--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
BSZ042N04NS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封裝為 DFN8 (3x3)。它具備高電流處理能力和低導通電阻,適合用于高效電源管理和開關應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: BSZ042N04NS G-VB
- **封裝**: DFN8 (3x3)
- **類型**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6 mΩ @ VGS = 4.5V
- 4.5 mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏電流 (ID)**: 40A
- **技術**: 溝槽型

### 適用領域和模塊
BSZ042N04NS G-VB 適用于:
1. **電源管理系統**:低導通電阻使其適合高效的電源轉換器和電源管理模塊,例如 DC-DC 轉換器和電源適配器。
2. **功率開關**:適用于高電流開關應用,能夠處理高達 40A 的電流,適合用于電源開關和負載開關。
3. **電動汽車和工業設備**:在電動汽車和工業設備中的高效開關和功率控制應用中,能夠提高系統的整體效率和穩定性。
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