傾佳電子功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè)：電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力
2026-01-04 07:36:23
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傾佳電子（Changer Tech）銷售團(tuán)隊(duì)培訓(xùn)材料：功率半導(dǎo)體拓?fù)浼軜?gòu)與基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）碳化硅器件的戰(zhàn)略應(yīng)用 1. 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略背景 在“雙碳”戰(zhàn)略的宏觀驅(qū)動(dòng)
2025-12-22 08:17:35170 
12月6日，亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳萬麗酒店隆重舉行。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體攜旗下六大產(chǎn)品矩陣精彩亮相，集中展示了整流器件、小信號(hào)器件、保護(hù)器件、MOSFET、SiC、邏輯IC產(chǎn)品，與行業(yè)專家、合作伙伴共同探討電源技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐。
2025-12-17 12:40:24342 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)在半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、質(zhì)量控制及應(yīng)用中具有重要的使用價(jià)值和意義，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 1. 技術(shù)價(jià)值：確保器件性能與可靠性 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng) 精準(zhǔn)
2025-12-16 16:22:19123 
日前，由21世紀(jì)電源網(wǎng)、電子研習(xí)社聯(lián)合主辦的“第十六屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”在深圳隆重舉行。在活動(dòng)同期舉辦的“2025第四屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”中，瑞能半導(dǎo)體憑借在功率器件領(lǐng)域的技術(shù)突破，榮膺“國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。
2025-12-15 15:38:28302 12月5日，瑞能半導(dǎo)體憑借高性能功率器件WND90P20W，在亞洲金選獎(jiǎng)（EE Awards Asia）的評(píng)選中脫穎而出，榮獲Best Power Semiconductor of the Year（年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)）。
2025-12-15 15:37:43258 威兆半導(dǎo)體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-08 10:59:34252 
在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造過程中，器件性能的精確測(cè)試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測(cè)試系統(tǒng) ，正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03118 
隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對(duì)于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372314 
云鎵半導(dǎo)體雙向創(chuàng)“芯”—云鎵半導(dǎo)體國內(nèi)首發(fā)高壓GaN雙向器件MBDS1.前言長期以來，器件工程師都在追求一種可雙向?qū)ㄇ译p向耐壓的開關(guān)元件，該類器件在AC/DC、DC/AC及AC/AC變換的應(yīng)用場(chǎng)
2025-11-11 13:43:51852 
電子器件、材料、半導(dǎo)體和有源/無源元器件。
可以在 CV 和 IV 測(cè)量之間快速切換，無需重新連接線纜。
能夠捕獲其他傳統(tǒng)測(cè)試儀器無法捕獲的超快速瞬態(tài)現(xiàn)象。
能夠檢測(cè) 1 kHz 至 5 MHz
2025-10-29 14:28:09
近日，東海半導(dǎo)體正式榮獲“國家專精特新企業(yè)”稱號(hào)。這一認(rèn)定，不僅是國家對(duì)我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與設(shè)計(jì)領(lǐng)域深耕細(xì)作的高度肯定，更是對(duì)東海技術(shù)“以創(chuàng)新鑄魂、向一流看齊”發(fā)展理念的有力見證。 自創(chuàng)立以來
2025-10-28 09:47:31438 近日，工業(yè)和信息化部正式公布第七批國家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)名單， 華大半導(dǎo)體旗下飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司憑借在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的突出技術(shù)創(chuàng)新能力、深厚產(chǎn)業(yè)積累與廣闊市場(chǎng)前景成功入選
2025-10-27 15:44:58460 靜電在自然界中無處不在。從芯片制造、封裝測(cè)試、運(yùn)輸存儲(chǔ)到組裝使用，靜電可能在任一環(huán)節(jié)對(duì)芯片造成不可逆損。半導(dǎo)體ESD失效的四大特征1.隱蔽性（1）人體通常需2~3KV靜電才能感知，而現(xiàn)代半導(dǎo)體器件
2025-10-22 14:33:21598 
在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
2025-10-21 17:24:133873 
第56個(gè)世界標(biāo)準(zhǔn)日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)、廣電計(jì)量主辦，無錫廣電計(jì)量承辦的半導(dǎo)體功率器件標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)在無錫順利舉行，匯聚行業(yè)權(quán)威專家，分享前沿技術(shù)議題，以標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新，質(zhì)量護(hù)航“中國芯”崛起。
