HMC313 / 313E:GaAs InGaP HBT MMIC寬帶放大器增益模塊的優(yōu)秀之選
在電子工程領域,放大器的性能直接影響著整個系統(tǒng)的表現(xiàn)。HMC313 / 313E作為一款GaAs InGaP異質(zhì)結雙極晶體管(HBT)單片微波集成電路(MMIC)放大器,因其出色的性能和廣泛的應用場景,成為了眾多工程師的理想之選。下面,我們就來詳細了解一下這款放大器。
文件下載:HMC313.pdf
典型應用與特性
應用場景
HMC313 / 313E非常適合作為以下頻段的驅動器和放大器:
- 2.2 - 2.7 GHz的多通道多點分配業(yè)務(MMDS)。
- 3.5 GHz的無線本地環(huán)路。
- 5 - 6 GHz的無許可國家信息基礎設施(UNII)和高速無線局域網(wǎng)(HiperLAN)。
特性亮點
- 高可靠性工藝:采用了高可靠性的GaAs HBT工藝,確保了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和長壽命。
- 超小封裝:采用SOT26封裝,體積小巧,便于在各種緊湊的設計中使用。此外,它還包含在HMC - DK001設計套件中,方便工程師進行開發(fā)和測試。
功能概述與電氣特性
功能描述
HMC313和HMC313E可以通過單個Vcc電源供電運行。表面貼裝的SOT26放大器既可以用作寬帶增益級,也可以與外部匹配電路配合,用于優(yōu)化窄帶應用。當Vcc偏置為 + 5V時,HMC313(E)可提供17 dB的增益和 + 15 dBm的飽和功率,而電流僅需50 mA。
電氣規(guī)格
| 在環(huán)境溫度$T_{A}= + 25^{circ}C$,$Vcc = + 5.0V$的條件下,其主要電氣規(guī)格如下: | 參數(shù) | Vcc = + 5V | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 典型值 | 最大值 | |||
| 頻率范圍 | DC - 6 GHz | ||||
| 增益 | 14 | 17 | 20 | dB | |
| 溫度增益變化 | 0.02 | 0.03 | dB/°C | ||
| 輸入回波損耗 | 7 | dB | |||
| 輸出回波損耗 | 6 | dB | |||
| 反向隔離 | 30 | dB | |||
| 1 dB壓縮輸出功率(P1dB)@1.0GHz | 11 | 14 | dBm | ||
| 飽和輸出功率(Psat)@1.0GHz | 15 | dBm | |||
| 輸出三階截點(IP3)@1.0GHz | 24 | 27 | dBm | ||
| 噪聲系數(shù) | 6.5 | dB | |||
| 電源電流(Icc) | 50 | mA |
從這些數(shù)據(jù)中我們可以看出,HMC313 / 313E在較寬的頻率范圍內(nèi)都能保持穩(wěn)定的增益,并且具有良好的隔離和輸出功率性能。
絕對最大額定值與封裝信息
絕對最大額定值
| 為了確保放大器的安全使用,我們需要了解其絕對最大額定值: | 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|---|
| 集電極偏置電壓(Vcc) | + 5.5 Vdc | |
| RF輸入功率(RFIN)(Vcc = + 5Vdc) | + 20 dBm | |
| 結溫 | 150℃ | |
| 連續(xù)功耗(T = 85°C)(85°C以上降額3.99mW/°C) | 0.259 W | |
| 熱阻(結到引腳2引線) | 251°C/W | |
| 存儲溫度 | - 65 至 + 150°C | |
| 工作溫度 | - 40 至 + 85°C | |
| ESD敏感度(HBM) | 1A類 |
需要注意的是,引腳2需要與印刷電路板(PCB)進行良好的熱連接。
封裝信息
| HMC313 / 313E有多種型號可供選擇,不同型號的封裝信息如下: | 部件編號 | 封裝主體材料 | 引腳鍍層 | MSL評級 | 封裝標記 |
|---|---|---|---|---|---|
| HMC313 | 低應力注塑塑料 | Sn/Pb焊料 | MSL1 | H313 XXXX | |
| HMC313TR | 低應力注塑塑料 | Sn/Pb焊料 | MSL1 | 313 XXXX | |
| HMC313E | 符合RoHS標準的低應力注塑塑料 | 100%啞光錫 | MSL1 | 313E XXXX | |
| HMC313ETR | 符合RoHS標準的低應力注塑塑料 | 100%啞光錫 | MSL1 | 313E XXXX |
不同的封裝和鍍層選擇可以滿足不同的應用需求和環(huán)保要求。
引腳描述與應用電路
引腳描述
| 引腳編號 | 功能 | 描述 | 接口原理圖 |
|---|---|---|---|
| 1 | RFOUT | 該引腳為直流耦合,需要一個片外直流阻隔電容。 | RFOUT o RFIN O |
| 3 | RFIN | 該引腳為直流耦合,需要一個片外直流阻隔電容。 | |
| 2,4 - 6 | GND | 這些引腳必須連接到RF/DC接地。 | GND |
應用電路
| 在應用電路中,推薦的偏置電阻值$R{bias}=(V{s}-5.0)/I{cc}$,不同電源電壓下的$R{bias}$值和功率額定值如下: | 電源電壓($V_{s}$) | 5V | 6V | 8V |
|---|---|---|---|---|
| $R_{BIAS}$值 | 0 | 20 | 62 | |
| $R_{BIAS}$功率額定值 | 14W | 16W |
同時,需要注意選擇合適的$R_{bias}$以實現(xiàn)引腳1上所需的Vcc電壓,并且引腳1和3需要外部阻隔電容。
評估PCB
評估板電路
| 評估PCB是工程師測試和驗證放大器性能的重要工具。HMC313 / 313E的評估PCB包含以下元件: | 元件 | 描述 |
|---|---|---|
| J1 - J2 | PCB安裝SMA連接器 | |
| C1 - C2 | 100 pF電容,0402封裝 | |
| C3 | 100 pF電容,0805封裝 | |
| L1 | 22nH電感,0805封裝 | |
| R1 | 22電阻,0805封裝 | |
| U1 | HMC313/HMC313E | |
| PCB | 104196評估PCB |
設計要點
在最終應用中使用的電路板應采用射頻電路設計技術。信號線應具有50歐姆的阻抗,而封裝接地引腳應直接連接到接地平面,同時要使用足夠數(shù)量的過孔連接頂層和底層接地平面。如果需要,評估電路板可向ADI公司申請獲取。
HMC313 / 313E以其出色的性能、廣泛的應用場景和便捷的開發(fā)方式,為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的放大器解決方案。在實際設計中,工程師們可以根據(jù)具體的需求,充分發(fā)揮其優(yōu)勢,打造出高性能的電子系統(tǒng)。大家在使用過程中有沒有遇到什么特別的問題或者有獨特的應用案例呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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