三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場，迄今已在家電、工業和汽車空調等領域獲得了廣泛應用。在Si-IGBT DIPIPM基礎上，三菱電機開發了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章節主要介紹超小型全SiC DIPIPM。
2025-07-19 09:15:00
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三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場，迄今已在家電、工業和汽車空調等領域獲得了廣泛應用。在Si-IGBT DIPIPM基礎上，三菱電機開發了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章節主要介紹全SiC和混合SiC的SLIMDIP產品。
2025-07-19 09:18:005456 
隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經成為推動電動汽車高效能的重要技術之一。本章節主要帶你探究三菱電機的SiC MOSFET模塊在電動汽車主驅中的應用。
2025-08-08 16:11:443247 
隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術之一。上一篇我們介紹了三菱電機SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護技術，本章節主要介紹三菱電機車規級SiC MOSFET產品，包括模塊及芯片。
2025-08-08 16:14:213192 
SiC器件具有低開關損耗，可以使用更小的散熱器，同時可以在更高開關頻率下運行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業電源，可以實現高效率和高功率密度。三菱電機開發了一系列適合工業電源應用的SiC MOSFET模塊，本章節帶你詳細了解。
2025-12-02 11:28:173355 
功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:523253 1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。
2024-12-04 10:50:432592 
三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET，并將其產品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術。
2024-12-18 17:35:531921 
在Si-IGBT的DIPIPM基礎上，三菱電機開發了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優勢。
2025-01-08 13:48:552321 三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-22 10:58:423053 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發展。目前IGBT仍是鐵路牽引領域的主流功率半導體器件，但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計。
2025-09-23 09:26:332066 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
確認現在的產品情況，請點擊這里聯系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結構SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉換器，就是用來比較各產品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
，基于 Si-IGBT 設計的緩沖吸收電路參數并不適用于 SiC-MOSFET 的應用場合。為了使本研究不失一般性，本文從基于半橋結構的 SiC-MOSFET 電路出發，推導出關斷尖峰電壓和系統寄生參數以及緩沖
2025-04-23 11:25:54
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
三菱FX1S PLC如何控制伺服電機？
2021-09-27 07:04:04
三菱PLC如何控制步進電機？
2021-10-09 07:04:42
三菱PLC怎樣在脈沖總數未知的情況下實現步進電機的加減速呢？
2023-03-23 15:29:20
三菱PLC控制三菱伺服選型技巧有哪些？
2021-09-26 07:13:03
三菱電機開發出預計可用于氣囊的新結構加速度傳感器。并在“第20屆微機械/MEMS展”上展示。
2019-09-02 08:25:02
如何解決三菱伺服電機上的常見報警代碼？伺服電機報警時電機停止方式與報警解除呢？報警解除的具體方法有哪些？
2021-09-27 06:39:12
三菱伺服電機故障修理的要點有哪些？是什么原因造成三菱伺服電機故障的？
2021-09-26 06:06:22
三菱伺服電機的轉矩控制模式有哪幾種？分別是什么？
2021-09-27 07:53:48
三菱伺服電機的控制方式有哪些？
2021-09-29 08:03:44
三菱伺服電機編碼器故障的技術方法原則是什么？
2021-09-26 06:16:11
三菱伺服電機轉矩模式怎么設置？
2021-09-30 08:08:19
三菱伺服電機馬達使用/安裝注意事項？
2021-09-28 06:43:00
三菱伺服剛性調節方法是什么？
2021-09-30 06:30:45
三菱各類伺服電機標準參數是什么？
2021-11-12 07:40:28
如題，怎么知道三菱plc的內存地址
2016-04-25 18:49:38
哪位大哥有用過labview與三菱q系列進行以太網連接的，或者不是q，有網口的三菱plc，我是小白，希望指點一下，謝謝
2019-06-10 15:48:18
失效模式等。項目計劃①根據文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
的全SiC功率模塊最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代溝槽結構SiC-MOSFET），以進一步降低損耗。以下為示例。下一次計劃詳細介紹全SiC功率模塊的特點和優勢。關鍵要點
2018-11-27 16:38:04
關于三菱伺服電機扭矩控制的知識點你想知道都在這
2021-09-26 07:54:12
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準諧振轉換器”的設計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設計中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
三菱伺服電機馬達使用注意事項有哪些？
2021-10-08 08:38:59
請問如何使用三菱伺服電機實現定位功能？
2021-09-26 07:03:54
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新換代，現已推出新一代產品的定位–采用溝槽結構的第3代產品
2018-12-04 10:11:50
三菱電機力推過程處理PLC
三菱電機推出了過程處理PLC，該系列PLC 功能強大，不僅包含原來的邏輯控制功能，同時支持可擴展運動
2009-08-25 15:22:55756 三菱電機公開薄膜硅型太陽能電池的開發情況 核心提示：三菱電機在2010年2月16日于東京
2010-02-23 08:40:14846 三菱電機株式會社定于7月31日開始，依次提供5個品種的SiC功率半導體模塊，以滿足家電產品與工業設備對應用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導體的需要。在這5種產品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27929 世界首家！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET，導通電阻大大降低，有助于工業設備等大功率設備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:462565 據悉，三菱電機株式會社近期研發出了一項有趣而意義深遠的新技術。該技術利用海水的導電性，讓海水向空中噴射出水柱，從而實現通信傳播。三菱電機對此進行了使用海水天線接收地上數字電視的播放實驗，并成功
2016-05-25 11:18:241179 和MOSFET器件的同時，沒有出現基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區別呢？本文將針對與IGBT的區別進行介紹。
2017-12-21 09:07:0438319 
1月31日，三菱電機株式會社宣布已成功開發出6.5kV耐壓等級全SiC功率半導體模塊，該模塊采用單芯片構造和新封裝，實現了世界最高功率密度的額定輸出功率。
