三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場，迄今已在家電、工業和汽車空調等領域獲得了廣泛應用。在Si-IGBT DIPIPM基礎上，三菱電機開發了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章節主要介紹全SiC和混合SiC的SLIMDIP產品。

1全SiC、混合SiC SLIMDIP

三菱電機最新開發了全SiC、混合SiC的SLIMDIP產品，與超小型全SiC DIPIPM相比，全SiC、混合SiC的SLIMDIP體積更小，其電源也不再需要18V電源，可以在現有Si SLIMDIP封裝的PCB方案上直接替換，兩個型號產品的規格見下表1。

表1：全SiC、混合SiC的SLIMDIP

2全SiC、混合SiC的SLIMDIP的內部電路和優勢

圖1為全SiC SLIMDIP的內部電路，內置了新開發的SiC MOSFET芯片，其輸出功率較現有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊顯著提高，全SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了79%(1)，顯著提升家電能效。當應用于空調壓縮機逆變器電路時，更可實現年功率損耗降低80%(2)。

圖2為混合SiC SLIMDIP的內部電路，將SiC MOSFET和RC-IGBT集成到模塊中。采用同一IC來驅動并聯的SiC MOSFET和Si RC-IGBT，但是兩者的驅動時序有所差異。與目前的硅基模塊相比，混合SiC SLIMDIP能夠將功耗降低47%(1)。當應用于空調壓縮機逆變器電路時，更可實現年功率損耗降低41%(2)。

(1) Vcc=300V，fc=5kHz，PF=0.8，M=1，fo=60Hz，三相調制，與SLIMDIP-L對比。

(2) 基于日本工業標準JIS C9612規定的四種基本空調模式運行時長（額定制冷、中間制冷、額定制熱和中間制熱），運行條件由三菱電機測算。

圖1：全SiC的SLIMDIP內部電路

圖2：混合SiC的SLIMDIP內部電路

3全SiC SLIMDIP與超小型全SiC DIPIPM對比

在上一篇《SiC DIPIPM在變頻家電中的應用（1）》，我們介紹了超小型全SiC DIPIPM，其與全SiC SLIMDIP的對比見表2。

表2：全SiC SLIMDIP與超小型全SiC DIPIPM對比

兩者的損耗對比（單個芯片）如下圖3所示，全SiC SLIMDIP的損耗相對更低一點。對比工況為：Vcc=310VDC，Io=7.5Apeak，fc=20kHz，SPWM調制，M=1，fo=50Hz，Vd=15V（PSF15SG1G6），Vd=18V（PSF15S92F6-A6）。

圖3：全SiC SLIMDIP與超小型全SiC DIPIPM損耗對比（單個芯片）

※DIPIPM、SLIMDIP是三菱電機株式會社的商標。

正文完

<關于三菱電機>

三菱電機創立于1921年，是全球知名的綜合性企業。截止2025年3月31日的財年，集團營收55217億日元（約合美元368億）。作為一家技術主導型企業，三菱電機擁有多項專利技術，并憑借強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發和生產半導體已有69年。其半導體產品更是在變頻家電、軌道牽引、工業與新能源、電動汽車、模擬/數字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。