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近日，武漢新芯集成電路股份有限公司（以下簡稱“武漢新芯”）在湖北證監局披露IPO輔導備案報告，標志著武漢新芯正在穩步推進上市進程。

公開資料顯示，成立于2006年4月21日的武漢新芯，是一家專注于NOR Flash存儲芯片的集成電路制造企業，擁有華中地區首條12英寸集成電路生產線項目。截至2017年底，武漢新芯NOR Flash晶圓出貨量已超過75萬片，覆蓋從消費類到工業級、乃至汽車規范的全部NOR Flash市場，并于當年實現扭虧為盈。2020年，武漢新芯宣布，其自主研發的50納米浮柵式代碼型閃存（SPI NOR Flash）芯片實現全線量產。

本次IPO輔導備案報告顯示，武漢新芯的法定代表人為楊士寧，控股股東為長江存儲科技控股有限責任公司（持股比例：68.1937%），輔導協議簽署時間為2024年4月9日，輔導機構為國泰君安證券股份有限公司、華源證券股份有限公司。本輪投資方包括了武漢光谷半導體產業投資有限公司、中國銀行、湖北集成電路產業投資基金等30家知名投資機構。

值得注意的是，武漢新芯此前為長江存儲的全資子公司，今年3月初，武漢新芯宣布首度接受外部融資，注冊資本由約57.82億人民幣增至約84.79億人民幣。資料顯示，2月29日，武漢新芯發生多項工商變更，新增中國互聯網投資基金（有限合伙）、中銀金融資產投資有限公司、建信金融資產投資有限公司、農銀金融資產投資有限公司等股東。同時，武漢新芯注冊資本由約57.82億人民幣增至約84.79億人民幣，增幅達46.64%。

分析人士指出，武漢新芯此次啟動IPO，目的是支持長江存儲在關鍵發展時期的大規模擴張。目前長存集團的體量龐大，要在三年內實現上市難度較高，將武漢新芯作為上市主體，也提供了一個可預見的退出渠道。

或為國內首家HBM代工廠

武漢新芯在今年年初還發布了《高帶寬存儲芯粒先進封裝技術研發和產線建設》招標項目，項目顯示，公司會利用三維集成多晶圓堆疊技術，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產效率的國產高帶寬存儲器(HBM)產品。擬新增設備16臺套，擬實現月產出能力>3000片(12英寸)。

國內證券機構認為，武漢新芯系長江存儲控股子公司，發布招標預示著長江存儲或其他潛在客戶擁有DRAM產品制造能力，大幅提振了國內產業化信心。同時，伴隨著Hybrid Bonding技術的大量使用，有望進一步提升先進封裝設備制造企業的需求。

2018年12月3日，武漢新芯宣布基于其三維集成技術平臺的三片晶圓堆疊技術研發成功。這標志著公司在三維集成技術領域取得了重要進展，能夠實現更高密度和更復雜結構的芯片集成。

資料顯示，武漢新芯自2012年開始布局三維集成技術，并于2013年成功將該技術應用于背照式影像傳感器，良品率高達99%。隨后陸續推出了硅通孔（TSV）堆疊技術和混合技術，還在3D NAND項目上取得了突破性進展，第一個具有9層結構的存儲測試芯片通過了存儲器功能的電學驗證。

2022年時，武漢新芯還正式開始進軍物聯網應用市場，其與樂鑫科技達成存儲器芯片產品與應用方案開發方面戰略合作，之后武漢新芯在樂鑫科技各大平臺陸續導入FG 50nM NOR Flash系列產品，包括KGD合封方案及封裝片，其出貨量和銷售額均保持著超150%的年復合增長率逐年遞增。

目前，武漢新芯在三維集成多晶圓堆疊技術方面的研發進展主要體現在三片晶圓堆疊技術的成功研發、三維集成技術在背照式影像傳感器等領域的應用、高帶寬存儲器領域的技術研發及產業化工作，以及3D NAND項目的突破性進展。

國產晶圓代工，成為重點。

隨著國內半導體市場不斷發展，晶圓廠的重要性愈發凸顯。

據TrendForce統計，中國目前已建成的晶圓廠有44家（12 英寸晶圓廠 25 座、6 英寸晶圓廠 4 座、8 英寸晶圓廠及產線 15 座），另外還有22家晶圓廠在建（12 英寸晶圓廠 15 座，8 英寸晶圓廠 8 座）。

其中先進制程的研發和生產主要集中于12英寸晶圓廠上，受到手機、PC、數據中心、自動駕駛等下游應用高速發展的影響，12英寸晶圓需求量快速上升，逐漸成為行業主流。此外，生產12英寸晶圓雖然在成本比生產8英寸晶圓高出約50%。但12英寸晶圓的芯片輸出卻幾乎是8英寸晶圓的三倍，實際上每個芯片的成本反而降低了約30%。

可以看到，行業趨勢正在促使設備廠商將業務重心傾向12英寸。中國也在12英寸晶圓領域迅速擴張。除了建成和在建的40座12英寸晶圓廠，中國市場上還有9座正在計劃中。統計中的49座晶圓廠的規劃產能總計417.3萬片/月。

值得一提的是，目前國內10大晶圓廠中，有5家為外企，分別為三星、英特爾、SK海力士、TSMC、聯芯，而大陸本土的企業也有5家，分別為中芯國際、華虹、華潤微電子、西安微電子所、武漢新芯。

伴隨著國內半導體企業的發展，產能需求日漸增長，這些本土晶圓代工廠也成為了兵家必爭之地。

2012年，當時還是美商的豪威（OmniVision）就想要入股武漢新芯，確保代工產能無慮。當時武漢新芯和中芯國際剛解除代管關系，不只是是豪威，美光當時也想要運作想要入股。

后來武漢新芯保持股權獨立，并與豪威合作開發后段 BSI 技術，又與飛索 Spansion 合作 NOR Flash 芯片，最后成為中國 3D NAND 存儲芯片的平臺，和長江存儲建立起了深厚的聯系，推動了國內3D NAND 存儲芯片的發展。

如今武漢新芯推動IPO上市，不止是國產晶圓代工的進步，也是為國產HBM打入了一劑強心針。

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審核編輯 黃宇