2018-02-03 11:52:449905 三菱電機半導體首席技術官Dr. Gourab Majumdar、大中國區三菱電機半導體總經理楠·真一 、大中國區三菱電機半導體技術總監宋高升、大中國區三菱電機半導體市場總監錢宇峰、三菱電機捷敏功率
2018-06-29 13:26:001427 2015年4月，Bodo’s Power上報道了三菱電機1款800 A/1200 V的全SiC 2in1模塊（FMF800DX-24A）[3]。為了有效地驅動和保護該器件，PI公司開發了其專用的柵極
2018-05-26 10:38:0213574 
自上世紀八十年代后期推出IGBT模塊后，三菱電機至今已成功將第七代IGBT模塊推向市場。在持續性和創造性的研發下，三菱電機在變頻家電、工業新能源、電動汽車、軌道牽引四大領域不斷深耕，致力于提供低損耗、高性能和高可靠性的產品。
2018-08-25 11:36:527478 三菱電機（MitsubishiElectric）開發了保護聯網車輛免受網絡攻擊的多層防御技術。
2019-01-25 09:50:044003 三菱伺服電機使用手冊
2020-06-28 15:08:00
25 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:513205 
繼前篇結束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關的內容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19713 
近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:201447 
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:202302 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:213059 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-08 13:43:211627 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異，如果有不明之處或希望確認現在的產品情況，請點擊這里聯系我們。
2023-02-08 13:43:211980 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47684 
本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-24 11:49:191295 
2023年5月8日，三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路
2023-05-11 09:26:171824 相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:335126 
三菱電機將投資Coherent的新SiC業務； 旨在通過與Coherent的縱向合作來發展SiC功率器件業務。 三菱電機集團近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達成協議，將SiC
2023-10-18 19:17:171295 ) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業領域的領軍企業，雙方聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。 三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節
2023-11-14 10:06:00692 
11月13日， 三菱電機株式會社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:331268 三菱電機集團近日（2023年11月13日）宣布，將與Nexperia B.V. 建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術為Nexperia開發和供應SiC MOSFET芯片，用于其開發SiC分立器件。
2023-11-14 11:26:341883 三菱電機今天宣布，將與安世半導體建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導體。
2023-11-15 15:25:521553 
兩家公司宣布，安世半導體與三菱電機株式會社已建立戰略合作伙伴關系，共同開發SiC MOSFET。為了滿足對高效分立功率半導體日益增長的需求，并提高SiC寬帶隙半導體的能效和性能，此次合作將聯合
2023-11-15 15:41:551673 雖然是同一電力半導體公司，但是三菱電機與安世半導體的另一個焦點、電子電力半導體為中心的“各離散元件的組合”，高性能sic模塊產品的信賴性的性能提供業界名聲；onse半導體元件的開發、生產、認證領域具有幾十年的豐富經驗。目前還提供高品質的寬帶配件。
2023-11-24 12:28:541365 2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯合開發高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。
2023-11-25 16:50:531432 三菱電機公司宣布將與Nexperia B.V.結成戰略合作伙伴關系，共同為電力電子市場開發硅碳（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其廣帶隙半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09984 
1月15日，日本索尼銀行官網公布關于投資三菱電機株式會社發行綠色債券的公告稱，已經投資了該債券，希望通過提高SiC功率半導體的產能，實現脫碳社會。
2024-01-22 11:34:091461 
三菱電機株式會社是一家成立于1921年的通用電子制造商，致力于“半導體于器件”業務領域發展。三菱根據國際資本市場協會 (ICMA)實施的“綠色債券原則2021” (Green
2024-01-29 16:21:371831 
三菱電機計劃在熊本縣菊池市的現有工廠廠區內投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設新的SiC（碳化硅）晶圓廠。
2024-03-21 11:26:031538 三菱電機集團近日宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統在內的大型工業設備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現有
2024-06-12 14:17:511454 三菱電機集團近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊，以滿足大型工業設備市場對高性能逆變器日益增長的需求。這兩款新模塊分別是3.3kV/400A和3.3kV/200A規格，將于6月10日起正式投入市場。
2024-06-12 14:51:071362 三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。
2024-07-24 10:17:471728 
三菱電機從事SiC器件開發和應用研究已有近30年的歷史，從基礎研究、應用研究到批量商業化，從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓，三菱電機一直致力于開發和應用高性能、高可靠性且高性價比的SiC器件，本篇章帶你了解三菱電機SiC器件發展史。
2024-07-24 10:24:371650 
三菱電機新開發了3.3kV金屬氧化物半導體場效應管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD-Embedded）技術，可以滿足鐵路應用的高可靠性、高功率和高效率要求
2024-10-31 16:47:491968 
片樣品。這是三菱電機首款標準規格的SiC-MOSFET功率半導體芯片，將助力公司應對xEV逆變器的多樣化需求，并推動xEV的日益普及。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結合了特有的芯片結構和制造技術，有助于提升逆變器性能、延長續航里程和提高xEV的能源效率，為脫碳目標做出貢獻。
2024-11-14 14:43:072048 SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。
2025-02-12 11:26:411207 
三菱電機集團近日宣布，將于5月1日開始供應其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導體，專為軌道交通車輛等大型工業設備設計。
2025-04-10 11:34:571070 三菱電機集團今日宣布，將于4月22日開始供應兩款新型空調及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP
2025-04-16 14:58:371111 
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