2025-10-21 14:28:572221 傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）提供的碳化硅（SiC
2025-10-21 10:12:15390 
解決客戶實(shí)際使用痛點(diǎn)，開發(fā)難點(diǎn)，節(jié)約生產(chǎn)成本提高工作效率，助力行業(yè)發(fā)展。
四、半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試系統(tǒng)BW-4022A應(yīng)用領(lǐng)域
**芯片制造領(lǐng)域**
1.**晶圓測(cè)試（CP 測(cè)試
2025-10-10 10:35:17
傾佳電子代理的BASiC基本半導(dǎo)體SiC功率器件產(chǎn)品線選型指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-10-08 10:04:18589 
前言在電力電子領(lǐng)域，高電壓、大電流場(chǎng)景對(duì)功率器件的集成度、可靠性與散熱性能提出了嚴(yán)苛要求。PIM（功率集成模塊）通過“多器件高密度封裝”的高集成設(shè)計(jì)，將分立的功率半導(dǎo)體、輔助電路與散熱結(jié)構(gòu)整合為單一
2025-10-03 08:04:37903 
今天下午，“第七屆硬核芯生態(tài)大會(huì)暨頒獎(jiǎng)典禮”在深圳國際會(huì)展中心（寶安新館）盛大舉行。瑞能半導(dǎo)體憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與市場(chǎng)表現(xiàn)，成功摘得“2025年度硬核功率器件獎(jiǎng)”的桂冠。這一殊榮不僅彰顯了公司在功率半導(dǎo)體賽道的領(lǐng)先地位，更是對(duì)其持續(xù)創(chuàng)新能力的權(quán)威認(rèn)可。
2025-09-11 17:42:53879 9月10日，中國集成電路產(chǎn)業(yè)全鏈條技術(shù)展示與交流核心平臺(tái)——SEMI-e深圳國際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳成功召開。作為國家集成電路產(chǎn)業(yè)的重要組成力量，本次展覽，兆芯展示了開先、開勝
2025-09-11 10:49:281424 功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分，在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。本文將簡單講解何為功率半導(dǎo)體IGBT模塊，和其結(jié)構(gòu)組成，介紹其應(yīng)用場(chǎng)景并例出部分實(shí)際產(chǎn)品。
2025-09-10 17:57:472556 
電子散熱與溫控領(lǐng)域中，半導(dǎo)體制冷片因其高效、無噪音、無振動(dòng)等優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮半導(dǎo)體制冷片的性能，關(guān)鍵在于準(zhǔn)確計(jì)算其實(shí)際功率需求。若功率匹配不當(dāng)，可能導(dǎo)致能效低下甚至設(shè)備損壞。本文
2025-09-04 14:34:44990 
一、基本概念 CV特性 （電容-電壓特性）是指半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律，主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是評(píng)估功率器件性能的核心指標(biāo)之一。 CV特性測(cè)試
2025-09-01 12:26:20930 博微BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進(jìn)行高精度靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿
2025-08-28 12:28:15
微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價(jià)砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導(dǎo)體，直接影響導(dǎo)電
2025-08-27 14:58:20650 
功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種
2025-08-25 15:30:17664 
在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級(jí)封裝加速分化之際，芯片持續(xù)收縮已從單純的尺寸微縮演變?yōu)橐粓?chǎng)跨材料-工藝-封裝-系統(tǒng)的革命：銅-釕-鉬多元金屬化
2025-08-25 11:30:581453 Texas Instrument TMUX622x 1:1（SPST）雙通道精密開關(guān)是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）開關(guān)，采用雙通道1:1（SPST）配置。該器件與單電源（4.5V至36V
2025-08-06 11:41:38995 
Texas Instrument TMUX722x 1:1（SPST）雙通道精密開關(guān)是具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）開關(guān)，采用雙通道1:1（SPST）配置。這些器件搭配單電源
2025-08-06 11:34:241163 
近日，在中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)上，新潔能憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻(xiàn)，再次成功入選 “中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”！自2016年以來，這已經(jīng)是新潔能第八次獲此殊榮，不僅是對(duì)企業(yè)技術(shù)實(shí)力與市場(chǎng)地位的認(rèn)可，更是對(duì)企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、追求卓越的肯定！
2025-08-05 17:58:091699 
主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開關(guān)特性。這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù)。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏
2025-08-05 16:06:15648 
7月26日-27日，第十九屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)在江蘇南京召開。會(huì)議期間，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了“2024年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”名單。
