25nm工藝 Intel新推313系列緩存式SSD

??? 據(jù)報道：Intel將繼續(xù)推出緩存式SSD新品，屬于313系列，代號為"Hawley Creek"，替代代號為"Larson Creek"的311系列，容量有20GB、24GB，預(yù)計將在4月上市，售價分別為99美元和119美元。

??? 據(jù)介紹，Intel新313系列緩存SSD為7系列芯片組所設(shè)計，厚度7mm，包括2.5英寸和mSATA規(guī)格產(chǎn)品，采用SATA 3Gbps接口，基于25nm閃存制造工藝，采用SLC閃存，提高讀寫壽命。

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納米技術(shù)(27000) 納米技術(shù)(27000)
intel(190773) intel(190773)
固態(tài)硬盤(60214) 固態(tài)硬盤(60214)

高性能SPI接口的NOR FLASH存儲器ZB25D80B

英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25

2026-01-05 16:11:01

TE新推的Buchanan接線端子是什么?-赫聯(lián)電子

用　　7、兼容通孔回流的版本適用于經(jīng)濟(jì)高效的焊接工藝　　作為TE的授權(quán)分銷商，Heilind(赫聯(lián)電子)可為市場提供相關(guān)服務(wù)與支持，此外Heilind(赫聯(lián)電子)也供應(yīng)多家世界頂級制造商的產(chǎn)品，涵蓋25

2026-01-05 10:16:57

0.2nm工藝節(jié)點的背后需要“背面供電”支撐

實現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點的推進(jìn)，芯片供電面臨越來越多問題，所以近年英特爾、臺積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù)，旨在解決工藝節(jié)點不斷推進(jìn)下，芯片面臨的供電困境。 ? 正面供電面臨物理極限 ? 在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的歷程中

2026-01-03 05:58:00

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HMC313 / 313E：GaAs InGaP HBT MMIC寬帶放大器增益模塊的優(yōu)秀之選

HMC313 / 313E：GaAs InGaP HBT MMIC寬帶放大器增益模塊的優(yōu)秀之選在電子工程領(lǐng)域，放大器的性能直接影響著整個系統(tǒng)的表現(xiàn)。HMC313 / 313E作為一款GaAs

2025-12-31 14:10:12

HMC-ALH313：27 - 33 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器的深度解析

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2025-12-31 09:55:10

104

三星發(fā)布Exynos 2600，全球首款2nm SoC，NPU性能提升113%

級芯片（SoC），有望重塑三星在移動芯片領(lǐng)域的競爭力。預(yù)計2026年2月發(fā)布的Galaxy S26系列將首發(fā)搭載該芯片。 ? ? Exynos 2600在制程工藝上采用2nm GAA（MBCFET

2025-12-25 08:56:00

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5CEFA4F23C8NQS現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）芯片

5CEFA4F23C8NQS現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）芯片5CEFA4F23C8NQS是 Intel（原 Altera）Cyclone? V E 系列的一款 FPGA 器件，采用先進(jìn)的 28 nm

2025-12-25 08:53:29

NORDIC 54系列相比52系列的優(yōu)勢有哪些？

①成本優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定 ②功耗降低30%-50%，工藝制程采用22nm，主頻由64M升級到128M。且54系列是M33的核。 ③54系列支持藍(lán)牙6.0 ，支持channelsounding功能，52系列不支持。 ④54系列支持最新的NCS

2025-12-24 11:09:50

FPGA 專業(yè)級開發(fā)平臺性價比之選，ALINX Artix US+ PCle AXAU25

UltraScale+ 系列 FPGA 芯片 AU25P ： ? 采用? 16nm FinFET+ ?先進(jìn)工藝，相比老一代 28nm/20nm 產(chǎn)品在每瓦性能上實現(xiàn)了代際飛躍，功耗低，在緊閉、被動散熱

2025-12-24 10:54:15

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電子工程師必看：QVxx25xHx系列25A高溫雙向晶閘管TRIAC深度解析

電子工程師必看：QVxx25xHx系列25A高溫雙向晶閘管TRIAC深度解析在電子工程師的日常工作中，選擇合適的半導(dǎo)體器件至關(guān)重要，它直接關(guān)系到產(chǎn)品的性能、穩(wěn)定性和壽命。今天，我們就來深入探討一下

2025-12-16 10:00:06

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高性能SPI NOR FLASH芯片ZB25VQ系列推薦

在嵌入式系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備及各類存儲應(yīng)用中，SPI NOR FLASH芯片因其接口簡單、功耗低、讀寫速度快等特點，成為代碼存儲與數(shù)據(jù)緩存的常見選擇。SPI NOR FLASH是一種基于SPI（串行外設(shè)

