三菱電機計劃在熊本縣菊池市的現有工廠廠區內投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設新的SiC（碳化硅）晶圓廠。這座新廠房將專門用于生產8英寸SiC晶圓，預計在2026年4月啟用生產。

三菱電機表示，與2022年相比，公司2026年的晶片產能將擴大約5倍。

這一投資舉措是三菱電機為了增強其SiC功率半導體的生產體系，以應對日益增長的市場需求。

據介紹，新大樓共六層，總建筑面積約42,000平方米。它具備生產直徑為200毫米（8 英寸）的 SiC 晶圓的功率半導體的前端工藝。所有的工序將接入自動輸送系統，打造高效率生產線。三菱電機計劃根據不斷增長的需求逐步提高產能。

在當天舉行的奠基儀式上，三菱電機高級執行官、半導體和器件部門總經理Masayoshi Takemi強調：“功率半導體將在實現脫碳社會方面發揮重要作用。作為一家專門生產SiC晶片的新工廠，我們也在考慮節能節水事宜”。