據韓媒 ZDNet Korea 于今日的報導，三星電子正醞釀在HBM4內存上采用1c納米制程（即第六代10+nm級）的DRAM裸片，以此增強其產品在能效競爭力方面的優勢。

早前在Memcon 2024行業會議上，三星電子代表曾表示，該公司計劃在年底前實現對1c納米制程的大規模生產；而關于HBM4，他們預見在明年會完成研發，并在2026年開始量產。

盡管作為已有HBM3E量產經驗的三星電子，卻未能如其主要競爭者SK海力士及美光那樣，采用1b納米制程的DRAM裸片，反而選擇了1a納米顆粒，從而在能耗方面略顯不足。

有消息人士指出，這可能是促使三星決定在HBM4上引入1c納米DRAM顆粒的關鍵因素之一。

據悉，同一制程節點的首批DRAM產品通常面向桌面與移動設備市場的標準DDR/LPDDR產品，待技術成熟后再應用于高價值且良率較低的HBM領域。

此外，消息人士還透露，三星電子HBM業務的高層及團隊也有意將HBM4的開發周期縮短，以滿足AI處理器制造商的需求。然而，這無疑將增加良率風險。

目前，在HBM內存領域占據領先地位的SK海力士已經表明計劃在HBM4E上引入1c納米制程顆粒，但尚未明確HBM4內存將采用何種制程的DRAM。