2025-08-01 17:58:191757 的技術(shù)積累，成功蟬聯(lián)“2024年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。這一殊榮不僅是對(duì)聞泰科技在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域卓越貢獻(xiàn)的權(quán)威認(rèn)證，更是對(duì)其市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位與技術(shù)引領(lǐng)作用的高度肯定。
2025-07-30 17:50:241182 A22-1分立半導(dǎo)體器件(二極管)知識(shí)與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:46:5912891 
在半導(dǎo)體功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中，精準(zhǔn)、高效、可靠的測(cè)量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測(cè)量系統(tǒng)集尖端硬件與智能
2025-07-29 16:21:17
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
分立器件分會(huì)主辦，匯聚了半導(dǎo)體行業(yè)眾多企業(yè)精英、權(quán)威專家與知名學(xué)者，共同聚焦行業(yè)創(chuàng)新突破路徑，研判未來發(fā)展新趨勢(shì)。 在這場(chǎng)備受行業(yè)矚目的盛會(huì)上，揚(yáng)杰科技憑借亮眼的市場(chǎng)表現(xiàn)與深厚的技術(shù)積淀，成功斬獲 “2024年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件
2025-07-28 18:30:071313 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)測(cè)試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量儀器，在半導(dǎo)體器件測(cè)試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652 
深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試是對(duì)二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能半導(dǎo)體器件的性能參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)性檢測(cè)的過程，旨在評(píng)估其電氣特性、可靠性和適用性。以下是主要測(cè)試內(nèi)容與方法的總結(jié)： 1. ? 測(cè)試對(duì)象與分類
2025-07-22 17:46:32825 
近日，總投資超200億元的長飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正式運(yùn)營投產(chǎn)。該項(xiàng)目是目前國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬輛新能源汽車制造需求，推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)
2025-07-22 07:33:221042 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
開關(guān)器件作為數(shù)字電源的核心部件，其性能直接影響整個(gè)電源系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。隨著開關(guān)頻率從傳統(tǒng)的 kHz 級(jí)躍升至 MHz 級(jí)，以及碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體器件
2025-07-02 11:22:49
在科技發(fā)展日新月異的當(dāng)下，溫度控制的精度與穩(wěn)定性成為眾多領(lǐng)域研發(fā)和生產(chǎn)的關(guān)鍵要素。聚焦溫度控制領(lǐng)域的企業(yè)研發(fā)出高精度半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品，已在電子、通訊、汽車、航空航天等行業(yè)的溫控場(chǎng)景中得到應(yīng)用。那么
2025-06-25 14:44:54
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
根據(jù)半導(dǎo)體分立器件的功能與結(jié)構(gòu)差異，可將其分為以下核心類別，各類型典型器件及應(yīng)用場(chǎng)景如下： ?一、基礎(chǔ)二極管類? ? ?類型? ?代表器件? ?核心功能? ?典型應(yīng)用? ?整流二極管? 1
2025-06-23 12:28:34863 
此前，6月11日至13日，第十八屆國際太陽能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)（SNEC 2025）在上海國家會(huì)展中心隆重舉辦。宏微科技攜風(fēng)光儲(chǔ)功率半導(dǎo)體器件及解決方案精彩亮相，吸引了眾多國內(nèi)外客戶駐足、觀看和交流。
2025-06-18 10:29:141068 近日，第四屆功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇在蘇州召開，作為國際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)，SGS受邀出席并發(fā)表《車規(guī)功率器件可靠性認(rèn)證與SiC適用性探討》主題演講，為車用功率半導(dǎo)體的可靠性驗(yàn)證提供系統(tǒng)性解決方案。
2025-06-17 18:08:451039 意法半導(dǎo)體發(fā)布了一套IO-Link開發(fā)工具，該套件提供開發(fā)IO-Link應(yīng)用所需的全部軟硬件，包含一個(gè)板載智能功率開關(guān)管的執(zhí)行器開發(fā)板，簡化了執(zhí)行器和傳感器的開發(fā)過程。
2025-06-16 16:58:38992 在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體光電器件是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換與信息傳遞的核心元件，其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此，半導(dǎo)體光電器件測(cè)試成為貫穿研發(fā)、生產(chǎn)與質(zhì)檢全流程
2025-06-12 19:17:281516 
