三菱電機成功開發6.5kV全SiC功率模塊

早在2013年，三菱電機供軌道交通車輛使用、搭載3.3kV的全SiC功率模塊便已實現了商業化。其后，三菱電機堅持致力于推廣更節能的SiC功率模塊以逐步取代傳統的Si功率模塊。

1月31日，三菱電機株式會社宣布已成功開發出6.5kV耐壓等級全SiC功率模塊，該模塊采用單芯片構造和新封裝，在1.7kV到6.5kV同類功率模塊中實現了世界最高等級的功率密度（按功率半導體的額定電壓和電流計算）。三菱電機期待通過使用本模塊，幫助對有高電壓需求的軌道交通、電力系統實現電力電子設備的小型化和節能化。

6.5kV全SiC功率模塊樣品

產品特點

1、6.5kV全SiC功率模塊，有助于實現電力電子設備的小型化、節能化

實現了與Si IGBT功率模塊一樣的最高電壓6.5kV；

全SiC技術提升了功率密度和效率，并且可以通過提高器件開關頻率，有助于實現高壓變流器的小型化和節能化。

2、單芯片構造和高散熱、高耐熱的新型封裝，實現了高壓功率模塊世界最高功率密度

在一個功率芯片上集成SiC-MOSFET和二極管，大幅減小芯片面積；

采用高導熱性和高耐熱性的絕緣襯底以及高可靠性的芯片焊接技術，實現了高散熱和高耐熱性能的小型封裝；

在額定電壓為1.7kV到6.5kV的功率模塊中，實現了世界最高功率密度（9.3kVA/cm3）。

產品封裝

新型全SiC功率模塊采用業界標準封裝（三菱電機HV100），與本公司的HV100系列Si IGBT模塊也兼容。

新老產品比較

采用專利

本次開發是受日本研究開發法人新能源?產業技術綜合開發機構（NEDO）的推動而實施的。專利數統計：日本國內專利9件，國際專利3件。