2025-12-01 14:52:03

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芯源EEPROM產(chǎn)品的優(yōu)勢

01CW24xx系列串行EEPROM具有低引腳數(shù)、高可靠性、多種存儲容量 02用于靈活的參數(shù)管理和小代碼存儲，滿足穩(wěn)定的數(shù)據(jù)保存、低功耗和空間受限的需要 03采用華虹95nm 最先進(jìn)工藝，晶圓

2025-11-28 06:43:14

昊衡科技FLA系列光纖鏈路分析儀拓展850nm新波段

為進(jìn)一步滿足市場對850nm波段光器件精準(zhǔn)測量的需求，昊衡科技FLA系列光纖鏈路分析儀拓展850nm測量新波段，為多模光纖鏈路、850nm光器件及芯片級樣品提供一套更高效、更全面的檢測解決方案

2025-11-27 17:30:44

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PCIe 5.0 8TB SSD挺進(jìn)消費級市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，隨著AI應(yīng)用的廣泛落地，用戶對存儲速率和容量的需求與日俱增。近期高端消費級SSD市場不斷出現(xiàn)PCIe 5.0?8TB SSD產(chǎn)品。 ? 三星于2025年推出PCIe 5.0旗艦

2025-11-22 08:05:00

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憶聯(lián)首款商用消費級QLC SSD AE531深度評測

近日，深耕存儲及硬件領(lǐng)域的專業(yè)評測機(jī)構(gòu)PCEVA對憶聯(lián)首款QLC商用消費級SSD AE531展開了深度評測。結(jié)果顯示，AE531在性能以及各項測試上的成績均超越同級表現(xiàn)。同時，務(wù)實的SLC緩存策略、跨平臺兼容性與60℃滿載無降速的溫控能力，更凸顯商用場景下的穩(wěn)定優(yōu)勢。

2025-11-07 11:02:40

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FS313B USB 的 PD和QC 快充協(xié)議電壓誘騙控制器規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS313B USB 的 PD和QC 快充協(xié)議電壓誘騙控制器規(guī)格書.pdf》資料免費下載

2025-11-05 17:28:15

SSD為何需要DRAM緩存？天碩工業(yè)級SSD帶來深度解析！

在當(dāng)今數(shù)字化轉(zhuǎn)型的浪潮中，工業(yè)存儲設(shè)備的選擇直接關(guān)系到整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。天碩工業(yè)級SSD固態(tài)硬盤憑借其卓越的DRAM緩存技術(shù)，在眾多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。本文將采用問答形式，深入探討這一關(guān)

2025-10-20 17:59:28

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德明利企業(yè)級SSD與OpenCloudOS、騰訊云完成技術(shù)兼容互認(rèn)證

德明利TS3160系列企業(yè)級SATA SSD產(chǎn)品與OpenCloudOS、騰訊云相互兼容認(rèn)證

2025-10-17 15:48:58

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目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝水平介紹

1.8nm）制程技術(shù)亮點：這是英特爾首個2納米級別制程節(jié)點，采用了全環(huán)繞柵極晶體管（Gate-All-Around, GAA）和背面供電網(wǎng)絡(luò)（Backside Power Delivery Network）。與Intel 3制程相比，每瓦性能提升達(dá)15%，芯片密度提升約30%。該工藝支持多芯片封裝架構(gòu)，兼具高

2025-10-15 13:58:16

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嵌入式領(lǐng)域的“性價比王者”！明遠(yuǎn)智睿SSD2351核心板

嵌入式領(lǐng)域的“性價比王者”！深度解析明遠(yuǎn)智睿SSD2351核心板的技術(shù)亮點與應(yīng)用潛力在物聯(lián)網(wǎng)與智能硬件飛速發(fā)展的背景下，嵌入式核心板作為設(shè)備的“大腦”，其性能、成本與兼容性直接決定了產(chǎn)品的競爭力

2025-10-14 17:53:13

628

車載360環(huán)視平臺：米爾RK3576開發(fā)板支持12路低延遲推流

，傳統(tǒng)硬件平臺往往在攝像頭數(shù)量、編解碼效率和推流延遲上存在瓶頸，難以滿足行業(yè)對高并發(fā) + 低延遲的要求。作為嵌入式領(lǐng)域的先行者，米爾電子基于瑞芯微 RK3576開發(fā)板，推出了針對車載360環(huán)視

2025-10-11 17:55:41

串口DMA發(fā)送有緩存嗎？

串口DMA發(fā)送有緩存嗎，我是從ringbuffer取出來，放到申請的緩存里，啟動串口DMA發(fā)送，然后就釋放了。暫時沒發(fā)現(xiàn)什么問題。用的drv_usart.c是這個版本

