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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSZ240N12NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSZ240N12NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BSZ240N12NS3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

#### 1. 產(chǎn)品簡介

BSZ240N12NS3 G-VB 是英飛凌公司推出的一款高性能單級N溝道MOSFET,專為高電壓和高電流應用設計。該MOSFET具有100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),采用緊湊的DFN8(3x3 mm)封裝。它使用了先進的溝槽技術(shù),具備低導通電阻和高電流處理能力,使其在各種電源開關(guān)和功率管理應用中表現(xiàn)優(yōu)異。

#### 2. 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型:** DFN8(3x3 mm)
- **配置:** 單級N溝道
- **漏源電壓(VDS):** 100V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.8V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 
 - 在 VGS = 10V 時:17mΩ
- **連續(xù)漏電流(ID):** 35.5A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

#### 3. 應用領域及模塊舉例

- **電源轉(zhuǎn)換器:** BSZ240N12NS3 G-VB 非常適合用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源模塊。其100V的漏源電壓和低導通電阻使其能夠高效地處理高電壓和大電流應用,從而提高電源轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,適用于高功率密度的電子設備。

- **電機驅(qū)動應用:** 在電動車或工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng)中,BSZ240N12NS3 G-VB 可用于驅(qū)動電機控制電路。其高電流處理能力和低導通電阻確保電機的高效運行和精確控制,特別是在要求高電壓和高電流的應用場景中。

- **電池管理系統(tǒng)(BMS):** 該MOSFET 是電池管理系統(tǒng)中的理想選擇,尤其適用于需要高電壓處理能力的電池保護電路。其穩(wěn)定性和低導通電阻能夠有效地管理和保護電池組,提升系統(tǒng)的整體效率和安全性。

- **消費電子設備:** 在需要高電壓電源管理的消費電子設備中,例如高性能筆記本電腦和高端電子設備,BSZ240N12NS3 G-VB 可以用于電源開關(guān)和管理模塊。其緊湊的DFN8封裝和高性能使其適合用于高集成度的電子產(chǎn)品中。

- **可再生能源系統(tǒng):** 在太陽能逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)中,BSZ240N12NS3 G-VB 適用于高電壓功率開關(guān)應用。其高電壓和高電流處理能力使其能夠在這些系統(tǒng)中提供可靠的性能,提高整體能源轉(zhuǎn)換效率。

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