LMG3422EVM-043 在半橋中配置了兩個 LMG3422R030 GaN FET，具有鎖存過流保護功能和所有必要的輔助外圍電路。此 EVM 旨在與大型系統配合使用。

LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉換組件都已集成，這使得低側參考信號能夠控制兩個場效應晶體管。功率級上配備了高頻去耦電容，采用優化布局，以盡量減少寄生電感并降低電壓過沖。

*附件：LMG342XEVM - 04X 評估模塊的用戶指南.pdf

板子的布局對器件的性能和功能至關重要。TI 建議使用四層或更多層數的電路板，以減少寄生電感，從而使器件達到合適的性能。在 LMG342XR030 600V 30mΩ 氮化鎵場效應晶體管集成驅動器的數據手冊中提供了布局指南，包括引腳編號、功率環路電感、信號和接地連接，以優化焊接點的可靠性。

特征

• 輸入電壓最高可達 600 V
• 用于評估 LMG342XR0XX 性能的簡單開環設計
• 板載單/雙 PWM 輸入，用于具有可變死區時間的 PWM 信號
• 逐周期過流保護功能
• 使用帶有短接地彈簧探頭的示波器探頭進行邏輯和功率級測量的便捷探測點

在 LMG342XEVM - 04X 上，從 VDC 到 PGND 有一些高頻去耦電容，用于在開關過程中最小化電壓過沖，但在運行期間，需要更多的大容量電容來維持直流電壓。TI 建議避免從 VSW 到 VDC、PGND 以及任何邏輯引腳之間出現重疊和寄生電容。在 LMG342XEVM - 04X 上，功率地 PGND 和模擬地 AGND 這兩個接地引腳在功能上是相互隔離的。

自舉模式

LMG342XEVM - 04X 板可以進行修改以在自舉模式下運行，在這種模式下，12V 的偏置電壓用于為每個 LMG342XR0X0 器件供電。可以通過對該評估模塊進行以下修改來實現此模式：

1. 移除 R1。
2. 在 R2 上放置一個 2Ω 的電阻。
3. 在 D1 上放置一個 60V 的 SOD - 123 二極管，如 UFM15PL - TP。
4. 將低側的 Rdrv 電阻調整為大于 70kΩ，這對應于低側器件控制底部 GaN 場效應晶體管 Q1 時低于 60V/ns 的轉換速率。當自舉電源準備就緒時，底部的 GaN 場效應晶體管 U2 以較低的轉換速率切換到正常工作狀態，然后以較高的轉換速率工作。