2025-10-10 06:14:05

為什么推薦 SSD 而不是 HDD 的電腦？

一、SSD 與 HDD 的本質(zhì)區(qū)別? 1.存儲原理? 固態(tài)硬盤（SSD）：采用NAND閃存芯片存儲數(shù)據(jù)，類似“大號U盤”，無任何機(jī)械運動部件。數(shù)據(jù)通過電子信號讀寫，速度極快，且抗震動、噪音低

2025-09-25 16:19:43

711

請問官方bootloader能使用外部flashNM25q128嗎？

直接生成的bootloader不能用，正點原子探索者使用的NM25Q128。請問是為什么？硬件沒有問題，使用片內(nèi)flash的話是可以的，NM25Q128掛載沒有問題

2025-09-18 06:15:53

BCM56771A0KFSBG—7nm 低功耗工藝、56G PAM4 高速接口

BCM56771A0KFSBG性能密度：單芯片 12.8Tbps + 32×400G 端口，降低設(shè)備數(shù)量與 TCO。技術(shù)前瞻：PAM4 調(diào)制 + 7nm 工藝，平滑演進(jìn)至 800G 時代。能效比

2025-09-09 10:41:47

【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話

個演進(jìn)過程中都發(fā)生了怎樣的變化和啟示呢？之所以出現(xiàn)傳統(tǒng)工藝平面場效應(yīng)晶體管到鰭式場效應(yīng)晶體管及納米片全環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管的變化，主要是解決在關(guān)閉狀態(tài)下也會出現(xiàn)的漏電流問題，它會導(dǎo)致電池供電情況下電量

2025-09-06 10:37:21

請問M453是否默認(rèn)啟用4kb緩存？

瀏覽 M453 的各種示例代碼，我沒有看到顯式啟用 4kb 緩存，那么緩存是否默認(rèn)啟用？

2025-08-28 08:27:31

選型手冊：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管

2025-08-27 17:51:24

6127

德承新款工控機(jī)P2302系列全面搭載新一代 Intel? Meteor Lake-PS Core? Ultra 7/5/3 處理器

P2302?系列是一款針對邊緣運算而設(shè)計的薄型、高性能嵌入式工控機(jī)。在效能上可搭載 Intel? Core? Ultra 7/5/3 U?系列（Meteor Lake-PS）CPU，擁有 12?核心

2025-08-27 15:02:37

766

代理供應(yīng)希力微 SJ MOS管 SSF60R190TH、SSD60R280FTR、SSD60R360METR、SSD65R900FTR

希力微 SJ MOS系列產(chǎn)品涵蓋250V-1000V全系列，提供高達(dá)140A靜態(tài)電流的規(guī)格，高工作頻率達(dá)到200KHz以上，可以滿足各種電源規(guī)格的需求。其高效率、低溫升的優(yōu)點，特別適用于TV電源

2025-08-27 09:49:48

自主可控：度亙核芯成功推出全國產(chǎn)化830nm單模光纖耦合模塊

的擁有830nm單模系列產(chǎn)品全流程設(shè)計與制造能力的企業(yè)！基于度亙核芯在芯片設(shè)計領(lǐng)域深厚的技術(shù)積淀與高端IDM制造工藝，實現(xiàn)了功率≥300mW、線寬≤0.5nm、高

2025-08-26 13:08:36

1308

10CX150YF672E5G現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）芯片

10CX150YF672E5G 是Intel（原 Altera）推出的 Cyclone? 10 GX 系列高性能、低功耗 FPGA 芯片，選用 20nm 工藝技術(shù)，具備 150,000 個邏輯單元

2025-08-21 09:15:02

Redis緩存的經(jīng)典問題和解決方案

用戶瘋狂查詢數(shù)據(jù)庫中不存在的數(shù)據(jù)，每次查詢都繞過緩存直接打到數(shù)據(jù)庫，導(dǎo)致數(shù)據(jù)庫壓力驟增。

2025-08-20 16:24:14

627

JAE推出全新ST51系列連接器

日本航空電子工業(yè)(JAE)現(xiàn)已開始對外銷售推/推式“ST51系列”的卡座連接器，該系列連接器支持的“microSD EXPRESS卡”，實現(xiàn)高速大容量的數(shù)據(jù)讀寫。

2025-08-15 11:19:36

2458

創(chuàng)飛芯40nm HV工藝OTP IP完成上架

珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實現(xiàn)新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲IP核已在國內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過

2025-08-14 17:20:53

1311

創(chuàng)飛芯40nm eNT嵌入式eFlash IP通過可靠性驗證

珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證！這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點上的技術(shù)實力與工程化能力。

