1月15日，日本索尼銀行官網公布關于投資三菱電機株式會社發行綠色債券的公告稱，已經投資了該債券，希望通過提高SiC功率半導體的產能，實現脫碳社會。

公告顯示，該綠色債券發行額度為300億日元，年限為5年，發行日為2023年12月18日。

三菱機電綠色債券框架

三菱電機株式會社是一家成立于1921年的通用電子制造商，致力于“半導體于器件”業務領域發展。三菱根據國際資本市場協會 (ICMA)實施的“綠色債券原則2021” (Green BondPrinciples2021)，制定了“綠色債券框架”。債券募集的資金將用于三菱機電碳化硅功率半導體制造相關的資本投資、研發、投融資。

根據三菱機電（上海）公司官網顯示，該公司計劃于2023年11月10日首次發行綠色債券，旨在擴大SiC產能和建設工廠。發行日從2023年12月（計劃）開始。

三菱機電SiC產業布局

2023年3月14日，三菱機電宣布，截至2026年3月的五年期間，將把先前宣布的投資計劃增加一倍，達到約2600億日元，主要用于建設一個新的硅片工廠，以增加碳化硅SiC功率半導體的產量。根據該計劃，三菱電機預計將應對電動汽車對Sic功率半導體快速增長的需求，以及新應用市場的不斷擴大，例如低能耗、高溫運行或高速開關。

此次投資的追加部分（約1000億日元）主要將用于建造一座新的8英寸SiC晶圓廠和加強相關的生產設施。新工廠生產大直徑8英寸碳化硅芯片，計劃于2026年4月啟動。此外，該公司將加強其6英寸SiC芯片的生產設施，以滿足日益增長的需求。

同時，三菱電機還將投資約100億日元建設一座新廠房，用于功率半導體的封裝和測試。將大大增強公司的開發能力，便于及時響應市場需求進行批量生產。其余200億日元全部是新的投資，將用于改進設備、環境安排和相關業務。

2023年8月29日宣布，已在其功率器件制作所福山工廠完成了第一條12英寸硅晶圓生產線的建設。并且，通過樣品生產和測試，驗證了該生產線加工的功率半導體芯片達到了所需的性能水平。

合作方面，2023年11月13日，三菱機電宣布與Nexperia合作開發SiC功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術為Nexperia開發和供應SiC MOSFET芯片，用于開發SiC分立器件。

2023年10月10日，宣布投資Coherent的新SiC業務，將SiC業務分拆成立新公司，并將投資5億美元（約750億日元）。Coherent一直是三菱電機的SiC襯底供應商，此次投資旨在通過加強與Coherent的縱向合作，擴大其SiC功率器件業務。

2023年7月28日宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發和銷售企業Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發高性能低損耗氧化鎵功率半導體，氧化鎵(Ga2O3)有望實現更高的擊穿電壓和更低的功率損耗。

2026年6月1日，三菱電機與Coherent達成合作，擴大生產200mm SiC功率器件。Coherent將為三菱電機未來新工廠生產的SiC功率器件供應200mm n型4H-SiC襯底。

隨著新能源汽車市場的發展，碳化硅產能的需求也在不斷提升。在2023年期間，三菱機電一直在開發和提升SiC方面的技術，同時也在新建工廠和與其他企業合作擴大SiC產能。由于車規級的碳化硅功率器件的性能和可靠性要求很高，目前只有少數企業能提供。這些問題都會導致當前碳化硅器件的供應緊缺，各大廠商都在擴產應對產能需求。