在現代電子電路中，二極管被廣泛應用于整流、電源管理、保護電路等領域。二極管的導通電壓（V_f）是其一個重要參數，它決定了電流通過二極管時的電壓降。如果二極管的導通電壓過高，它將直接影響電路的效率
2026-01-05 11:39:18
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采用的是超級結工藝。超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發的，用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結技術有助于降低導通電阻，并提高MOS管開關速度，基于該技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。
2026-01-05 06:12:51
RAA223010：超低待機功耗700V AC/DC降壓調節器的卓越之選 在電子設計領域，AC/DC開關降壓調節器是實現電源轉換的關鍵組件，尤其是對于需要高效、低功耗的應用場景。Renesas推出
2025-12-29 15:40:0666 該系列產品還配備了內置保護，包括DESAT保護、輸入UVLO和OTP，能夠進一步確保設備的穩健性和系統安全性。產品性能· 集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度柵極鉗位
2025-12-24 16:50:10
0 （1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
國硅集成代理商提供700V大電流、高低側柵極驅動芯片NSG2184
2025-12-19 16:49:10
DK8045是一款高度集成了700V/330mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片。DK8045檢測功率管漏極電壓 V D， 當 V D 達到其最低值時開啟功率管，從而減小
2025-12-17 09:04:571 在電源管理系統和高效電池管理系統（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統
2025-12-16 11:01:13198 
電路中。 ? 近日，長晶科技正式推出新一代 SGT（Shielded Gate Trench）Gen2.0 工藝，其基于該工藝打造的 30V MOSFET 系列產品，在核心性能參數、系統能效及熱管理表現上實現全面突破，不僅顯著超越上一代技術，更對標國際一流廠商水平，為 PC 電腦等終端應用的電源管
2025-12-16 09:31:011615 
功率MOSFET（超結工藝）核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS
2025-12-12 15:59:34330 
今日，南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出 700V 高壓 GaN 半橋功率芯片 SC3610，可實現高精度電壓驅動、更優的通道延時匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特別適用于高頻軟
2025-11-28 17:49:371531 合粵車規電容具備700V高壓耐受能力，可適配車載OBC充電器主電路，其核心優勢在于耐高壓設計、低ESR特性、長壽命及高可靠性，能夠滿足高壓快充場景下的嚴苛需求。 以下從技術適配性、應用場景、性能優勢
2025-11-28 14:07:11182 仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應用、負載開關、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道
2025-11-21 10:31:06233 
。
強化低阻特性：SGT 工藝的深溝槽結構（深度為傳統溝槽的 3 - 5 倍）形成垂直導電通道，搭配屏蔽電極的電荷耦合效應，可在 100V 耐壓的前提下提高外延層摻雜濃度，進一步壓低導通電阻。這與該器件
2025-11-17 14:04:46
。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統；導通電阻（\(R_{DS(
2025-11-12 14:15:44277 在電池管理系統（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可
2025-11-12 11:02:47339 
等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統；導通電阻（\(R_{
2025-11-12 09:34:45197 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正（PFC）、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統；導通電阻（\(R_{DS(
2025-11-07 10:31:03211 領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統；導通電阻（\(R_{DS
2025-11-06 16:12:24294 圣邦微電子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值電流能力，具備可編程軟啟動、電流監測和輸出放電功能的低導通電阻負載開關。該器件可應用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設備、固態硬盤和手持設備。
2025-11-05 17:24:162153 
### LNG04R035B-VB MOSFET 產品簡介LNG04R035B-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N-channel MOSFET，設計用于高電流和低導通電阻要求的應用場景。該
2025-10-10 15:26:07
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅動器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，適用于驅動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準通道 （LO） 和一個浮動通道 （HO
2025-10-10 15:05:041377 
UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅動器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，旨在驅動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準通道 （LO） 和一個浮動通道