2025-08-14 11:52:59

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M系列連接器電鍍工藝及單位轉(zhuǎn)換

M系列航空插頭因其高可靠性要求，通常采用多種電鍍工藝以提升性能。

2025-08-08 15:07:47

現(xiàn)在rtsp推流還是只能向局域網(wǎng)推流嗎？

現(xiàn)在rtsp推流還是只能向局域網(wǎng)推流嗎

2025-08-08 06:07:03

緩存之美：萬文詳解 Caffeine 實現(xiàn)原理（上）

文章將采用“總-分-總”的結(jié)構(gòu)對配置固定大小元素驅(qū)逐策略的 Caffeine 緩存進(jìn)行介紹，首先會講解它的實現(xiàn)原理，在大家對它有一個概念之后再深入具體源碼的細(xì)節(jié)之中，理解它的設(shè)計理念，從中能學(xué)習(xí)到

2025-08-05 14:49:12

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工業(yè)級SSD怎么選？天碩三大核心部件技術(shù)解析

買工業(yè)級固態(tài)硬盤時，總有人問 “哪款性能好”？而天碩M.2 NVMe 工業(yè)級 SSD 能成為工業(yè)級標(biāo)桿，正是因為把這三大部件主控芯片、緩存和閃存顆粒做到了極致的運用

2025-07-26 16:27:48

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晶圓清洗工藝有哪些類型

清洗工藝可分為以下幾類：1.濕法清洗（WetCleaning）（1）槽式清洗（BatchCleaning）原理：將多片晶圓（通常25-50片）放入化學(xué)槽中，依次浸泡

2025-07-23 14:32:16

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PCIe 6.0 SSD主控芯片曝光！4nm制程，順序讀取高達(dá)28 GB/s

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，慧榮科技首次曝光了其下一代企業(yè)級SSD主控芯片——SM8466。該款重磅新品將支持PCIe Gen6標(biāo)準(zhǔn)，采用臺積電4nm制程，可實現(xiàn)高達(dá)28 GB/s的順序讀取和7M

2025-07-18 08:19:00

2955

沒有掉電保護(hù)的SSD為什么不適合工業(yè)級場景？

在電力、工業(yè)自動化、軌道交通等領(lǐng)域，數(shù)據(jù)安全容不得半點馬虎。然而很多人并不知道，普通SSD在突發(fā)斷電時面臨著巨大的風(fēng)險：DRAM緩存中的數(shù)據(jù)可能還未寫入NAND閃存，就因掉電而徹底丟失。那么，沒有

2025-07-16 10:54:36

485

明遠(yuǎn)智睿SSD2351：開啟嵌入式系統(tǒng)開發(fā)新時代

和產(chǎn)品質(zhì)量。明遠(yuǎn)智睿SSD2351的出現(xiàn)，為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)帶來了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，正開啟著嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的新時代。強勁性能，滿足復(fù)雜計算需求明遠(yuǎn)智睿SSD2351搭載的四核1.4GHz處理器是其性能的核心保障。四核架構(gòu)的設(shè)計使得處理器能

2025-07-15 15:47:07

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明遠(yuǎn)智睿SSD2351：嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的卓越之選

在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)這一充滿挑戰(zhàn)與機(jī)遇的領(lǐng)域，一款出色的開發(fā)板就如同開發(fā)者手中的利器，能助力他們披荊斬棘，創(chuàng)造出令人驚嘆的成果。明遠(yuǎn)智睿SSD2351便是這樣一款集性能、功能與易用性于一身的杰出代表，正

2025-07-15 15:46:07

502

為什么天碩工業(yè)級SSD固態(tài)硬盤比普通SSD更適合工業(yè)設(shè)備？

很多用戶認(rèn)為SSD的主要區(qū)別只在于速度，但實際上，工業(yè)級SSD和消費級SSD在性能、可靠性和適用場景上存在本質(zhì)差異。尤其是在高安全性、極端環(huán)境下運行的工業(yè)設(shè)備中，選擇合適的SSD關(guān)乎系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性

2025-07-09 18:00:39

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工業(yè)級SSD為什么需要掉電保護(hù)？天碩工業(yè)級SSD固態(tài)硬盤告訴你答案

在工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng)中，電源波動或突發(fā)斷電是常見問題。這種情況下，如果SSD正在寫入數(shù)據(jù)，很可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或文件系統(tǒng)損壞，甚至引發(fā)系統(tǒng)宕機(jī)。天碩（TOPSSD）G40工業(yè)級固態(tài)硬盤，針對這一

2025-07-09 17:05:07

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希力微 250V-1000V耐壓超結(jié)工藝MOSFET 代理供應(yīng)