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911 一代材料和器件的研究和開發(fā)中，CV測(cè)量的重要性越來越高。因此，必須要了解CV測(cè)量的基礎(chǔ)。今天就聊一聊CV測(cè)量的基礎(chǔ)和測(cè)量的小技巧。一、CV測(cè)量原理精要1.自動(dòng)平衡橋式
2025-06-01 10:02:091353 
此前，5月22日至24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”在南京熹禾涵田酒店順利召開。揚(yáng)杰科技受邀參加，董事長梁勤女士親自參加會(huì)議，功率器件事業(yè)部副總經(jīng)理施俊先生作為技術(shù)領(lǐng)隊(duì)全程參與研討
2025-05-26 18:07:031482 型晶體管（BJT）、達(dá)林頓管等。 ?功率器件? ?MOSFET?（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）：適用于高頻開關(guān)場(chǎng)景。 ?IGBT?（絕緣柵雙極型晶體管）：結(jié)合MOSFET和BJT特性，用于高壓大電流場(chǎng)景。 ?晶閘管（可控硅）?：包括單向/雙向可控硅（SCR/Tria
2025-05-19 15:28:061308 
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源芯時(shí)代\"為主題，匯集了來自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。
作為專注電子測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，麥科
2025-05-09 16:10:01
近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116 
微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對(duì)它的檢測(cè)和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531705 
作為當(dāng)前業(yè)界唯一的基于全國產(chǎn)算力訓(xùn)練的深度推理大模型，訊飛星火X1全新升級(jí)啦!
2025-04-22 15:37:08830 意法半導(dǎo)體的IPS4140HQ和IPS4140HQ-1是兩款功能豐富的四通道智能功率開關(guān)，采用8mmx6mm緊湊封裝，每通道RDS(on)導(dǎo)通電阻80mΩ（最大值），工作電源電壓10.5V-36V，還配備各種診斷保護(hù)功能。
2025-04-18 14:22:18942 2025年6月12日-13日，第四屆新能源汽車及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新技術(shù)論壇將與全球規(guī)模最大的動(dòng)力系統(tǒng)會(huì)展-第十七屆國際汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)（TMC2025）同期登陸江蘇 · 南通國際會(huì)展中心！ 論壇
2025-04-17 13:50:46826 
IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
2025年慕尼黑上海電子展即將在上海新國際博覽中心隆重舉辦。2025年4月15-17日飛虹半導(dǎo)體攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基、三極管等系列產(chǎn)品亮相展會(huì)。在此誠邀各位電子領(lǐng)域的同行共賞盛宴，共同交流！
2025-04-14 15:49:06758 第104屆中國電子展即CITE2025即將在深圳會(huì)展中心（福田）隆重舉辦。2025年4月9-11日飛虹半導(dǎo)體受邀參展，攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列產(chǎn)品亮相展會(huì)。與參展者圍繞“科技創(chuàng)新·‘圳’在變革”的主題共襄盛典，展望電子產(chǎn)業(yè)的未來。
2025-04-09 16:22:41907 
上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段
2025-04-09 15:02:01
本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇，并對(duì)未來發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，在新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮
2025-04-09 13:35:401445 
，打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源產(chǎn)品，并配合兆易創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈的管理能力與納微對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用的深刻理解，加速在AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁和電動(dòng)汽車商業(yè)化布局。作為戰(zhàn)略合作的重要組成部分，兆易創(chuàng)新還將與納微半導(dǎo)體攜手共建聯(lián)合
2025-04-09 09:30:43736 
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合，打造智能、高效、高功率
2025-04-08 18:12:443885 
雖然明確說明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來做EtherCAT的從站，但它可以用來做主站嗎，還是說必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046929 
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37767 RS-232接口及Ethernet接口，可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程自動(dòng)控制。
可針對(duì)以下封裝的半導(dǎo)體器件進(jìn)行高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)測(cè)量
(1)石英晶體諧振器、振蕩器
(2)電阻、電容、電感
(3)二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管
2025-03-06 10:48:56
書，深入了解 CW32 單片機(jī)的魅力，充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)，開發(fā)出更多優(yōu)秀的嵌入式產(chǎn)品。
最后，我們要感謝每一位支持武漢芯源半導(dǎo)體的朋友，是你們的信任和鼓勵(lì)讓我們不斷前行。我們將一如既往地秉持創(chuàng)新、品質(zhì)、服務(wù)
