使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多，但驅動電壓到底選15V還是18V，每個人都有自己的理解，今晚聽許老師講SIC MOS驅動技術，有些感悟分享給大家。

我們先看一個SIC MOS的輸出曲線，可以看到隨著驅動電壓的升高導通內阻在逐漸變小，驅動電壓18V肯定比驅動電壓15V的導通內阻小，導通損耗也會小，這是顯而易見的。

這樣看驅動電壓18V比15V好，但是忽略了另一條重要曲線，那就是熱阻曲線。

下圖為SIC MOS的熱阻曲線，每條曲線反應了不同占空比時的熱阻情況，隨著時間的加長，都將趨于穩(wěn)定狀態(tài)。左邊的曲線反應的是瞬間加熱時，熱無法向外擴散時的情況，用動態(tài)熱阻進行表示，動態(tài)熱阻反映了最初短路時，發(fā)生在MOS的阻斷區(qū)域，那里承受了幾乎全部短路損耗。

下圖為許老師課程上的計算過程，當驅動電壓為14V時，抗短路時間能增加到10us，但同樣會增加28%的熱損耗，但當驅動電壓變?yōu)?5V時，抗短路時間減小到了3us，驅動電壓變?yōu)?8V時，抗短路時間減小到了1us，抗短路時間隨著驅動電壓的升高而急劇減小。

驅動電壓選擇15V還是18V，實際上是評估系統(tǒng)工作需求和短路時間之間的平衡，是損耗與抗短路能力之間的和諧。

有電感限流的拓撲可以選擇18V驅動，無電感限流的建議選擇15V驅動。當工作在結溫175度時，不建議選擇18V驅動。

審核編輯：湯梓紅