在機遇與挑戰并存的AI時代，三星如何在DRAM領域開拓創新？

　　高性能HBM:AI時代的關鍵組件

　　2016年，三星開創性的高性能計算（HPC）用高帶寬內存（HBM）實現商用，并積極探索拓展AI存儲器市場的機會。

　　2017年，三星推出采用8層堆疊技術的HBM2。隨后三星實現了HBM2E和HBM3的量產，并開發了速度高達9.8千兆位每秒（Gbps）的HBM3E，即將向客戶送樣，以豐富HPC/AI生態系統。

　　展望未來，預計三星將于2025年推出HBM4，目前正在開發優化高熱特性的技術，如非導電膜（NCF）封裝和銅混合鍵合（HCB）。

　　NCF（非導電膜）：一種聚合物層，用于保護堆疊芯片之間的焊點免受絕緣和機械沖擊的影響。

　　HCB（銅混合鍵合）：新一代鍵合技術，使用銅（導體）和氧化膜（絕緣體）來代替傳統焊料。

　　DDR5 DRAM：容量和性能的新高度

　　新型DDR5DRAM支持制造容量高達1TB的模組。相關應用包括需要更大存儲容量的數據中心，以及未來的存儲器解決方案，如MRDIMM和CXL存儲器模組。

　　同時，三星還開發了12納米級DDR5DRAM，與上一代產品相比，生產率提高了約20%。這種先進的技術可實現出色的性能和能效，運行速度可達7.2Gbps。



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　　PIM：存儲器市場的新秀

　　傳統馮·諾依曼架構所導致的內存瓶頸，是ChatGPT等大數據應用面臨的關鍵障礙。為解決這一難題，三星于2018年推出開創性的HBM-PIM（存儲器內處理）解決方案。

　　通過在DRAM中嵌入數據計算功能，HBM-PIM解決了內存帶寬瓶頸問題，使性能提高了12倍。語音識別等特定功能的能效提高了4倍。

　　提高系統性能的相關研究正在進行中。除了生成式A的可擴展性之外，三星還在研究如何使用CXL接口在DRAM上配置PIM架構。

　　利用未來的外形規格創造新市場

　　三星開發出開創性的低功耗壓縮附加內存模組（LPCAMM），這是一種基于LPDDR DRAME的模組產品。

　　三星突破性的LPCAMM是一種新型封裝規格的LPDDR，正在開拓新的市場。它既具有高性能和低功耗特性，又支持拆卸，便于維修或升級。與SO-DIMM相比，LPCAMME的安裝面積縮小60%，在節省內部空間的同時，性能和能效分別提高50%和70%。

　　比So-DIMM尺寸縮小60%

　　為半導體驅動的未來而創新

　　40多年來，三星電子堅定不移地致力創新，不斷取得技術突破。通過我們獨特的競爭方法，持續推出跨時代的產品，提前滿足未來技術的需求。我們將提供超高性能、超大容量和超低功耗存儲器解決方案，滿足AI新時代所需，并特別關注10納米以下工藝這一重要的DRAM市場拐點。