2025-10-10 14:58:35463 
揚杰科技超低導通電壓(VF)橋式整流器系列(封裝6KBJGBU/JA)采用自制的外延(EPI)+平面工藝(Planar)結構制程技術，其通過增加截止環和終端鈍化層，多次的光照制程, 來實現超低導通電
2025-09-30 11:06:095978 
近日，TDK 株式會社（東京證券交易所代碼：6762）宣布擴展了其低電阻軟端子MLCC的CN系列。該產品在3225尺寸封裝（3.2 x 2.5 x 2.5 mm – 長 x 寬 x 高）下實現了業界
2025-09-26 09:15:3922573 光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
導言在追求更高效率、更高功率密度的電源轉換器設計中，寬禁帶半導體（GaN、SiC）器件扮演著越來越關鍵的角色。然而，理解這些器件在高速開關過程中的真實性能，特別是其動態導通電阻（RDS
2025-09-12 17:14:581019 
NSG21867國硅集成700V大電流高、低側MOSFET/IGBT驅動芯片 一、產品概述NSG21867是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側驅動芯片，具有兩個獨立地傳輸通道
2025-09-04 15:20:36
Texas Instruments TPS22995導通電阻負載開關支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內運行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續電流。
2025-09-02 14:57:49637 
產品描述PL34051是一款輸入電壓范圍2.8V至32V的高效同步升壓DC-DC轉換器，它采用恒定導通時間（COT）控制拓撲，可提供快速的瞬態響應。PL34051集成了兩個低導通電阻的功率
2025-08-21 17:45:400 Texas Instruments LMG362x GaN FET與交流-直流電源轉換中最常見的拓撲兼容。這些FET具有可編程導通壓擺率，可提供EMI和振鈴控制，與傳統的電流檢測電阻相比，電流檢測
2025-08-13 15:28:09591 
在電子元件領域，電阻因材質、工藝和性能差異分為多個品類，其中合金電阻與普通電阻（如厚膜貼片電阻）在核心特性與應用場景上區別顯著。前者以高精度、高功率、低溫度漂移為核心優勢，后者則以通用性和經濟性見長
2025-08-12 10:14:321109 
近日，派恩杰半導體正式發布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領先水平。相比
2025-08-05 15:19:011208 
0.75mΩ超低導通電阻與300A持續電流能力，在高功率應用領域持續輸出。 一、技術突破：PowerTrench工藝與屏蔽柵設計 MDDG03R01G在柵源電壓 VGS = 10V、漏極電流 ID
2025-07-28 15:20:11466 
在電子元件領域，電阻因材質、工藝和性能差異分為多個品類，其中合金電阻與普通電阻（如厚膜貼片電阻）在核心特性與應用場景上區別顯著。前者以高精度、高功率、低溫度漂移為核心優勢，后者則以通用性和經濟性見長
2025-07-23 11:33:11730 這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術（光刻）?摻雜技術?鍍膜技術和刻蝕技術。
2025-07-16 13:52:553321 
電阻的測試分為方塊電阻和接觸電阻，方塊電阻是電路設計的重要組成部分，其阻值準確性嚴重影響電路的性能，Fab廠通過WAT參數方塊電阻Rs監測它們。
2025-07-15 14:33:592065 
這款20V N溝道MOSFET采用雙芯片設計，基于MDD獨特的器件結構，可實現低導通電阻和快速開關特性。
2025-07-10 14:30:360 優異的導通電阻（RDS(ON)）、低柵極電荷、低柵極電壓
2025-07-10 14:27:230 低導通電阻 @柵源電壓=-10V?-5V 邏輯電平控制
2025-07-10 14:21:480 這款30V N溝道MOSFET采用MDD獨特的器件設計，實現了低導通電阻、快速開關特性以及優異的雪崩耐量。
2025-07-10 14:15:370 這款N溝道MOSFET采用MDD公司先進的溝槽型功率技術制造。該工藝經過優化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能和業界領先的軟體二極管特性。
2025-07-10 14:14:550 低導通電阻 @VGS=10V ?5V邏輯電平控制 ?N溝道 SOT23封裝 ?無鉛，符合RoHS標準
2025-07-10 14:06:250 低導通電阻 @柵源電壓=-10V ?-5V邏輯電平控制 ?P溝道SOT23封裝 ?無鉛工藝，符合RoHS標準
2025-07-10 14:04:220 先進溝槽工藝技術?高密度單元設計實現超低導通電阻
2025-07-10 14:02:310 TPS53321 器件提供完全集成的 3V 至 5V V 電壓~在~集成同步 FET 轉換器解決方案，200 個組件中共有 16 個組件 毫米^2^的 PCB 面積。由于低導通電阻和 TI 專有
2025-07-10 13:57:25547 
先進溝槽工藝技術高密度單元設計實現超低導通電阻
2025-07-09 16:56:410 ● 溝槽式功率低壓MOSFET技術?● 卓越的散熱封裝設計?● 低導通電阻的高密度單元結構?● 無鹵素環保工藝
2025-07-09 16:20:220 這款P溝道MOSFET采用MDD公司先進的溝槽型功率技術制造。該工藝經過優化，可最大限度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能和業界領先的軟體二極管特性。
2025-07-09 16:06:270 ● 溝槽式功率低壓MOSFET技術?● 卓越的散熱封裝設計?● 高密度單元結構實現低導通電阻?● 無鹵素環保工藝
2025-07-09 16:04:330 這款60V P溝道MOSFET采用MDD獨特的器件設計，實現了低導通電阻、快速開關性能以及優異的雪崩特性。? 高密度電池設計實現極低導通電阻(RDS(ON)) ?? 卓越的導通電阻與最大直流電流承載能力
2025-07-09 15:05:550 ● 溝槽功率低壓MOSFET技術● 低導通電阻?● 低柵極電荷
2025-07-09 15:02:230 低導通電阻?低柵極電荷?100%通過UIS測試??符合RoHS標準
2025-07-09 14:51:100 低導通電阻低柵極電荷100%通過雪崩測試??符合RoHS標準
2025-07-09 14:49:034 低導通電阻低柵極電荷?100%通過雪崩測試??符合RoHS標準
2025-07-09 14:47:180 低導通電阻??低柵極電荷?100%通過雪崩測試?符合RoHS標準
