三菱電機公司宣布將與Nexperia B.V.結成戰略合作伙伴關系，共同為電力電子市場開發硅碳（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其廣帶隙半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發SiC分立器件。

全球電動車市場正在持續擴大，助推了SiC功率半導體的快速增長。與傳統的硅功率半導體相比，SiC功率半導體提供了更低的能量損耗、更高的工作溫度和更快的開關速度。SiC功率半導體的高效性有望對全球的脫碳和綠色轉型做出重大貢獻。

Nexperia雙極分立器件事業部高級副總裁兼總經理Mark Roeloffzen表示：“與三菱電機的這次互利的戰略合作是Nexperia硅化碳發展歷程的重要一步。三菱電機一直以來都是提供技術成熟的SiC設備和模塊的強大供應商。結合Nexperia在分立器件和封裝方面的高標準和專業技術，我們肯定會在兩家公司之間產生積極的協同效應，最終使我們的客戶能在他們服務的工業、汽車或消費市場提供高能效的產品。”

三菱電機的執行董事兼半導體與設備集團總裁Masayoshi Takemi表示：“Nexperia是工業領域的領先公司，擁有成熟的分立半導體技術。我們很高興能夠進入這一共同開發的合作伙伴關系，這將充分發揮我們兩家公司的半導體技術。”