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東莞市中銘電子

東莞市中銘電子是一家從事半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)、技術(shù)方案服務(wù)及銷售一體的技術(shù)公司

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NSG21867 國硅集成700V 大電流高、低側(cè) MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

型號： NSG21867

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最高工作電壓為 700V
  • Vs負(fù)壓耐受能力 -9V
  • 柵極驅(qū)動電壓 10V到20V
  • 拉電流 4.0A
  • 灌電流 4.0A
  • 封裝 SOIC8(S)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NSG21867國硅集成700V大電流高、低側(cè)MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

 

一、產(chǎn)品概述

NSG21867是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動芯片，具有兩個獨立地傳輸通道。內(nèi)部集成了高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護(hù)電路，具備大電流脈沖輸出能力，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 邏輯輸出電平，輸出電流能力最大可達(dá)4A，其浮地通道最高工作電壓可達(dá)700V。可用于驅(qū)動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。
 

二、產(chǎn)品特征

自舉工作的浮動通道
最高工作電壓為700V
兼容3.3V, 5V和15V輸入邏輯
dV/dt耐受能力可達(dá)±50V/nsec
Vs負(fù)壓耐受能力達(dá)-9V
柵極驅(qū)動電壓：10V到20V
高、低側(cè)欠壓鎖定電路
 --欠壓鎖定正向閾值6V
 --欠壓鎖定負(fù)向閾值5.5V
芯片開通/關(guān)斷傳輸延時
 --Ton/Toff=150ns/150ns
高低側(cè)延時匹配
驅(qū)動電流能力：
 ----拉電流/灌電流=4.0A/4.0A
符合RoSH標(biāo)準(zhǔn)
SOIC8(S)
 

 

三、應(yīng)用范圍

電機控制
空調(diào)/洗衣機
通用逆變器
微型逆變器驅(qū)動程序
 

 

四、器件信息

五、簡化示意圖

 

NSG21867高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動芯片方案應(yīng)用資料及參考手冊請咨詢國硅集成代理商東莞市中銘電子，專業(yè)的FAE提供技術(shù)支持服務(wù)

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