2025-07-09 14:44:560 低導通電阻低柵極電荷?100%用戶界面測試?符合RoHS標準
2025-07-09 14:40:510 低導通電阻 ?低柵極電荷100%用戶界面測試符合RoHS標準
2025-07-09 14:29:300 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環節，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 
引言 在半導體及微納制造領域，光刻膠剝離工藝對金屬結構的保護至關重要。傳統剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質量的關鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 該UCC28881將控制器和一個 14 Ω、700V 功率 MOSFET 集成到一個單片器件中。該器件還集成了一個高壓電流源，可以直接從整流的電源電壓啟動和運行。UCC28881 是同一
2025-06-20 16:04:27696 
的動態響應，
SOP8 封裝，內置 700V 高壓功率開關，可靠性高，
具有欠壓鎖定、過壓、過溫、過流、輸出短路保護等功能，
FT8451X是一款高性能、高精度、低成本的非隔離PWM功率開關。它包含一
2025-06-18 11:02:18
至關重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。 用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液 配方設計 低銅腐蝕光刻膠剝離液需兼顧光刻膠溶解能力與銅保護性能。其主要成分包括有機溶
2025-06-18 09:56:08693 測量對工藝優化和產品質量控制至關重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法，并介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。 低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法 配方組成 低含量 NMF 光刻膠剝離液主要由低濃度 NMF、助溶劑、堿性物質、緩蝕劑
2025-06-17 10:01:01678 引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻膠剝離是重要工序。傳統剝離液常對金屬層產生過度刻蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量也是確保制造質量的關鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應用，并
2025-06-16 09:31:51586 ? ? 引言 ? 在半導體制造領域，光刻膠剝離工藝是關鍵環節，但其可能對器件性能產生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 工作電壓可達 700V。高速風筒專用電機驅動芯片KP85302SGA采用 SOP-8封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內工作。
一、產品特性：
1.自舉工作的浮地通道
2.最高工作電壓為
2025-06-14 09:08:31
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導體制造的核心技術，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發生化學變化，再經過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設計在掩膜上的圖形轉移到襯底上，是現代半導體、微電子、信息產業
2025-06-09 15:51:162127 LMR436x0-Q1 是業界最小的 36V、2A 和 1A 同步降壓直流/直流轉換器，采用 2mm × 2mm HotRod 封裝。這款易于使用的轉換器支持 3.0V 至 36V 的寬輸入電壓范圍
2025-06-09 11:03:24692 
LMR436x0-Q1 是業界最小的 36V、2A 和 1A 同步降壓直流/直流轉換器，采用 2mm × 2mm HotRod 封裝。這款易于使用的轉換器支持 3.0V 至 36V 的寬輸入電壓范圍
2025-06-08 15:18:29778 
導通電阻（RDSON）指的是在規定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態時（工作在線性區），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343808 
MAX14918 和 MAX14918A 是四個 700mA 低側 用于工業應用的開關。每個設備 具有四個 140mΩ（典型值）導通電阻 （R~ON）~ 開關 內置 ±1.2kV/42Ω 浪涌保護器。2 或 可以并聯更多輸出，以提供 更高的負載電流。
2025-05-20 15:45:131556 ADG3241是一款2.5 V或3.3 V、單通道數字開關，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關速度和極低導通電阻特性。輸入可以與輸出相連，而且不會引起額外的傳播延遲或產生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 14:34:49633 
ADG3246是一款2.5 V或3.3 V、10位、2端口數字開關，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關速度和極低導通電阻特性。輸入可以與輸出相連，而且不會引起額外的傳播延遲或產生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 11:27:38657 
ADG3245是一款2.5 V或3.3 V、8位、2端口數字開關，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關速度和極低導通電阻特性。輸入可以與輸出相連，而且不會引起額外的傳播延遲或產生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 11:22:06793 
ADG3242是一款2.5 V或3.3 V、2位、2端口公共控制數字開關，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關速度和極低導通電阻特性。輸入可以與輸出相連，而且不會引起額外的傳播延遲或產生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 11:02:16703 
