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      CISSOID推出JUPITER高電壓225℃碳化硅電源開關

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      2025-05-09 09:19:101116

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      關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換器的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現高效率，還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極驅動器原理轉換器
      2025-05-08 11:08:401153

      基本半導體碳化硅（SiC）MOSFET低關斷損耗（Eoff）特性的應用優勢

      MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力于服務中國工業電源，電力電子
      2025-05-04 09:42:31740

      基于國產碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統解決方案

      基于BASIC Semiconductor基本半導體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊
      2025-05-03 10:45:12561

      碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

      在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區
      2025-04-30 18:21:20759

      碳化硅功率器件在能源轉換中的應用

      隨著全球對可持續能源的需求不斷增加，能源轉換技術的提升已成為實現低碳經濟的重要一環。碳化硅（SiC）功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優越的性能，正逐漸成為現代電力電子設備的選擇，特別是在能源轉換領域的應用越來越廣泛。本文將深入探討碳化硅功率器件在能源轉換中的應用及其優勢。
      2025-04-27 14:13:32899

      碳化硅功率器件有哪些特點

      隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現代電子技術的重要組成部分。本文將詳細探討碳化硅功率器件的特點及其應用現狀。
      2025-04-21 17:55:031081

      低劣品質碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”

      低質量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響 低質量碳化硅MOSFET的濫用，可能將這一本應引領焊機產業升級的SiC碳化硅逆變焊機新興品類直接推向“早衰”。若放任亂象
      2025-04-14 07:02:35649

      碳化硅功率器件的種類和優勢

      在現代電子技術飛速發展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導體材料，憑借其優異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應用領域以及未來發展趨勢。
      2025-04-09 18:02:041275

      麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態測試中的應用

      碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管，相較于傳統硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關速度以及更優
      2025-04-08 16:00:57

      先進碳化硅功率半導體封裝：技術突破與行業變革

      本文聚焦于先進碳化硅（SiC）功率半導體封裝技術，闡述其基本概念、關鍵技術、面臨挑戰及未來發展趨勢。碳化硅功率半導體憑借低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性，在移動應用功率密度提升的背景下
      2025-04-08 11:40:331493

      派恩杰推出最新研發的高壓碳化硅功率器件與車規級碳化硅模塊產品

      3月28日，在上海舉辦為期三天且備受行業矚目的新能源汽車盛會——汽車動力系統技術展覽會圓滿落幕，本次會上，派恩杰展出了最新研發的高壓碳化硅功率器件與車規級碳化硅模塊產品，吸引了新能源汽車、工業
      2025-03-29 09:10:551741

      碳化硅器件選型需要考慮哪些因素

      隨著全球對能源效率和可持續發展的重視，碳化硅（SiC）器件因其卓越的性能在現代電力電子領域獲得了廣泛關注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能，使其在電動汽車、可再生能源、智能電網等應用中成為優選方案。本文將探討碳化硅器件的主要性能優勢，并提供在實際應用中的設計選型指南。
      2025-03-19 16:59:401045

      ?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

      安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
      2025-03-19 14:31:281103

      碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A

      碳化硅（SiC）MOSFET作為替代傳統硅基IGBT的新一代功率器件，在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領域展現出顯著優勢，隨著國產碳化硅MOSFET技術、成本及供應鏈都日趨完善，國產SiC碳化硅在
      2025-03-13 11:12:481577

      為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡？

      電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
      2025-03-12 11:31:09896

      CREE（Wolfspeed）的壟斷與衰落及國產碳化硅襯底崛起的發展啟示

      ）的壟斷與衰落 技術壟斷期：Wolfspeed（原CREE）曾長期主導全球碳化硅襯底市場，其物理氣相傳輸法（PVT）生長技術及6英寸襯底工藝占據絕對優勢。2018年特斯拉采用碳化硅后，Wolfspeed市值一度飆升，但此后因技術迭代緩慢、成本高企及中國企業的競爭，市值暴
      2025-03-05 07:27:051295

      超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

      隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
      2025-03-01 08:53:441053

      SiC碳化硅二極管公司成為國產碳化硅功率器件行業出清的首批對象

      結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件行業出清的首批對象，比如2024已經有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產清算，僅有碳化硅二極管
      2025-02-28 10:34:31752

      碳化硅MOSFET的優勢有哪些

      。碳化硅MOSFET不僅具有低導通電阻、高開關速度和高耐壓等顯著優勢，還在高溫和高頻應用中展現出優越的穩定性。本文將詳細探討碳化硅MOSFET的基本特性、應用領域、市場前景及未來發展趨勢。
      2025-02-26 11:03:291399

      國內碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果

      器件設計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設計公司出現倒閉潮，這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業的業務動態，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術壁壘與產能競賽：頭部企業構建護城河 技術門檻高企 ：碳化硅
      2025-02-24 14:04:38933

      碳化硅SiC的光學優勢及應用

      碳化硅（SiC）在大口徑光學反射鏡上的應用，主要得益于其高比剛度、優異熱穩定性和寬光譜響應等特性，成為空間觀測、深空探測等領域的核心材料。以下是關鍵應用進展與技術突破：一、材料優勢1.輕量化與高剛度
      2025-02-22 14:40:372197

      Wolfspeed第4代碳化硅技術解析

      本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新
      2025-02-19 11:35:411716

