:521273 近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）通過了車規級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201944 
Ω SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）成功通過了車規級可靠性（AEC-Q101）測試認證，這一里程碑式的成果標志著瞻芯電子在SiC MOSFET領域的技術實力達到了新的高度。
2024-06-24 10:05:431444 來源：瞻芯電子 近日，自2020年正式發布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產品以來，瞻芯電子累計交付SiC MOSFET產品1000萬顆以上，其中包含近400萬顆車規級產品應用在新能源汽車市場
2024-09-27 10:43:23908 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統設計更緊湊、更高效，組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:201444 
近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:221225 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:581002 微電子集團股份有限公司憑借自主研發的1200V 660A SiC塑封半橋模塊（MPFFB660M12L3），獲得大會專家評委會的高度認可，榮膺 “2025 汽車電子?金芯獎 —— 新銳產品獎”。
2025-05-19 15:24:051186 隨著新能源、工業電源及電動汽車等領域的快速發展，輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩定性的需求日益迫切。傳統的硅基器件已逐漸難以滿足嚴苛的性能要求，而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優異的開關速度
2025-06-09 17:21:23507 
近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產品，憑借優秀的性能與品質贏得多家重要客戶訂單，已量產交付近200萬顆，為應用系統提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048 
兩款國產1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061031 
近日，派恩杰半導體正式發布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領先水平。相比
2025-08-05 15:19:011211 
傾佳電力電子設備高壓輔助電源拓撲、器件選型與1700V SiC MOSFET技術分析報告 I. 緒論：高壓電力電子系統對輔助電源的嚴苛要求 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體
2025-10-14 15:06:06457 
傾佳電子面向電力電子功率變換系統的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源
2025-11-03 11:26:47447 
傾佳電子研究報告：B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應用與替代分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源
2025-11-21 21:29:06867 
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