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      標(biāo)簽　>　hbm

      hbm

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      hbm資訊

      AI芯片需求猛增，CoWoS封裝供不應(yīng)求，HBM技術(shù)難度升級

      行業(yè)觀察者預(yù)測，英偉達(dá)即將推出的B系列產(chǎn)品，如GB200， B100， B200等，將對CoWoS封裝產(chǎn)能產(chǎn)生巨大壓力。據(jù)IT之家早前報道，臺積電已計劃...

      2024-05-20 標(biāo)簽：CoWoSHBMAI芯片 1.3k 0

      SK海力士與臺積電攜手量產(chǎn)下一代HBM

      近日，SK海力士與臺積電宣布達(dá)成合作，計劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項合作中，臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEO...

      2024-05-20 標(biāo)簽：臺積電SK海力士HBM 1.2k 0

      臺積電將采用HBM4，提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲方案

      在近期舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會上，臺積電透露了即將用于HBM4制造的基礎(chǔ)芯片的部分新信息。據(jù)悉，未來HBM4將采用邏輯制程生產(chǎn)，而臺積電計劃利用其...

      2024-05-20 標(biāo)簽：芯片臺積電HBM 1.9k 0

      三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產(chǎn)HBM4內(nèi)存

      早前在Memcon 2024行業(yè)會議上，三星電子代表曾表示，該公司計劃在年底前實現(xiàn)對1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn)；而關(guān)于HBM4，他們預(yù)見在明年會完成研發(fā)，...

      2024-05-17 標(biāo)簽：三星電子納米制程HBM 1.3k 0

      臺積電在歐洲技術(shù)研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

      目前，我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的...

      2024-05-17 標(biāo)簽：臺積電先進制程HBM 1.6k 0

      三星HBM3E芯片驗證仍在進行，英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注

      業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方...

      2024-05-16 標(biāo)簽：gpu英偉達(dá)HBM 2k 0

      又一家代工廠準(zhǔn)備上市，國產(chǎn)HBM真要來了？

      來源：國芯網(wǎng)，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 近日，武漢新芯集成電路股份有限公司（以下簡稱“武漢新芯”）在湖北證監(jiān)局披露IPO輔導(dǎo)備案報告，標(biāo)志著武漢...

      2024-05-16 標(biāo)簽：傳感器晶圓HBM 5.4k 0

      SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)

      SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術(shù)團隊負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從...

      2024-05-15 標(biāo)簽：存儲器SK海力士HBM 1.7k 0

      SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲器

      據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4...

      2024-05-15 標(biāo)簽：存儲器SK海力士HBM 1.1k 0

      SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

      值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道，三星電子與SK海力士預(yù)計今年內(nèi)實現(xiàn)1c...

      2024-05-14 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1.8k 0

      SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā)，預(yù)計2026年面市

      HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發(fā)進程，預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...

      2024-05-14 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1.1k 0

      三星電子組建HBM4團隊，旨在縮短開發(fā)周期，提升競爭力

      據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計團隊將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊則專攻下一代技術(shù)——HBM4。

      2024-05-11 標(biāo)簽：DRAM三星電子HBM 2.1k 0

      三星電子組建HBM4獨立團隊，力爭奪回HBM市場領(lǐng)導(dǎo)地位

      具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計團隊將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。

      2024-05-10 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1.3k 0

      在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代，三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新？

      在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代，三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新？

      在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代，三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新？

      2024-05-09 標(biāo)簽：DRAM存儲AI 977 0

      產(chǎn)能之外，HBM先進封裝的競爭

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）作為存儲行業(yè)當(dāng)下的新寵，HBM在AI的推動下，已經(jīng)陷入了前所未有的市場狂熱。最大的噱頭自然是產(chǎn)能之爭，比如SK海力士表示明...

      2024-05-10 標(biāo)簽：DRAMHBM先進封裝 3.9k 0

      三星將未來存儲業(yè)務(wù)重心放在企業(yè)市場

      5月8日，據(jù)最新消息，三星在近期的財報電話會議中宣布，其存儲業(yè)務(wù)將逐漸轉(zhuǎn)向關(guān)注于企業(yè)市場，如HBM、DDR5服務(wù)器內(nèi)存以及企業(yè)級SSD等產(chǎn)品線。

      2024-05-08 標(biāo)簽：SSDHBM三星 681 0

      消息稱三星組建百人工程師團隊

      近日，三星電子宣布組建了一支由精英工程師組成的新團隊，專注于HBM（高帶寬內(nèi)存）的研發(fā)和生產(chǎn)。這一舉措被看作是三星為確保與英偉達(dá)達(dá)成數(shù)十億美元的重大合約...

      2024-05-08 標(biāo)簽：三星電子HBM 1.1k 0

      SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

      SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動了市場對HBM芯片的需

      2024-05-07 標(biāo)簽：芯片SK海力士HBM 1k 0

      HBM供應(yīng)商議價提前，2025年HBM產(chǎn)能產(chǎn)值或超DRAM 3分

      　至于為何供應(yīng)商提前議價，吳雅婷解釋道，首先，HBM買家對于人工智能需求前景十分樂觀；其次，HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%，買家期望獲得品...

      2024-05-07 標(biāo)簽：DRAM人工智能HBM 1.2k 0

      SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年

      SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基...

      2024-05-06 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1.5k 0

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        +關(guān)注
        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        海思
        +關(guān)注
      • STM32F103C8T6
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        +關(guān)注
        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
        數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機及外圍器件。
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        +關(guān)注
        做單片機的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識，它是自動引導(dǎo)機器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！
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        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
      • LM2596
        LM2596
        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
      • Nexperia
        Nexperia
        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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