在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數據中心的電源系統到邊緣 AI 設備的穩定運行，派恩杰第四代碳化硅正深度滲透到 AI 基建的全鏈條。

SiC在AI服務器和數據中心的應用

電源系統中的SiC角色(SST架構)：隨著AI訓練集群功耗攀升，數據中心供電從傳統低壓方案向高壓直流演進。碳化硅器件可支撐800V乃至更高電壓的配電架構，在變電站AC/DC整流、固態變壓器和中壓DC/DC轉換環節中發揮關鍵作用，實現微秒級的故障隔離，提高供電可靠性 。各大云計算中心正試點這種基于SiC的高壓直流供電，以應對單機柜功率動輒數百千瓦的未來需求。

提升供電效率與冷卻的應用：碳化硅器件耐高溫特性使其在高溫環境下仍保持性能，意味著電源和UPS可在更高工作溫度下運行，降低空調制冷需求，大幅提高了電源轉換效率，直接降低了數據中心的散熱壓力和PUE指標，緩解了數據中心的散熱瓶頸，為建設更高功率密度但能效達標的AI機房提供了可行方案。

相對于傳統硅器件的技術優勢：

①第三代半導體材料SiC具有高禁帶寬度、高擊穿場強和高熱導率等材料優勢，使其功率器件在高壓、大功率場景下遠優于硅器件;

②碳化硅MOSFET的開關損耗和導通損耗顯著降低，可在更高頻率下高效工作，這意味著電源變壓器、電感等無源件可以做得更小，系統功率密度更高;

③SiC器件耐受更高結溫(可達175~200°C)，在環境溫度或負載波動較大的情況下仍保持可靠，不易出現熱失效;

④相比傳統硅MOSFET或IGBT方案，SiC器件能減少約70%的總能量損耗，大幅提升轉換效率。

廠商布局

英偉達：面對單柜上百千瓦的新型AI服務器(如含72顆GPU的GB300系統功耗達125~140kW )，英偉達聯合電源廠商推動800V直流配電方案，以提高供電效率、減小銅損和系統規模擴展性。

正泰電器：泰芯聚焦于光伏逆變、儲能系統和新型高壓開關等領域，將碳化硅技術引入正泰的新能源解決方案中 。在數據中心方面，正泰電器作為供配電設備供應商，有望將SiC器件應用于其高效UPS、電源模塊和配電單元(PDU)中，以提升效率和降低能耗。

安森美：推出了面向AI數據中心的完整電源解決方案，從交流輸入到48V配電再到負載點(PoL)都有相應芯片;與友商聯合推動數據中心800V直流供電轉型，安森美提供涵蓋固態變壓器、800V配電和核心降壓環節的高效SiC方案 。

英飛凌：針對AI服務器發布了高能效電源裝置路線圖，新增8kW和12kW級別PSU產品，以滿足未來單機架數百千瓦供電的需求。其12kW參考電源效率高達97.5%，功率密度提升至100 W/in3(相比現有3kW電源的32 W/in3)，能夠支持每機架≥300kW的輸出，大幅縮減系統體積并降低運營成本。

Wolfspeed：Wolfspeed推出了第4代碳化硅MOSFET平臺(750V/1200V/2300V系列)，專注提升高功率設計的開關效率和熱性能，目標應用包括AI數據中心電源等高壓大功率場景。

派恩杰產品在AI基建的應用

AI服務器與數據中心的高效電源管理：

①派恩杰的SiC MOSFET和功率模塊可通過低導通損耗和高開關頻率特性，顯著提升 AI 服務器電源系統的效率。第四代SiC MOSFET在 750V 電壓平臺下導通電阻低至 7mΩ，開關損耗降低 20% 以上，可直接應用于服務器電源的圖騰柱 PFC(功率因數校正)和 LLC 諧振拓撲中;

②在 AI 訓練集群中，派恩杰的 2000V 高壓 SiC 模塊(如 PAA12400BM3)可用于GPU 供電系統，通過降低電壓轉換級數和提高電流密度，使得供電效率提升，這種設計不僅減少了電源體積，還能支持液冷散熱方案，適應 AI 芯片高功率的熱設計功耗需求。