、快速充電器、LED電源、通訊和服務(wù)器電源、電動車充電樁等系統(tǒng)。 SJ MOS系列型號： SSQ55R115FTH、SSD55R280FTR、SSD100R1K4METR、SSF100R1K4METH

2025-07-09 12:00:21

SSD2351核心板技術(shù)解析：高性能嵌入式設(shè)計的核心引擎

? ? 1. 產(chǎn)品概述 ? ? SSD2351核心板是一款基于國產(chǎn)高性能處理器或SoC（系統(tǒng)級芯片）設(shè)計的嵌入式核心模塊，以明遠(yuǎn)智睿的SSD2351的核心板為例，適用于工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)終端、邊緣

2025-07-07 16:45:05

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企業(yè)級SSD的核心技術(shù)與市場趨勢

。 ? 企業(yè)級SSD的核心部件示意圖 ? 主控芯片（控制大腦）控制數(shù)據(jù)讀寫，直接決定SSD 的性能、可靠性固件（操作系統(tǒng)）確保SSD高效穩(wěn)定運行 NAND Flash、DRAM（存儲介質(zhì)） NAND Flash是主要存儲介質(zhì)，用于存儲用戶數(shù)據(jù)；DRAM提供數(shù)據(jù)緩存。 ? 企業(yè)級SSD總線? ? 總線是

2025-07-06 05:34:00

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harmony-utils之CacheUtil，緩存工具類

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明遠(yuǎn)智睿SSD2351開發(fā)板：嵌入式創(chuàng)新應(yīng)用的理想平臺

隨著科技的飛速發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)已經(jīng)滲透到我們生活的方方面面，從智能家居到工業(yè)自動化，從視頻監(jiān)控到智能交通，嵌入式技術(shù)的應(yīng)用無處不在。而在嵌入式開發(fā)的過程中，一款性能卓越、功能豐富的開發(fā)板無疑是開發(fā)者

2025-07-01 16:49:15

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高性能緩存設(shè)計：如何解決緩存偽共享問題

在多核高并發(fā)場景下，緩存偽共享（False Sharing）是導(dǎo)致性能驟降的“隱形殺手”。當(dāng)不同線程頻繁修改同一緩存行（Cache Line）中的獨立變量時，CPU緩存一致性協(xié)議會強制同步整個

2025-07-01 15:01:35

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?紫光閃芯新一代企業(yè)級SATA SSD E1200產(chǎn)品系列發(fā)布

2025 年 6 月 25 日,紫光閃芯正式發(fā)布新一代面向企業(yè)級市場的SATA SSD E1200產(chǎn)品系列,憑借性能顯著躍升與企業(yè)級高可靠性設(shè)計,為數(shù)據(jù)中心、云計算、邊緣計算等場景的高性能存儲需求

2025-06-26 16:57:15

713

FS313B USB 的 PD和QC快充協(xié)議電壓誘騙控制器數(shù)據(jù)手冊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS313B USB 的 PD和QC快充協(xié)議電壓誘騙控制器數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載

2025-06-26 15:57:16

FS313B USB的PD和QC快充協(xié)議電壓誘騙控制器中文手冊

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2025-06-17 15:53:49

鎧俠雙軸技術(shù)戰(zhàn)略，研發(fā)超級SSD

年，近一半的NAND需求將與人工智能相關(guān)。Kioxia旨在通過先進(jìn)的SSD產(chǎn)品和技術(shù)，以支持人工智能系統(tǒng)不斷變化的需求。鎧俠正在開發(fā)鎧俠CM9系列、鎧俠LC9系列和其他系列，作為其使用第8代BiCS FLASH的最新SSD產(chǎn)品線。KIOXIA CM9系列是用于AI系統(tǒng)的高性能SSD，

2025-06-12 09:14:22

2727

推掃式高光譜相機(jī)VIX-N230重磅發(fā)布——開啟精準(zhǔn)成像新時代

近紅外高光譜相機(jī)——VIX-N230。 VIX-N230 基于推掃式高光譜成像原理，覆蓋可見光近紅外光譜范圍，光譜分辨率可達(dá)2.5nm，具備超高成像速度、高靈敏度和優(yōu)越的信噪比，可按需快速、精準(zhǔn)獲取生態(tài)環(huán)境、精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)、工業(yè)檢測、資源勘

2025-05-20 15:34:17

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見合八方發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品

天津見合八方光電科技有限公司(以下簡稱“見合八方”)發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品；包括850nm SLD，850nm RSOA，同時，850nm SOA也在測試驗證階段，即將發(fā)布。

