1月15日，日本索尼銀行官網(wǎng)公布關于投資三菱電機株式會社發(fā)行綠色債券的公告稱，已經(jīng)投資了該債券，希望通過提高SiC功率半導體的產(chǎn)能，實現(xiàn)脫碳社會。

公告顯示，該綠色債券發(fā)行額度為300億日元，年限為5年，發(fā)行日為2023年12月18日。

三菱機電綠色債券框架

三菱電機株式會社是一家成立于1921年的通用電子制造商，致力于“半導體于器件”業(yè)務領域發(fā)展。三菱根據(jù)國際資本市場協(xié)會 (ICMA)實施的“綠色債券原則2021” (Green BondPrinciples2021)，制定了“綠色債券框架”。

債券募集的資金將用于三菱機電碳化硅功率半導體制造相關的資本投資、研發(fā)、投融資。

根據(jù)三菱機電（上海）公司官網(wǎng)顯示，該公司計劃于2023年11月10日首次發(fā)行綠色債券，旨在擴大SiC產(chǎn)能和建設工廠。發(fā)行日從2023年12月（計劃）開始。

三菱機電SiC產(chǎn)業(yè)布局

2023年3月14日，三菱機電宣布，截至2026年3月的五年期間，將把先前宣布的投資計劃增加一倍，達到約2600億日元，主要用于建設一個新的硅片工廠，以增加碳化硅SiC功率半導體的產(chǎn)量。根據(jù)該計劃，三菱電機預計將應對電動汽車對Sic功率半導體快速增長的需求，以及新應用市場的不斷擴大，例如低能耗、高溫運行或高速開關。

此次投資的追加部分（約1000億日元）主要將用于建造一座新的8英寸SiC晶圓廠和加強相關的生產(chǎn)設施。新工廠生產(chǎn)大直徑8英寸碳化硅芯片，計劃于2026年4月啟動。此外，該公司將加強其6英寸SiC芯片的生產(chǎn)設施，以滿足日益增長的需求。

同時，三菱電機還將投資約100億日元建設一座新廠房，用于功率半導體的封裝和測試。將大大增強公司的開發(fā)能力，便于及時響應市場需求進行批量生產(chǎn)。其余200億日元全部是新的投資，將用于改進設備、環(huán)境安排和相關業(yè)務。

2023年8月29日宣布，已在其功率器件制作所福山工廠完成了第一條12英寸硅晶圓生產(chǎn)線的建設。并且，通過樣品生產(chǎn)和測試，驗證了該生產(chǎn)線加工的功率半導體芯片達到了所需的性能水平。

合作方面，2023年11月13日，三菱機電宣布與Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術為Nexperia開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，用于開發(fā)SiC分立器件。

2023年10月10日，宣布投資Coherent的新SiC業(yè)務，將SiC業(yè)務分拆成立新公司，并將投資5億美元（約750億日元）。Coherent一直是三菱電機的SiC襯底供應商，此次投資旨在通過加強與Coherent的縱向合作，擴大其SiC功率器件業(yè)務。

2023年7月28日宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導體，氧化鎵(Ga2O3)有望實現(xiàn)更高的擊穿電壓和更低的功率損耗。

2026年6月1日，三菱電機與Coherent達成合作，擴大生產(chǎn)200mm SiC功率器件。Coherent將為三菱電機未來新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件供應200mm n型4H-SiC襯底。

隨著新能源汽車市場的發(fā)展，碳化硅產(chǎn)能的需求也在不斷提升。在2023年期間，三菱機電一直在開發(fā)和提升SiC方面的技術，同時也在新建工廠和與其他企業(yè)合作擴大SiC產(chǎn)能。由于車規(guī)級的碳化硅功率器件的性能和可靠性要求很高，目前只有少數(shù)企業(yè)能提供。這些問題都會導致當前碳化硅器件的供應緊缺，各大廠商都在擴產(chǎn)應對產(chǎn)能需求。

審核編輯：劉清