在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯時，受器件參數、寄生參數等因素影響，會出現動態電流不均的問題，制約系統性能。本章節帶你探究SiC MOSFET模塊并聯應用中的動態均流問題。
2025-05-30 14:33:43
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為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結溫，并在額定值范圍內使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，MOSFET可以反向導通，即工作在同步整流模式。本文簡要介紹其損耗計算方法。
2025-06-18 17:44:464442 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:193289 
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）成立于2018年的派恩杰半導體，從成立之初就聚焦于碳化硅MOSFET，緊鑼密鼓布局車規級半導體芯片，并已順利“上車”，產品已應用于汽車OBC等領域。據悉從銷售規模來看
2021-12-24 19:30:0012903 的GaN器件市場規模將達到20億美元，以導電型碳化硅襯底制備的SiC器件市場規模將達到25.62億美元。龐大的市場吸引了越來越多企業投身其中。 ? 近日，派恩杰半導體正式宣布完成新一輪戰略融資，投資方為東風汽車旗下直投平臺東風資管。派恩杰表示，本輪融
2023-08-11 00:11:002653 潮，令800V平臺、SiC電驅開始打進20萬內的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內廠商又有多款SiC MOSFET產品通過了車規級認證，這將繼續推動SiC功率器件量產上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發的三款第二代650V SiC MOSFET產
2024-03-13 01:17:004670 
電子發燒友網綜合報道 最近，湖南三安半導體舉行了碳化硅芯片上車儀式，標志著國產車規級碳化硅主驅芯片實現從技術攻關到規模化裝車的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片
2025-12-09 09:25:464889 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關損耗運用要點柵極驅動 其1柵極驅動 其2應用要點緩沖電容器 專用柵極驅動器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。＜ 相關產品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。SiC-MOSFET應用實例1：移相DC/DC轉換器下面是演示機，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯合制
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關速度更快
2025-04-23 11:25:54
éveloppement2016年報告，展示了SiC模塊開發活動的現狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點仍然存在，因為控制和電源電路的最佳布局實踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴展到數十
2023-02-27 13:48:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
”IDM產能提升長期保供協議中國高端車比例提升 當下，SiC能比預測得更快更多上車，主要因素可從產能結構調整、供需關系、市場營銷來進行分析：一是以一線IDM對供應鏈進行了高度的整合，實現了SiC器件產能
2022-12-27 15:05:47
*附件：國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40
個月的研發合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關內容，并聚焦在有關SiC技術和封裝的創新。WInSiC4AP聯盟由來自4個歐盟國家（意大利、法國、德國和捷克共和國）的20個合作伙伴組成，包括大型企業
2019-06-27 04:20:26
寄生效應過多，它們的性能可能會下降到硅器件的性能，并可能會導致電路故障。傳導EMI會伴隨SiC MOSFET產生的快速電壓和電流開關瞬變，內部和外部SiC寄生效應會受到這些開關瞬變的影響，并且是EMI
2022-08-12 09:42:07
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產品系列 而開發，經設計提供適用于SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統穩定性
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驅逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導入。不過，市場估算，循續漸進采用SiC后，平均2輛Te.
2021-09-15 07:42:00
半導體產品采用的是也是平面柵MOSFET結構。基于平面柵結構，派恩杰已經發布了650V-1700V各個電壓平臺的SiC MOSFET，而且已經順利在新能源龍頭企業批量供貨，實現“上車”。
2022-03-29 10:58:06
裝置機器人商用空調工業用照明（路燈等）內置SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC產品陣容產品名稱封裝電源電壓范圍MOSFET工作頻率VCC OVP *^1^FB OLP *^2^工作溫度范圍
2022-07-27 11:00:52
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內均可調整。將該柵極驅動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET的量產。SiC功率模塊已經采用了這種溝槽結構的MOSFET，使開關損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術規格書的規格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
在通用PWM發電機中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術，賦能客戶在三大核心維度實現飛躍性提升：效率躍升、空間減負、成本優化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
理解了BD7682FJ-LB作為SiC-MOSFET用IC最重要的關鍵點，接下來介紹其概要和特點。＜特點＞小型8引腳SOP-J8封裝低EMI準諧振方式降頻功能待機時消耗電流低：19uA無負載時消耗電流低
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
異的高溫和高頻性能。
案例簡介：SiC MOSFET 的動態測試可用于獲取器件的開關速度、開關損耗等關鍵動態參數，從而幫助工程師優化芯片設計和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開關特性
2025-04-08 16:00:57
羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691 據媒體今日報道，比亞迪半導體產品總監楊欽耀日前表示，比亞迪車規級的IGBT已經走到5代，碳化硅MOSFET已經走到3代，第4代正在開發當中。目前在規劃自建SiC產線，預計到明年有自己的產線。