2025-05-17 11:15:33

882

從25G PHY到AI平臺：差分晶振FCO-PG系列關(guān)鍵應(yīng)用全解讀

在高速通信、數(shù)據(jù)中心、AI服務(wù)器、光纖網(wǎng)絡(luò)與高精度時鐘應(yīng)用不斷擴(kuò)展的背景下，F(xiàn)Com富士晶振推出了 FCO-3L/5L/7L-PG 系列差分輸出晶體振蕩器，覆蓋3種常用封裝，支持

2025-05-16 14:46:56

QLC SSD在數(shù)據(jù)中心的用途

QLC技術(shù)通過在HDD和TLC SSD之間形成中間層來解決這些挑戰(zhàn)。與現(xiàn)有的TLC SSD相比，QLC具有更高的密度、更高的功率效率和更低的成本。

2025-05-14 09:02:14

1127

MCU緩存設(shè)計

MCU 設(shè)計通過優(yōu)化指令與數(shù)據(jù)的訪問效率，顯著提升系統(tǒng)性能并降低功耗，其核心架構(gòu)與實現(xiàn)策略如下：一、緩存類型與結(jié)構(gòu) 指令緩存（I-Cache）與數(shù)據(jù)緩存（D-Cache）? I-Cache?：緩存

2025-05-07 15:29:47

937

Nginx緩存配置詳解

Nginx 是一個功能強大的 Web 服務(wù)器和反向代理服務(wù)器，它可以用于實現(xiàn)靜態(tài)內(nèi)容的緩存，緩存可以分為客戶端緩存和服務(wù)端緩存。

2025-05-07 14:03:02

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OPA313 單路、5.5V、1MHz、低靜態(tài)電流 (50μA)、RRIO運算放大器技術(shù)手冊

OPA313 系列單通道、雙通道和四通道運算放大器代表了新一代的低成本、通用、微功耗運算放大器。軌到軌輸入和輸出擺幅，低靜態(tài)電流（典型值 50μA）與 1MHz 的寬帶寬和極低噪聲（1kHz 時為

2025-04-30 15:45:54

882

Intel-Altera FPGA：通信行業(yè)的加速引擎，開啟高速互聯(lián)新時代

、機(jī)器人等高增長領(lǐng)域。性能突破：如Agilex系列集成PCIe Gen5、CXL技術(shù)，提供高帶寬、低延遲的互聯(lián)能力。能效優(yōu)化：通過先進(jìn)制程（如10nm SuperFin）和架構(gòu)創(chuàng)新，降低功耗并提升集成度

2025-04-25 10:19:09

Xilinx Ultrascale系列FPGA的時鐘資源與架構(gòu)解析

Ultrascale是賽靈思開發(fā)的支持包含步進(jìn)功能的增強型FPGA架構(gòu)，相比7系列的28nm工藝，Ultrascale采用20nm的工藝，主要有2個系列：Kintex和Virtex

2025-04-24 11:29:01

2261

Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現(xiàn)流片成功

我們很高興能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車規(guī)級 IP 解決方案?的承諾，可滿足新一代汽車電子和高性能計算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。

2025-04-16 10:17:15

843

高速SSD存儲+傳輸系統(tǒng)方案設(shè)計

Ethernet IP）、AXI PCIe IP等模塊。該系統(tǒng)能夠持續(xù)接收高速數(shù)據(jù)流數(shù)據(jù)，并經(jīng)緩存模塊處理后，存儲至NVMe SSD，同時可以將存儲數(shù)據(jù)通過萬兆光纖以UDP協(xié)議上傳至上位機(jī)以供后續(xù)處理。

2025-04-14 13:38:13

659

高速SSD存儲系統(tǒng)中數(shù)據(jù)緩存控制器整體頂層設(shè)計

數(shù)據(jù)緩存控制器主要實現(xiàn)了對大量突發(fā)數(shù)據(jù)的緩存、AXI4接口與AXI4-Stream接口之間的轉(zhuǎn)換和NVMe命令的生成等功能。這里主要介紹相關(guān)開發(fā)流程。

2025-04-14 10:46:12

678

高速ssd存儲系統(tǒng)中數(shù)據(jù)緩存控制器流程控制設(shè)計

高速SSD系統(tǒng)中流程控制模塊設(shè)計。該模塊主要由寄存器、讀狀態(tài)機(jī)、寫狀態(tài)機(jī)和命令生成模塊組成，系統(tǒng)介紹各模塊功能。

2025-04-14 10:43:28

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便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案

2025-04-07 09:46:03

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nginx中強緩存和協(xié)商緩存介紹

強緩存直接告訴瀏覽器：在緩存過期前，無需與服務(wù)器通信，直接使用本地緩存。

2025-04-01 16:01:51

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千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首

2025-03-23 11:17:40

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千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首