      國產碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案

      傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案，助力射頻電源業自主可控和產業升級！ 傾佳電子楊茜致力于推動
      2025-02-13 21:56:24913

      5G電源應用碳化硅B3M040065Z替代超結MOSFET

      傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應用為例分析BASiC基本股份國產碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結MOSFET的優勢，并做損耗仿真計算： 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC
      2025-02-10 09:37:55745

      高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

      傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應用為例，分析BASiC基本股份國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比： 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT
      2025-02-09 20:17:291126

      SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹

      碳化硅革新電力電子，以下是關于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹，結合其技術原理、關鍵步驟與應用價值，助力電力電子領域的革新。
      2025-02-05 14:34:481658

      碳化硅薄膜沉積技術介紹

      多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而受到關注。
      2025-02-05 13:49:121950

      碳化硅功率器件的散熱方法

      碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優良特性，在新能源、光伏發電、軌道交通和智能電網等領域得到廣泛應用。然而，碳化硅功率器件在高密度和高功率應用中會
      2025-02-03 14:22:001255

      碳化硅功率器件的封裝技術解析

      碳化硅（SiC）功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性，在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發揮SiC器件的性能，封裝技術至關重要。本文將詳細解析碳化硅功率器件的封裝技術，從封裝材料選擇、焊接技術、熱管理技術、電氣連接技術和封裝結構設計等多個方面展開探討。
      2025-02-03 14:21:001292

      碳化硅的缺陷分析與解決方案

      碳化硅作為一種新型半導體材料，因其高熱導率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性，被廣泛應用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、位錯、堆垛層錯等，會嚴重影響器件的性能和可靠性
      2025-01-24 09:17:142515

      碳化硅的耐高溫性能

      、高強度和高耐磨性。它由硅和碳原子以1:1的比例組成，形成一種穩定的晶體結構。碳化硅的晶體結構賦予了它許多獨特的性質，其中最引人注目的是其耐高溫能力。 2. 耐高溫性能 碳化硅的耐高溫性能主要體現在以下幾個方面： 2.1 高熔點 碳化
      2025-01-24 09:15:483084

      碳化硅與傳統硅材料的比較

      ，因其獨特的物理和化學特性而受到越來越多的關注。 碳化硅（SiC）的特性 禁帶寬度 ：SiC的禁帶寬度遠大于Si，這意味著SiC器件可以在更高的電壓和溫度下工作，具有更好的熱穩定性和化學穩定性。 電子飽和速度 ：SiC的電子飽和速度高于
      2025-01-23 17:13:032589

      碳化硅材料的特性和優勢

      碳化硅（SiC）是一種高性能的陶瓷材料，因其卓越的物理和化學特性而在許多工業領域中得到廣泛應用。從高溫結構部件到電子器件，SiC的應用范圍廣泛，其獨特的性能使其成為許多應用中的首選材料。 碳化硅
      2025-01-23 17:11:342728

      碳化硅在半導體中的作用

      碳化硅（SiC）在半導體中扮演著至關重要的角色，其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優勢： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
      2025-01-23 17:09:352663

      碳化硅的應用領域

      高溫、高壓和高頻環境下穩定工作，同時具有較低的導通損耗和較高的開關速度。這些特性使得SiC在電力電子領域，特別是在電動汽車（EV）和可再生能源系統中的逆變器、轉換器和電源管理中發揮著重要作用。 2. 照明技術 在照明領域，碳化硅被用
      2025-01-23 17:06:132592

      碳化硅在電磁爐中有什么優勢

      碳化硅的導熱系數高，能使電磁爐的加熱元件快速升溫，將電能更高效地轉化為熱能，從而減少熱量散失和能量浪費，提高電磁爐的加熱效率。
      2025-01-23 14:14:031249

      碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

      一、引言 隨著碳化硅在半導體等領域的廣泛應用，對其襯底質量的檢測愈發關鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質量的重要參數，準確測量這些參數對于保證器件性能至關重要。而不同的吸附
      2025-01-23 10:30:54286

      40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

      BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
      2025-01-22 10:43:28

      產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用

      *附件：國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用.pdf
      2025-01-20 14:19:40

      不同的碳化硅襯底的吸附方案，對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

      在當今蓬勃發展的半導體產業中，碳化硅（SiC）襯底作為關鍵基礎材料，正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數猶如精密天平上的砝碼，細微
      2025-01-14 10:23:10400

      碳化硅襯底的環吸方案相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

      在半導體領域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質量的精準把控愈發關鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW
      2025-01-13 14:36:13394

      為何基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級拓撲實測效率高于進口器件

      基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級拓撲實測效率高于進口器件
      2025-01-13 09:58:291463

      安森美在碳化硅半導體生產中的優勢

      此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰”中，我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰，本文為白皮書第二部分，將重點介紹碳化硅生態系統的不斷演進及安森美（onsemi）在碳化硅半導體生產中的優勢。
      2025-01-07 10:18:48916

      減少減薄碳化硅紋路的方法

      碳化硅（SiC）作為一種高性能半導體材料，因其出色的熱穩定性、高硬度和高電子遷移率，在電力電子、微電子、光電子等領域得到了廣泛應用。在SiC器件的制造過程中，碳化硅片的減薄是一個重要環節，它可以提高
      2025-01-06 14:51:09392

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