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德州儀器LMG3526R050 650V GaN FET集成驅動技術深度解析

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現...

2025-08-06 標簽：電源轉換器 FET 集成式 926 0

快充電源IC U8731的工作原理

GaN器件采用二維電子氣結構，能夠提供更高的電子遷移率和導電性能，因此適用于高頻應用，可以實現更高效的功率轉換。深圳銀聯寶科技研發生產的快充電源ic U...

2025-05-15 標簽：GaN 電源IC 快充 924 0

用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊

LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉換組件都已集成，...

2025-02-21 標簽：場效應晶體管氮化鎵 GaN 922 0

LMG3624評估模塊LMG3624EVM-081符合 USB Type-C? PD 標準的 65W 準諧振反激式轉換器

LMG3624EVM-081 采用具有電流檢測仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET，展示了 65W USB Type-C? 電力輸送 (P...

2025-02-20 標簽：電流檢測 GaN 接口控制器 920 0

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數據手冊

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵（GaN）場效應晶體管。93V連續、100V脈...

2025-07-11 標簽：半橋場效應晶體管 GaN 918 0

LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET，集成驅動器、保護和零電壓檢測介紹

LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。

2025-02-21 標簽：封裝電源轉換器 FET 914 0

UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅動器數據手冊

UCC27611 是一款針對 5V 驅動優化的單通道高速柵極驅動器，專門針對增強型 GaN FET 進行尋址。驅動電壓 VREF 由內部線性穩壓器精確控...

2025-05-20 標簽：FET GaN 灌電流 913 0

GaN為提高PV逆變器效率帶來曙光

在使用太陽能作為可再生能源方面，我們面臨著兩大主要挑戰 – 效率和成本。雖然在過去數年內有了顯著改進，但在將陽光轉換為電能時，采用當今最新光伏(PV)技...

2023-02-08 標簽：轉換器逆變器 GaN 908 0

TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉換器的集成 650V GaN 半橋技術文檔

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器。LMG...

2025-02-20 標簽：電源 FET GaN 904 0

BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

本產品是面向工業設備市場的優質產品，是適用于這些應用場景的最佳產品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最優解決方案。...

2025-03-09 標簽：IC GaN 數據手冊 903 0

Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評估板數據手冊

Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ評估板設計用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892優化采用100V Ga...

2025-05-27 標簽：GaN Analog 評估板 901 0

UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS，4A/6A雙通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅動器，具有可編程死區時間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現出一致的性能和穩健性。它采用 4 A...

2025-05-17 標簽：可編程晶體管 GaN 897 0

BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

該產品是工業設備市場的一流產品。這是在這些應用中使用的最佳產品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過...

2025-03-09 標簽：IC GaN 數據手冊 897 0

LMG3624EVM-081評估模塊：用于帶 USB Type-C? PD 的 65W 準諧振反激式轉換器

LMG3624EVM-081 使用具有電流感應仿真功能的 LMG3624 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 功率傳輸（PD...

2025-02-21 標簽：適配器反激式轉換器 FET 894 0

技術資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET，集成驅動器、保護和零電流檢測

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。

2025-02-21 標簽：電源轉換器 FET GaN 893 0

PD快充芯片U8722SP的工作原理

耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態波動或負載突變），可能引發擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現及系統適配性。高耐壓芯...

2025-06-03 標簽：PD GaN 快充芯片 893 0

技術資料#LMG3411R150 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，...

2025-02-25 標簽：MOSFET 電子系統 GaN 893 0

BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

本產品是面向工業設備市場的優質產品，是這些應用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過將...

2025-03-09 標簽：IC GaN 數據手冊 891 0

STDRIVEG611半橋柵極驅動器技術解析與應用指南

STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅動器是用于N溝道增強模式GaN的高壓半橋柵極驅動器。高側驅動器部分設計能夠承受高達...

2025-10-16 標簽：半橋 N溝道 GaN 883 0

Kyosemi Gan型紫外線傳感器產品概述

用于深紫外線傳感應用的GaN型紫外線傳感器。與Si型紫外線傳感器相比，新產品對UV-B和UV-C深紫外線具有更高的靈敏度。通過使用GaN,產品的...

2023-08-11 標簽：傳感器 GaN 紫外線傳感器 881 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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5G網絡作為最新一代的移動互聯網通訊技術，相對4G而言，網速更快；5G手機是指使用第五代通信系統的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網絡切片技術，擁有更精準的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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　　智能工業：是將具有環境感知能力的各類終端、基于泛在技術的計算模式、移動通信等不斷融入到工業生產的各個環節，大幅提高制造效率，改善產品質量，降低產品成本和資源消耗，將傳統工業提升到智能化的新階段。
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