光刻技術中的晶圓形貌效應詳解

第一次對非平面襯底上的光刻曝光的詳細研究出現在20世紀80年代后期,Matsuzawa等人72]采用有限元方法來描述硅襯底上高臺階的光散射,他們證明了散...

2026-03-24 標簽：晶圓光刻散射 57 0

高數值孔徑投影光刻中的偏振效應

在前面的部分中,使用標量模型描述了成像過程,但其中不包括任何偏振現象，而高數值孔徑系統的應用引入了幾個重要的偏振效應。本節將概述照明必須考慮的相關偏振效...

2026-03-19 標簽：光刻偏振模型 254 0

一文讀懂高精度衍射光學分束器的光刻制備、工藝優化與表征分析

衍射光學分束器的性能表現，既依賴于優化的仿真設計方案，也深受材料選擇與加工工藝的影響。當前相關研究多聚焦于通過理論仿真和設計優化追求高性能，而針對加工誤...

2026-03-16 標簽：半導體光學光刻 560 0

一文詳解多重曝光技術

有一些光學分辨率增強技術是非常依賴于圖形特征的。例如，可以通過合適方向的二極照明來增強密集線空圖形的成像性能，但是，不同方向的線空圖形需要不同方向的二極...

2026-02-03 標簽：照明光學光刻 371 0

從基于規則到基于模型的OPC和反演光刻技術

通過觀察偏移、輔助圖形、襯線和其他掩模校正方法對光刻成像的影響，可以建立用作掩模版圖校正的規則。

2026-01-28 標簽：光刻模型掩模 340 0

半導體“刻蝕（Etch）”工藝技術的詳解；

【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業質量管理從業者，旨在業余時間不定期的分享半導體行業中的：產品質量、失效分析、可靠性分析和產品基礎應用...

2025-11-11 標簽：半導體光刻刻蝕 5.6k 0

集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術

光刻與刻蝕是納米級圖形轉移的兩大核心工藝，其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。

2025-10-24 標簽：集成電路光刻刻蝕 2.2k 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優化研究

一、引言 玻璃晶圓在半導體制造、微流控芯片等領域應用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關鍵環節，對玻璃晶圓的質量要求極為嚴苛 。總厚度偏差（T...

2025-10-09 標簽：晶圓光刻碳化硅 816 0

光阻去除屬于什么制程

光阻去除（即去膠工藝）屬于半導體制造中的光刻制程環節，是光刻技術流程中不可或缺的關鍵步驟。以下是其在整個制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型...

2025-07-30 標簽：光刻半導體制造 1.3k 0

芯片制造的四大工藝介紹

這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術（光刻）?摻雜技術?鍍膜技術和刻蝕技術。

2025-07-16 標簽：芯片制造光刻加工工藝 4k 0

貼片晶振超高頻光刻工藝基本原理

什么是光刻：光刻是IC制造業中最為重要的一道工藝,占據了芯片制造中大約一半的步驟.光刻占所有成本的三分之一以上。通?？捎霉饪檀螖导八鐼ask的塊數來表...

2026-02-04 標簽：貼片晶振光刻 147 0

清華大學在分焦面超像素陣列光刻制造領域取得新進展

圖1.接觸-干涉混合光刻加工流程 分焦平面陣列因具備高集成度、高魯棒性和高動態適應性等優勢，在偏振成像領域受到廣泛關注。制造分焦平面陣列的關鍵在于制備陣...

2026-01-21 標簽：光刻 136 0

定義光刻精度標準——華林科納顯影濕法設備：納米級圖形化解決方案

導語 顯影工藝作為光刻制程的核心環節，直接決定晶圓圖形轉移的精度與良率。顯影濕法設備憑借高均勻性噴淋、精準溫度控制及智能缺陷攔截系統，突破16nm以下制...

2025-12-24 標簽：半導體光刻 386 0

半導體“光刻（Photo）”工藝技術的詳解；

【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業質量管理從業者，旨在業余時間不定期的分享半導體行業中的：產品質量、失效分析、可靠性分析和產品基礎應用...

2025-11-10 標簽：半導體光刻 3k 0

上海光機所在全息光刻研究方面取得進展

圖1 肘形圖形為目標圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日，中國科學院上海光學精密機械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團隊在全息光刻...

2025-09-19 標簽：光刻光機 602 0

白光干涉儀在晶圓光刻圖形 3D 輪廓測量中的應用解析

引言 晶圓光刻圖形是半導體制造中通過光刻工藝形成的微米至納米級三維結構（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數直接決定后續蝕...

2025-09-03 標簽：晶圓光刻 1k 0

1um 以下的光刻深度，凹槽深度和寬度測量

一、引言 在半導體制造、微機電系統（MEMS）等高新技術領域，1um 以下光刻深度、凹槽深度和寬度的精確測量至關重要。這類微小尺寸的測量精度直接影響產品...

2025-08-11 標簽：光刻干涉儀白光干涉 780 0

中科院微電子所突破 EUV 光刻技術瓶頸

極紫外光刻（EUVL）技術作為實現先進工藝制程的關鍵路徑，在半導體制造領域占據著舉足輕重的地位。當前，LPP-EUV 光源是極紫外光刻機所采用的主流光源...

2025-07-22 標簽：光刻EUV 1.2k 0

改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方...

2025-06-30 標簽：光刻干涉儀 1.1k 0

用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關鍵環節。銅布線在制程中廣泛應用，但傳統光刻膠剝離液易對銅產生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻...

2025-06-18 標簽：光刻Array 957 0