2025-03-22 00:02:00

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HMC313 InGaP HBT增益模塊放大器SMT技術(shù)手冊

HMC313(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC放大器，采用Vcc單電源工作。表面貼裝SOT26放大器可用作寬帶增益級，或用于針對窄帶應(yīng)用優(yōu)化的外部匹配。 Vcc

2025-03-19 16:03:04

816

多流技術(shù)：不同壽命數(shù)據(jù)存在SSD的不同塊

根據(jù)數(shù)據(jù)的壽命將數(shù)據(jù)存放在SSD的不同塊內(nèi)可以顯著提高SSD的GC效率、減少WAF、提高SSD的壽命和性能。

2025-03-17 14:52:12

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手機(jī)芯片進(jìn)入2nm時代，首發(fā)不是蘋果？

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中，無論是臺積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺

2025-03-14 00:14:00

2486

AMEYA360：兆易創(chuàng)新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

將進(jìn)一步強化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場對于先進(jìn)嵌入式存儲解決方案日益增長的需求，成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。 GD25NE系列SPI NOR Flash的核心

2025-03-12 16:03:21

832

內(nèi)置推掃式高光譜相機(jī)：VIX-S315無需外置推掃裝置，1秒內(nèi)完成一次全譜推掃成像

在現(xiàn)代工業(yè)檢測和科學(xué)研究中，內(nèi)置推掃式高光譜相機(jī) 解決了傳統(tǒng)推掃式高光譜相機(jī)的一些缺陷，本文將以 VIX-S315 為例，科普內(nèi)置推掃式高光譜相機(jī)的技術(shù)特點及其在高速應(yīng)用場景中的優(yōu)勢。內(nèi)置推掃式

2025-03-12 14:25:13

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將SSD300模型轉(zhuǎn)換為IR時收到錯誤的原因？

將 SSD300 模型轉(zhuǎn)換為 IR 時收到錯誤： [ FRAMEWORK ERROR ] Model Optimizer is not able to parse /OpenVINO

2025-03-07 07:58:18

MR30系列分布式I/O：高穩(wěn)定與高精準(zhǔn)賦能鋰電池覆膜工藝革新

技術(shù)MR30系列分布式I/O模塊憑借其高穩(wěn)定性和高精準(zhǔn)性，成功應(yīng)用于鋰電池覆膜工藝段，成為推動行業(yè)智能化升級的核心力量。

2025-02-28 13:13:59

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深度解析SSD2351核心板：硬核視頻處理+工業(yè)級可靠性設(shè)計

明遠(yuǎn)智睿SSD2351核心板基于SigmaStar SSD2351芯片打造，專為高可靠性工業(yè)場景設(shè)計，其硬件配置與接口能力充分滿足復(fù)雜環(huán)境下的多模態(tài)數(shù)據(jù)處理需求。芯片技術(shù)細(xì)節(jié) ：視頻處理能力

2025-02-21 17:19:13

英特爾18A與臺積電N2工藝各有千秋

TechInsights與SemiWiki近日聯(lián)合發(fā)布了對英特爾Intel 18A(1.8nm級別)和臺積電N2(2nm級別)工藝的深度分析。結(jié)果顯示，兩者在關(guān)鍵性能指標(biāo)上各有優(yōu)勢。據(jù)

2025-02-17 13:52:02

1086

接觸孔工藝簡介

本文主要簡單介紹探討接觸孔工藝制造流程。以55nm接觸控工藝為切入點進(jìn)行簡單介紹。 ? 在集成電路制造領(lǐng)域，工藝流程主要涵蓋前段工藝（Front End of Line，F(xiàn)EOL）與后段工藝

2025-02-17 09:43:28

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產(chǎn)品力獲認(rèn)可，佰維存儲企業(yè)級SSD通過聯(lián)想服務(wù)器兼容性互認(rèn)證

近日,佰維存儲SP406/416系列企業(yè)級PCIe 4.0 SSD、SS621系列企業(yè)級SATA SSD,與聯(lián)想服務(wù)器完成相互兼容性測試并取得認(rèn)證。測試期間,產(chǎn)品在功能適配、性能及系統(tǒng)兼容性等方面

2025-02-14 09:08:12

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臺積電加大亞利桑那州廠投資，籌備量產(chǎn)3nm/2nm芯片

據(jù)最新消息，臺積電正計劃加大對美國亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模，為未來的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。

2025-02-12 17:04:04

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三星Galaxy S25系列國行價格揭曉

在萬眾矚目的三星Galaxy S25系列手機(jī)發(fā)布會上，消費者們終于迎來了國行價格的正式公布。此次發(fā)布的Galaxy S25系列手機(jī)涵蓋了Galaxy S25、Galaxy S25+以及旗艦級