AI算力網絡的核心節點優化：派恩杰的 750V/1200V SiC 器件廣泛應用于 5G 基站的射頻電源和基帶處理單元。 SiC MOSFET 在 5G 宏基站的高效電源中，較于傳統硅基方案可有效提升電源效率，同時支持更高的調制頻率，滿足 5G 網絡低時延、高帶寬的需求。

AI能源基礎設施的協同優化：

①2000V SiC 功率模塊在光伏逆變器中實現高頻的峰值效率，相比傳統硅基方案年發電量顯著提升;

②在儲能系統中，SiC MOSFET 可優化雙向變流器的充放電效率，使儲能 PCS(儲能變流器)的年度收益有效增加。這種技術優勢直接支撐 AI 數據中心的綠色能源供給，使得光伏電力的消納率提升，降低對傳統電網的依賴。

AI芯片與加速卡的關鍵支撐：派恩杰的 SiC 器件與主流 AI 芯片形成深度協同，為多種類型GPU 提供多相降壓電源，通過低 ESR(等效串聯電阻)特性減少紋波，確保芯片在高頻運算時的穩定性，1200V SiC MOSFET可將GPU供電系統體積縮小。支持液冷散熱;在定制化 AI 芯片中，派恩杰的 SiC SBD用于電源鉗位電路，通過快速響應能力保護芯片免受浪涌沖擊，提升長期可靠性。

市場趨勢與案例分析

全球市場規模與增速：第三代半導體迎來高速成長期，AI數據中心等新興領域的占比正迅速提升。隨著需求爆發，國際巨頭正加碼投資8英寸產線和原材料供應;同

時，也為中國廠商在局部領域實現突破提供了空間。

中國市場容量與增長：中國作為算力基礎設施建設最快的地區之一，數據中心相關市場正迅猛增長。數據中心耗電量亦連年攀升，2021年全國IDC用電超2100億度，預計2025年將接近4000億度，占全社會用電比重將從2018年的1.6%升至5.8% 。為降低能耗、提升算力密度，監管層已要求新建大型/超大型數據中心PUE降至1.4以下 。這一系列政策驅動下，采用高效SiC器件來優化電源和制冷系統成為趨勢：業內預計數據中心將成為繼新能源車之后國內碳化硅應用的新藍海。隨著國產SiC技

術的成熟和成本下降，中國有望涌現更多AI數據中心SiC應用的落地案例。

主要驅動力：

①能效提升和碳減排是SiC在AI基建領域滲透的核心動力。AI模型訓練和推理使數據中心功耗激增，供電能耗已占運營成本的30–60%不等 。采用碳化硅器件可以顯著降低電源轉換損耗，每年為超大規模數據中心節省巨額電費，并減少溫室氣體排放;

②基于高功率密度需求，傳統硅器件難以支撐密集供電和散熱需求，SiC/GaN器件則提供了可行方案。

典型應用案例：越來越多實際案例證明了碳化硅在AI數據中心中的價值。

①意大利Riello公司推出的新一代模塊化UPS Multi Power2，專為高密度數據中心設計，集成了SiC功率模塊;

②科環電子等廠商推出的全SiC服務器電源，已在部分AI機房試點應用，單電源功率從3kW提高到6kW以上且效率超過96%，幫助單機柜供電容量提升同時控制住PUE增長。

隨著更多廠商跟進和規模效應顯現，碳化硅將在AI算力基礎設施中實現更大規模的商業落地，支撐起高速增長的算力需求與可持續發展的能源目標。同時8英寸碳化硅晶圓量產(2025 年成本預計下降 50%)，使其在AI 基建中的滲透率將從當前的 15% 提升至 2027 年的 40%，成為支撐“算力爆發式增長”的關鍵材料基石。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數據中心、超級計算與區塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業特種電源、UPS、電機驅動等領域。