2025-03-03 15:14:41
近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172 GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案，預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867 近日，先導(dǎo)科技集團(tuán)旗下子公司——武漢海飛通公司，正式推出了一款備受矚目的新品：高功率1550nm SOA(半導(dǎo)體光放大器)器件。這款器件以其卓越的性能和獨(dú)特的設(shè)計(jì)，迅速吸引了業(yè)界的廣泛關(guān)注。 據(jù)悉
2025-02-20 10:13:19961 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
工業(yè)應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電源功率不大，設(shè)計(jì)看似簡單，但要設(shè)計(jì)出簡單低成本的電路并不容易，主要難點(diǎn)有幾點(diǎn)：1電路要求簡潔，占用線路板面積要小一個(gè)EasyPACK2B1200V100A六單元IGBT
2025-02-14 18:02:56826 
2025 亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:21
0 近年來，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
在日常生活中，我們對(duì)手機(jī)、電腦、電視等電子設(shè)備習(xí)以為常，享受著它們帶來的便利與娛樂。但你是否想過，這些設(shè)備正常運(yùn)行的背后，是什么在默默發(fā)揮關(guān)鍵作用?答案就是功率半導(dǎo)體器件。雖然它不像處理器、顯示屏那樣被大眾熟知，卻如同電子設(shè)備的 “心臟”，掌控著電能的轉(zhuǎn)換與電路的控制 ，是電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心。
2025-02-06 15:28:241369 功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面，對(duì)功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:001354 。 下面我們以 [Microchip Technology] 的 SiC 器件為例，從 SiC 技術(shù)的基本優(yōu)勢(shì)入手，為您打消這些顧慮。隨后，我們將探討 SiC 功率半導(dǎo)體，并展示有助于管理開發(fā)過程的仿真工具
2025-01-26 22:10:001252 
? ? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，華天盤古半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目、百立新半導(dǎo)體6英寸MEMS晶圓制造線項(xiàng)目、升陽半導(dǎo)體臺(tái)中港區(qū)再生晶圓新廠、南太湖新區(qū)
2025-01-24 11:23:023218 電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力、高擊穿電場(chǎng)和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境，同時(shí)保持較高的電學(xué)性能。 二、碳化硅在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用 功率器件 ： 碳化硅功率器件具
2025-01-23 17:09:352663 ▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導(dǎo)體 來源：LEDinside等網(wǎng)絡(luò)資料 近日，兆馳集團(tuán)二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會(huì)在江西隆重召開，在盛典上，兆馳集團(tuán)明確了未來10到20年
2025-01-23 11:49:081624 
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會(huì)出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。
2025-01-22 17:30:263078 
基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開關(guān)電源芯片，集成上電軟啟動(dòng)功能及過溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.3MHz，適用于給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。芯片有SOP-8封裝、DFN3*3-8封裝兩種封裝形式。
2025-01-15 10:22:362630 
無線通信的有效傳輸。作為大功率射頻功放器件封測(cè)的領(lǐng)先企業(yè)， 瑤華半導(dǎo)體 憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新能力，已在行業(yè)中獲得廣泛認(rèn)可，成為通信與能源應(yīng)用領(lǐng)域的重要合作伙伴。 01 關(guān)于瑤華半導(dǎo)體 瑤華半導(dǎo)體專注于LDMOS、GaN等大功率射頻空腔器件以及IGBT、
2025-01-14 09:22:181813 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115 
近日，科大訊飛在1月7日成功舉辦的辦公智能體產(chǎn)品升級(jí)發(fā)布會(huì)上，宣布了一項(xiàng)令人振奮的新進(jìn)展。據(jù)科大訊飛官方透露，公司將于1月15日正式對(duì)外發(fā)布其最新的“訊飛星火深度推理模型X1”。 這一新模型的發(fā)布
2025-01-08 10:30:341083 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 在半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中，它們會(huì)因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱，過高的溫度會(huì)削弱甚至損害器件性能。因此，熱測(cè)試對(duì)于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評(píng)估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導(dǎo)體熱測(cè)試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580
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