2025-02-12 11:23:39

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三星Galaxy S25系列中國市場正式發(fā)布

近日，三星電子面向中國市場正式推出了備受期待的新一代高端旗艦智能手機(jī)——Galaxy S25系列。此次發(fā)布的系列包含三款機(jī)型，分別是三星Galaxy S25 Ultra、三星Galaxy S25

2025-02-12 11:18:22

1292

ADS4129后級接緩存器，緩存器出現(xiàn)過熱的原因？

使用25M的采樣頻率對1M的信號進(jìn)行采樣，ADS4129以12位cmos電平輸出，出來后的數(shù)據(jù)接緩存器SN74AVC16244，緩存器工作電壓是3.3V，在工作過程中緩存器很燙，芯片管腳沒有短路

2025-02-07 08:42:27

帶緩存與不帶緩存的固態(tài)硬盤有什么區(qū)別

隨著信息技術(shù)的不斷進(jìn)步，存儲設(shè)備作為計算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能與穩(wěn)定性直接影響到整個系統(tǒng)的運行效率。固態(tài)硬盤（Solid State Disk，簡稱SSD）作為新一代存儲設(shè)備，以其高速讀寫、低

2025-02-06 16:35:36

4681

三星Galaxy S25系列中國發(fā)布會將于2月11日舉行

。目前，新機(jī)已開啟搶鮮預(yù)訂。三星商城頁面顯示，Galaxy S25系列的中國發(fā)布會將于2月11日舉行，訂單將于2月14日起發(fā)貨。從配置來看，全系列新品均搭載了基于3納米工藝定制的高通驍龍8至尊版

2025-01-23 17:09:10

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慧榮正在開發(fā)4nm PCIe 6.0 SSD主控芯片

慧榮科技正在積極開發(fā)采用4nm先進(jìn)制程的PCIe 6.0固態(tài)硬盤主控芯片SM8466。根據(jù)慧榮的命名規(guī)律，其PCIe 4.0和5.0企業(yè)級SSD主控分別名為SM8266和SM8366，因此可以推測，SM8466也將是一款面向企業(yè)級市場的高端產(chǎn)品。

2025-01-22 15:48:51

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創(chuàng)飛芯90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產(chǎn)

一站式 NVM 存儲 IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯（CFX）今日宣布，其反熔絲一次性可編程（OTP）技術(shù)繼 2021年在國內(nèi)第一家代工廠實現(xiàn)量產(chǎn)后，2024 年在國內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm BCD 工藝上也

2025-01-20 17:27:47

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Mini SSD是什么

? 在全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速的背景下，存儲設(shè)備已不再是單純的數(shù)據(jù)存儲工具，而是信息安全、提升運算效率和支持業(yè)務(wù)創(chuàng)新的關(guān)鍵基石。佰維存儲順應(yīng)行業(yè)趨勢，發(fā)布全新一代存儲解決方案——Mini SSD，突破

2025-01-20 12:36:17

1070

基于javaPoet的緩存key優(yōu)化實踐

數(shù)據(jù)庫中的熱數(shù)據(jù)緩存在redis/本地緩存中，代碼如下： ? @Cacheable(value = { "per" }, key="#person.getId

2025-01-14 15:18:04

1250

固態(tài)硬盤（SSD）對比機(jī)械硬盤（HDD）

固態(tài)硬盤（SSD）對比機(jī)械硬盤（HDD），優(yōu)點眾多。首先是讀寫速度，SSD 讀寫超迅速，系統(tǒng)啟動、軟件加載轉(zhuǎn)瞬完成，開機(jī)時間大幅縮短，一般 10 秒內(nèi)就能進(jìn)入系統(tǒng)桌面，而 HDD 通常需幾十

2025-01-13 16:33:36

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EE-313：28x28 MQFP和LQFP封裝之間的焊盤模式兼容性

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-313：28x28 MQFP和LQFP封裝之間的焊盤模式兼容性.pdf》資料免費下載

2025-01-07 14:22:56

聯(lián)發(fā)科調(diào)整天璣9500芯片制造工藝

性能和能效上取得顯著提升。然而，面對臺積電2nm工藝高昂的制造成本，以及蘋果即將在M5系列芯片中引入該工藝可能導(dǎo)致的產(chǎn)能緊張，聯(lián)發(fā)科不得不重新考慮其制造策略。經(jīng)過深思熟慮，聯(lián)發(fā)科最終決定采用更為經(jīng)濟(jì)且產(chǎn)能相對穩(wěn)定的N3P工藝來制造天

2025-01-06 13:48:23

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25nm工藝 Intel新推313系列緩存式SSD

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