2020-12-24 12:46:452914 ，碳化硅MOSFET已經走到3代，第4代正在開發當中。目前在規劃自建SiC產線，預計到明年有自己的產線。 提到SiC大家可能有些陌生，碳化硅（SiC）其實是一種廣泛使用的老牌工業材料，1893年開始大規模生產，至今一直在使用。不過自然界中很難找到碳化硅
2020-12-25 16:11:372602 報道指出，特斯拉的Model3是第一個應用碳化硅（sic）功率元器件的電動車型，用的是來自意法半導體的650v sic mosfet。相比于在Model s/x上用的igbt，sic mosfet
2021-02-01 15:37:533402 模擬晶圓代工龍頭企業X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產SiC功率器件供應商派恩杰聯合對外宣布，雙方就批量生產SiC晶圓建立長期戰略合作關系，此前雙方已經合作近三年時間。
2021-09-07 10:06:421826 在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:375747 應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現系統的低損耗和小型化。
2022-11-06 21:14:511980 SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:202594 
在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:291100 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:211338 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082523 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:034591 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:105635 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08921 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:04
83 的EliteSiC功率元件以優化電驅系統能量轉換效率，提高續航力，降低車主里程焦慮。此舉也能看出Onsemi積極布局車用SiC，加速追趕STMicroelectronics及Infineon兩大龍頭廠商。 在
2023-05-16 08:42:16836 經過了工程批工藝開發、工藝平臺逐步穩定、小批量交付客戶、器件參數穩定以及客戶模塊參數驗證和模塊產品可靠性驗證等一系列的驗證后，中科漢韻于今年開始批量交付車規級SiC MOSFET晶圓產品，良率達到70%以上。
2023-09-21 17:30:501082 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:522610 
2023年國產SiC上車
2023-10-31 23:02:000 器件，能夠像IGBT一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優化SiC柵極驅動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統性能和應用 。 封裝 WBG半導體使高壓轉換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:021863 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213740 
近日，芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:491019 
12月14日，第三代半導體行家極光獎在深圳重磅揭曉，派恩杰半導體榮膺“中國SiC器件Fabless十強企業”稱號。
2023-12-15 10:57:451794 怎么提高SIC MOSFET的動態響應？ 提高SIC MOSFET的動態響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:521413 近日，在江蘇省揚州市邗江區維揚經濟開發區先進制造業項目新春集中簽約儀式上，揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱揚杰科技）新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項目完成簽約。
2024-02-22 10:03:541918 功率模塊從硅IGBT技術過渡到基于SiC MOSFET技術是不可避免的。然而，從硅IGBT時代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術的商業化，因為它們已經被認為具有較高的寄生電感。
2024-05-08 17:43:581879 
派恩杰半導體強勢推出多款模塊產品，助力新能源！
2024-05-10 11:42:18880 
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們在電力電子領域具有廣泛的應用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統效率，更適合應用于高頻電路。碳化硅SiC MOSFET這些優良特性，需要通過模塊封裝以及驅動電路系統，才能得到完美展現。
2024-10-16 13:52:058144 
12月12日晚，第三代半導體“2024行家極光獎”在深圳揭曉，數百家SiC&GaN企業代表聯袂赴宴，經過數月時間的緊密籌劃，專家組委會和眾多行業人士投票評選，派恩杰榮耀登榜“中國SiC器件Fabless十強企業”。
2024-12-16 15:11:071425 34mm SiC MOSFET半橋碳化硅模塊產品介紹_20241217_Rev.1.0.1
2024-12-30 15:24:522 來源：電子工程世界 SiC（碳化硅），已經成為車企的一大賣點。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發生激烈輿論戰。可見，SiC這一市場在汽車領域頗有潛力。 不過，近幾年國內SiC
2025-01-09 09:14:05977 
BASiC國產SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 近日，派恩杰半導體正式發布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領先水平。相比
2025-08-05 15:19:011215 
BASiC_34mm SiC MOSFET模塊產品介紹
2025-09-01 15:24:120 BASiC_SiC MOSFET工業模塊產品介紹
2025-09-01 16:02:370 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401043 的廣泛應用。 此次獲得歐洲頭部車企的量產訂單，主要得益于派恩杰碳化硅產品在性能與可靠性方面的卓越表現。實際應用在空壓機的 T7 系列SiC MOSFET 器件優勢精準落地：
2025-09-10 17:32:471194 派恩杰DCM模塊的底層優勢在于芯片設計與封裝工藝的深度協同，作為國內少數擁有全套“銀燒結+DTS雙面散熱”技術的公司，其自主設計的超低寄生電感架構，將雜散電感降低至行業領先的標準，確保了模塊100kHz高頻下的極致效率。
2025-12-08 09:12:11677 
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