近日，三菱電機集團宣布，將于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）和其他電動汽車（xEV）電驅(qū)逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）裸片樣品。這是三菱電機首款標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導(dǎo)體芯片，將助力公司應(yīng)對xEV逆變器的多樣化需求，并推動xEV的日益普及。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結(jié)合了特有的芯片結(jié)構(gòu)和制造技術(shù)，有助于提升逆變器性能、延長續(xù)航里程和提高xEV的能源效率，為脫碳目標(biāo)做出貢獻(xiàn)。

功率半導(dǎo)體，作為促進(jìn)全球脫碳的關(guān)鍵器件，能夠高效轉(zhuǎn)換電力，需求日益增多。特別是在汽車行業(yè)，車輛電動化能減少溫室氣體排放，推動了用于電機驅(qū)動逆變器和其他功率轉(zhuǎn)換設(shè)備的多樣化功率半導(dǎo)體的需求。其中，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體因其能顯著降低功率損耗而備受期待。三菱電機于1997年開始量產(chǎn)用于xEV的功率半導(dǎo)體模塊，為提高包括熱循環(huán)耐性在內(nèi)的可靠性和解決逆變器小型化問題做出了貢獻(xiàn)，并已應(yīng)用于各種電動汽車（EV）和混合動力電動汽車（HEV）。2024年3月，該公司開始供應(yīng)J3系列xEV功率半導(dǎo)體樣品，該系列產(chǎn)品采用最新壓注模（T-PM）技術(shù)實現(xiàn)小型化設(shè)計，在汽車市場得到廣泛應(yīng)用。

三菱電機的新型功率半導(dǎo)體芯片是一種特有的溝槽柵*SiC-MOSFET，與傳統(tǒng)的平面柵**SiC-MOSFET相比，其功率損耗降低了約50%。特有的制造技術(shù)，如抑制功率損耗和導(dǎo)通電阻波動的柵極氧化膜工藝，讓新款芯片更加耐久穩(wěn)定，有助于提高逆變器的耐用性和xEV性能。

未來，三菱電機將繼續(xù)致力于提供高品質(zhì)、低功率損耗的SiC-MOSFET裸片，讓高性能xEV更加普及，從而為構(gòu)建一個更加低碳的世界做出貢獻(xiàn)。

產(chǎn) 品 特 點

特有的溝槽柵SiC-MOSFET延長了xEV的續(xù)航里程并降低了電力成本

采用了三菱電機在制造Si功率半導(dǎo)體芯片過程中積累的先進(jìn)小型化技術(shù)，與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比，導(dǎo)通電阻更低。

采用傾斜離子注入替代傳統(tǒng)的垂直離子注入，降低了開關(guān)損耗。

與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比，功率損耗降低了約50%，從而提高了逆變器性能，延長了xEV的續(xù)航里程，并降低了電力成本。

特有制造技術(shù)助力提升xEV性能

三菱電機采用獨特的制造技術(shù)，生產(chǎn)溝槽柵SiC-MOSFET，這項技術(shù)是三菱電機在20多年平面柵SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（SBD）的研究和制造中總結(jié)出來的。如三菱電機特有的柵極氧化膜工藝，抑制了由重復(fù)開關(guān)引起的功率損耗和導(dǎo)通電阻波動，讓逆變器更加耐用，xEV性能更加穩(wěn)定。

主要規(guī)格

*溝槽柵：在晶圓表面挖出溝槽（trench），并將柵極嵌入其中

** 平面柵：柵極放置在晶圓表面

***Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

關(guān)于三菱電機

三菱電機創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2024年3月31日的財年，集團營收52579億日元（約合美元348億）。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè)，三菱電機擁有多項專利技術(shù)，并憑借強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有68年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。