據工商業日報報道，AI芯片需求大幅增長，硅中間層面積擴大，間接影響了12寸晶圓的產量及CoWoS封裝供應量，供需矛盾日益突出。

不斷壯大的芯片

行業觀察者預測，英偉達即將推出的B系列產品，如GB200， B100， B200等，將對CoWoS封裝產能產生巨大壓力。據IT之家早前報道，臺積電已計劃在2024年提高CoWoS產能至每月近4萬片，較去年增長逾150%。

預計2025年總產能將再翻番。然而，英偉達新款B100與B200芯片的中間層面積增大，使得12寸晶圓切割出的芯片數量減少，CoWoS封裝產能難以滿足GPU需求。

HBM的挑戰

業界人士指出，HBM同樣面臨諸多問題。例如，SK海力士作為HBM市場占有率最高的企業，其EUV層數正逐漸增加。從1α階段的單層EUV，升級至1β階段，甚至有望將EUV使用量提升3~4倍。

此外，隨著HBM的多次迭代，DRAM數量亦隨之增加。HBM2中DRAM數量為4~8個，HBM3/3E則增至8~12個，而HBM4中DRAM數量將達到16個。