ADG3248是一款2.5 V或3.3 V、高性能2:1多路復用器/解復用器，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關速度和極低導通電阻特性。低導通電阻特性使輸入可以與輸出相連，而且不會引起額外的傳播延遲或產生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 10:03:30888 
TPS22917x 器件是一款小型單通道負載開關，使用低泄漏 P 溝道 MOSFET，可實現最小的功率損耗。先進的柵極控制設計支持低至 1 V 的工作電壓，導通電阻和功率損耗的增加最小
2025-05-09 17:14:15844 
隨著極紫外光刻（EUV）技術面臨光源功率和掩模缺陷挑戰，X射線光刻技術憑借其固有優勢，在特定領域正形成差異化競爭格局。
2025-05-09 10:08:491369 
TPS22995是一款單通道負載開關，集成了N-channel MOSFET，具有低導通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時間，用于限制啟動時的涌入電流。該開關適用于筆記本電腦、平板電腦、工業PC及離散工業解決方案等應用。
2025-05-07 17:52:38663 
TPS22999 是一款單通道負載開關，旨在實現快速導通時間，同時保持低浪涌電流該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 0.1 V 至 VBIAS –1.0 V 的輸入電壓范圍內工作，并可支持 1.5 A 的最大連續電流。
2025-05-07 10:00:56536 
隨著通信基站和工業設備電源系統向48V升級，高效、節能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進工藝與封裝技術，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低導通電阻和緊湊尺寸，為風扇電機驅動提供高性能
2025-04-30 18:33:29877 
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應用提供低元件數量。
2025-04-16 09:55:06835 
這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷，并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導通電阻、小尺寸和扁平外形使該器件成為電池供電空間受限應用的理想選擇。
2025-04-16 09:32:28634 
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 （LGA） NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷，并在超扁平中具有出色的熱特性?；鍠鸥耜嚵?（LGA） 封裝是一種硅芯片級封裝，采用金屬焊盤而不是焊球。
2025-04-16 09:18:13614 
第9章 集成電路制造工藝概況 第10章 氧化 第11章 淀積 第12章 金屬化 第13章 光刻：氣相成底膜到軟烘 第14章 光刻：對準和曝光 第15章 光刻：光刻膠顯影和先進的光刻技術 第16章
2025-04-15 13:52:11
光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復轉印環節，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導體制造工藝演進，對光刻分辨率、套準精度和可靠性的要求持續攀升，光刻技術也將不斷演化，支持更為先進的制程與更復雜的器件設計。
2025-03-27 09:21:333273 
在醫療科技領域，血糖儀作為一種重要的便攜式醫療檢測設備，其準確性和可靠性直接關系到患者的健康監測效果。而在血糖儀的生產過程中，焊接工藝是確保組件之間穩固連接、實現電氣導通的關鍵環節。下面來看看激光
2025-03-19 14:18:23525 
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
近期，充電頭網拆解了機械師G6Pro游戲手柄，該款產品使用的過壓保護芯片來自Prisemi芯導科技，型號P14C13，是一顆高集成的過壓保護芯片，過壓保護點為6V，耐壓為32V，內置MOS管導通電阻為250mΩ，采用SOT23封裝。
2025-02-19 14:30:371091 惠斯通電橋是一種能準確方便地測量直流電阻的儀器，其電阻測量方法主要基于電橋平衡的原理。以下是惠斯通電橋測量電阻的詳細步驟： 一、準備階段 選擇合適的儀器 ：確保自組電橋電路板、檢流計、電阻箱（如
2025-02-13 15:11:193532 ，Wolfspeed第4代技術專為簡化大功率設計中常見的開關行為和設計挑戰而設計，并為 Wolfspeed 的各類產品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產品）制定了長遠的發展規劃路線圖。 ? 導通電阻大幅下降，開關損耗降低，安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術主要的提升在于三個部分，首
2025-02-13 00:21:001523 電子發燒友網站提供《PDTD143XU NPN電阻晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-10 14:00:000 電子發燒友網站提供《PDTB143XU PNP電阻晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-08 18:10:030 NX899是一款先進的CMOS模擬開關，它采用硅柵CMOS技術制造，在保持CMOS低功耗的同時，實現了非常低的傳播延遲和低導通電阻，模擬電壓和數字電壓可能在整個供電范圍內(從VCC到GND)有所不同。
在性能上，NX899能國產替代SN74LVC1G3157、SGM3157。
2025-02-05 17:26:121123 
光刻是芯片制造過程中至關重要的一步，它定義了芯片上的各種微細圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻
2025-01-28 16:36:003583 
電阻器是電子電路中最基本的元件之一，用于限制或調節電流的流動。根據其精度和應用場景的不同，電阻器可以分為精密電阻器和普通電阻器。 1. 定義與分類 精密電阻器 是指那些具有高穩定性、高精度和低溫
2025-01-24 16:17:031676 ### 產品簡介BSC035N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。它提供優異的電流承載能力和低導通電阻，適合于高效率電源管理和電流控制
2025-01-08 15:58:54
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